【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种沉积腔设备，特别涉及一种用于生产硅材料的双沉积腔设备。
技术介绍
1、硅材料是广泛运用于半导体产业的材料之一，其中一氧化硅是半导体元件的保护绝缘层以及陶瓷的重要原料，且一氧化硅也可应用于食品或药品的包装材料，而多孔硅材料因具有独特的光电特性而可运用于各个不同的领域，现有的沉积腔设备如中国台湾专利技术专利第tw i658002b号，提供沉积基板以沉积一氧化硅，也可见于中国台湾专利技术专利第twi723730b号，揭示沉积镁蒸气并收集残留多孔硅材料。其他沉积腔设备亦可见于美国专利第us9790095b2、us7431899b2号，揭示制备氧化硅粉末及氧化硅沉积物的装置，美国专利第us20070259113a1号揭示一氧化硅的制造方法。然而，前述专利所揭示沉积腔设备中的沉积基板的沉积速度较慢而产生沉积效率不佳的问题，因此如何改善沉积腔设备沉积的沉积效率，乃本领域所属技术人员欲解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有硅材料沉积设备的生产效率有待改善的问题。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，包括一炉体、一冷却夹套、一沉积装置以及一真空抽气装置。该冷却夹套设置于该炉体上方且该炉体相连通，该冷却夹套在该炉体上方定义出一空间，且该冷却夹套包括与该空间连通的一开口。该沉积装置包括至少一第一沉积基板以及至少一第二沉积基板，该第一沉积基板及该第二沉积基板并列地设置于该炉体上方与该冷却夹套之间的该空间，该第一沉积基板及该
3、在一实施例中，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该冷却夹套的该开口与该沉积装置之间。
4、在一实施例中，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
5、在一实施例中，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
6、为达上述目的，本专利技术还提供一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，包括一炉体、一冷却夹套、一沉积装置以及一钝态气体供应装置。该冷却夹套设置于该炉体上方且该炉体相连通，该冷却夹套在该炉体上方定义出一空间。该沉积装置包括至少一第一沉积基板以及至少一第二沉积基板，该第一沉积基板及该第二沉积基板并列地设置于该炉体上方与该冷却夹套之间的该空间，该第一沉积基板及该第二沉积基板分别具有相对于一垂直轴向朝下地倾斜的一第一内壁面以及一第二内壁面，且该第一内壁面及该第二内壁面上形成有一非平坦区域，该非平坦区域是分别相对于该第一内壁面及该第二内壁面的一平面突出或凹陷的一结构。该钝态气体供应装置与该炉体的一充气口连通。
7、在一实施例中，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该沉积装置上方。
8、在一实施例中，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
9、在一实施例中，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
10、为达上述目的，本专利技术更提供一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，包括一炉体、一冷却夹套、一沉积装置、一真空抽气装置以及一钝态气体供应装置。该冷却夹套设置于该炉体上方且该炉体相连通，该冷却夹套在该炉体上方定义出一空间，且该冷却夹套包括与该空间连通的一开口。该沉积装置包括至少一第一沉积基板以及至少一第二沉积基板，该第一沉积基板及该第二沉积基板并列地设置于该炉体上方与该冷却夹套之间的该空间，该第一沉积基板及该第二沉积基板分别具有相对于一垂直轴向朝下地倾斜的一第一内壁面以及一第二内壁面，且该第一内壁面及该第二内壁面上形成有一非平坦区域，该非平坦区域是分别相对于该第一内壁面及该第二内壁面的一平面突出或凹陷的一结构。该真空抽气装置与该冷却夹套的该开口连通。该钝态气体供应装置与该炉体的一充气口连通。
11、在一实施例中，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该冷却夹套的该开口与该沉积装置之间。
12、在一实施例中，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
13、在一实施例中，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
14、以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该冷却夹套的该开口与该沉积装置之间。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
5.一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该沉积装置上方。
7.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
8.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体
9.一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该冷却夹套的该开口与该沉积装置之间。
11.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
12.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
...【技术特征摘要】
1.一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该冷却夹套的该开口与该沉积装置之间。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点、一个或多个的凸条、一个或多个的凹条或前述的组合。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括一放置于该炉体内的坩埚，该坩埚包括一本体以及一上开口，该本体定义出一容置空间且包括一环壁、一底壁以及至少一连接在该环壁上而贯穿于该容置空间的辅助加热肋。
5.一种用于生产硅材料的双沉积腔设备，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，还包括至少一挡板，该挡板设置于该空间之中且位于该沉积装置上方。
7.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，该结构是一个或多个的凸点、一个或多个的凹点...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝崇文，邱玟溢，谢兆坤，谢兆翔，
申请(专利权)人：丰毅精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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