【技术实现步骤摘要】
本申请属于射频,尤其涉及一种寄生参数确定方法、装置、电子设备及可读存储介质。
技术介绍
1、目前,相关技术中射频晶体管等待测器件的寄生参数确定过程为:使用摩托罗拉电热模型(met model)作为等效电路模型,并基于基本结构的摩托罗拉电热模型,对待测晶体管在关断状态下的电路结构进行简化,然后在实物待测器件为关断状态(coldfet)下,对该实物待测器件进行测试等,最后根据测试结果确定该实物待测器件的寄生参数。
2、可见,相关技术中主要通过做出实物待测器件,通过对实物待测器件进行测试,并利用测试结果来确定该实物待测器件的寄生参数,存在待测器件的寄生参数的确定过程存在研发周期长,以及研发成本高的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种寄生参数确定方法、装置、电子设备及可读存储介质,有利于缩短研发周期,以及节约研发成本。
2、第一方面,本申请实施例提供一种寄生参数确定方法,方法包括:
3、在目标仿真软件中的待测器件的金属结构上设置n个输入端口和m个分立端
...【技术保护点】
1.一种寄生参数确定方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一S参数、M个所述分立端口以及K个有源区域模型,确定第二S参数,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述有源区域模型的控制极连接对应的所述分立端口,所述有源区域模型的第一极连接接地端,所述有源区域模型的第二极用于输出信号。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在目标仿真软件中的待测器件的金属结构上设置N个输入端口和M个分立端口,得到所述金属结构的仿真结构,包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特
...【技术特征摘要】
1.一种寄生参数确定方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一s参数、m个所述分立端口以及k个有源区域模型,确定第二s参数,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述有源区域模型的控制极连接对应的所述分立端口,所述有源区域模型的第一极连接接地端,所述有源区域模型的第二极用于输出信号。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在目标仿真软件中的待测器件的金属结构上设置n个输入端口和m个分立端口,得到所述金属结构的仿真结构,包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二s参数,确定所述待测器件的目标寄生参数,包括:
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯富诚,
申请(专利权)人:苏州华太电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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