含有吲哚的膦酸化合物及其应用及光电器件制造技术

本发明专利技术具体涉及一种含有吲哚的膦酸化合物以及采用该化合物制备的光电器件。所述的含有吲哚的膦酸化合物，以具有刚性共轭大平面的芴并吲哚/二苯并呋喃并吲哚/二苯并噻吩并吲哚为母核，制备量子点发光器件可以有效降低器件的工作电压和提升器件效率，制备钙钛矿电池可以提升光电转化效率。并且，本发明专利技术提供的含有吲哚的膦酸化合物，化合物的热稳定性高，其作为HTL材料可以应用于有机量子点电致显示技术领域、生物传感器分析与检测领域和太阳能电池领域等，制备的发光器件和电池的使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电材料，具体涉及一种含有吲哚的膦酸化合物以及采用该化合物制备的光电器件。

技术介绍

0、技术背景

1、上世纪80年代初，alexei ekimov和alexander efros首次在半导体掺杂的玻璃中发现量子点纳米晶的存在及其独特的光学性能。其后，研究发现，通过对这类纳米半导体材料施加一定的电场或光压，其便会发出特定频率的光，而发出的光的频率会随着纳米材料的尺寸的改变而变化，因而通过调节纳米材料的尺寸就可以控制其发出的光的颜色，由于这类纳米半导体材料拥有限制电子和电子空穴(electron hole)的特性，其类似于自然界中的原子或分子，因而被称为“量子点(quantum dot，qd)”。随着对量子点材料及制备技术研究的不断深入，人们逐渐认识到量子点具有光谱随尺寸可调、斯托克斯位移大、发光效率高、发光稳定性好等一系列独特的光学性能，成为未来显示技术的重点发展方向之一。

2、目前研究和应用的量子点材料主要是由iv、ii-ⅵ，iv-vi或iii-v元素组成的无机量子点材料，包括硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含有吲哚的膦酸化合物，具有如下通式I所示的结构式：

2.如权利要求1所述的含有吲哚的膦酸化合物，其特征在于，L为亚甲基，亚乙基，亚并基，亚异丙基，亚丁基，亚戊基，亚己烷基，亚环戊基，亚环己基，亚苯基，亚萘基，亚联苯基，亚蒽基，亚菲基，亚芘基，亚苝基，亚荧蒽基，亚(9,9-二烷基)芴基。

3.如权利要求2所述的含有吲哚的膦酸化合物，其特征在于，所述的含有吲哚的膦酸化合物为下列化合物1-化合物69中的任意一种：

4.权利要求1至3中所述的含有吲哚的膦酸化合物作为光电材料在有机量子点电致显示技术领域、生物传感器分析与检测领域和太阳能电池领域的应用。<...

【技术特征摘要】

1.一种含有吲哚的膦酸化合物，具有如下通式i所示的结构式：

2.如权利要求1所述的含有吲哚的膦酸化合物，其特征在于，l为亚甲基，亚乙基，亚并基，亚异丙基，亚丁基，亚戊基，亚己烷基，亚环戊基，亚环己基，亚苯基，亚萘基，亚联苯基，亚蒽基，亚菲基，亚芘基，亚苝基，亚荧蒽基，亚(9,9-二烷基)芴基。

3.如权利要求2所述的含有吲哚的膦酸化合物，其特征在于，所述的含有吲哚的膦酸化合物为下列化合物1-化合物69中的任意一种：

4.权利要求1至3中所述的含有吲哚的膦酸化合物作为光电材料在有机量子点电致显示技术领域、生物传感器分析与检测领域和太阳能电池领域的应用。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，权利要求1至3中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世艳，徐勃，黄锦海，
申请(专利权)人：上海辉纳思光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：