【技术实现步骤摘要】
本申请实施方式关于超导量子芯片领域，具体关于一种超导量子芯片的制造方法、超导量子芯片和量子计算机。
技术介绍
1、随着量子信息技术的不断发展，量子芯片中量子比特的数目不断增加。这在一定程度上导致量子芯片的体积也在不断扩大。量子芯片的体积过大并不符合密集型器件的发展方向。因此，现有技术中通常会基于多层结构设计量子芯片。
2、然而，基于多层结构设计的量子芯片中通常会包括层叠布置的多个芯片。多个芯片在工作时，不同芯片的布线之间容易产生串扰，从而降低量子芯片的性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请多个实施方式致力于提供一种超导量子芯片的制造方法、超导量子芯片和量子计算机，可以一定程度上在降低层叠布置的多个芯片之间的线路串扰对超导量子芯片的性能的影响。
2、本申请中多个实施方式提供超导量子芯片的制造方法，所述超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片；所述第一芯片或所述第二芯片包括谐振腔；所述方法包括：叠层封装所述第一芯片和第二芯片，以使所述第一芯片和第二芯片之间连接；其中，所述第一芯片和第二芯片之间的封装间距依照所述谐振腔的预期品质因数在指定子区间内确定；所述指定子区间是被测试的多个超导量子芯片的封装间距形成的间距值分布区间的子区间；其中，依照测试所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片得到的所述品质因数随封装间距的变化趋势，所述间距值分布区间被划分为多个子区间；相邻的子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势不相同；所述指定子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势
3、本申请实施方式提出一种超导量子芯片，所述超导量子芯片通过上述任一实施方式所述的超导量子芯片的制造方法制造得到。
4、本申请实施方式提出一种量子计算机，所述量子计算机包括通过上述任一实施方式所述的超导量子芯片的制造方法制造得到的超导量子芯片。
5、本申请提供的多个实施方式中超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片或所述第二芯片包括谐振腔。通过叠层封装所述第一芯片和第二芯片，以使所述第一芯片和第二芯片之间连接，并且所述第一芯片和第二芯片之间的封装间距依照所述谐振腔的预期品质因数在指定子区间内确定。其中，所述指定子区间是被测试的多个超导量子芯片的封装间距形成的间距值分布区间的子区间。依照测试所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片得到的所述品质因数随封装间距的变化趋势，所述间距值分布区间被划分为多个子区间，且相邻的子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势不相同。所述指定子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势接近所述谐振腔的品质因数受所述封装间距影响的理论变化趋势。由于所述理论变化趋势是在理想情况下推断出的谐振腔的品质因数随封装间距的变化趋势，使得谐振腔的品质因数受线路串扰的影响趋于理想化。在所述指定子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势接近理论变化趋势的情况下，可以认为谐振腔的品质因数受封装间距变化的影响较大而受线路串扰的影响较小，从而制造出性能较好的超导量子芯片。
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1.一种超导量子芯片的制造方法，其特征在于，所述超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片；所述第一芯片或所述第二芯片包括谐振腔；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测试所述多个超导量子芯片的方法包括在超导条件下实测所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片的谐振腔的品质因数，或者对所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片进行仿真测试谐振腔的品质因数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述理论变化趋势为所述谐振腔的品质因数随着所述封装间距增大以指定斜率线性减小。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个量子芯片中，所述指定子区间内的多个目标量子芯片中，任意两个目标量子芯片的品质因数之差，与所述两个目标量子芯片的封装间距的间距值之差的比值接近所述指定斜率。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，叠层封装所述第一芯片和第二芯片的步骤，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一芯片包括所述谐振腔；所述第二芯片用于形成量子比特；所述第一芯片作为倒装焊工艺中的基础层；所述第二芯片作为
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述理论变化趋势通过理论近似计算得到；或所述理论变化趋势通过仿真计算得到。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻的子区间对应的所述品质因数随封装间距的变化趋势不相同，包括：
9.一种超导量子芯片，其特征在于，所述超导量子芯片通过如权利要求1至7任一项所述的超导量子芯片的制造方法制造得到。
10.一种量子计算机，其特征在于，所述量子计算机包括如权利要求1至7任一项所述的超导量子芯片的制造方法制造得到的超导量子芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种超导量子芯片的制造方法，其特征在于，所述超导量子芯片包括第一芯片和第二芯片；所述第一芯片或所述第二芯片包括谐振腔；所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测试所述多个超导量子芯片的方法包括在超导条件下实测所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片的谐振腔的品质因数，或者对所述多个具有不同封装间距的超导量子芯片进行仿真测试谐振腔的品质因数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述理论变化趋势为所述谐振腔的品质因数随着所述封装间距增大以指定斜率线性减小。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个量子芯片中，所述指定子区间内的多个目标量子芯片中，任意两个目标量子芯片的品质因数之差，与所述两个目标量子芯片的封装间距的间距值之差的比值接近所述指定斜率。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，叠层封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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