【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及cvd反应腔焊接，具体是涉及一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺及工装。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。其主要原理是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。
2、化学气体的反应与沉积主要是在cvd反应腔中进行，因此cvd反应腔的性能对生成的材料质量影响较大，现有的cvd反应腔主要是采用tig焊接的方式成形，由于反应腔筒身等部件装夹较为困难，导致焊接时容易发生变形，焊后容易出现开裂。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺及工装。
2、本专利技术的技术方案是：一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺，包括以下步骤：
3、s1、清洗
4、对反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头进行清洗；
5、s2、安装
6、将所述反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头安装至工装上；
7、s3、焊接
8、将工装放置到转台上，随后对反应腔筒身与反应腔水路盖板进行焊接，反应腔筒身与反应腔水路盖板焊接完成后，再依次焊接水路接头与法兰，焊接完成后得到cvd反应腔；
9、s4、检测
10、采用水
11、说明：上述工艺通过焊接工装将反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头一次性装配，随后进行一次性焊接，避免焊接时反应腔筒身位置偏移，减少焊接时的变形与开裂。
12、进一步地，所述步骤s3中，焊接时采用直流正接、填丝的方式进行焊接，焊接电流为160～180a，转台转动速度为10min/r。
13、说明：上述焊接方式与焊接参数可保证焊缝性能，同时保证焊接效率。
14、另一方面，本专利技术提供了一种上述氩弧焊工艺所使用的工装，所述工装包括支座，以及多个滑动设置在支座上且用于对反应腔筒身内壁进行支撑的弧形撑块；
15、所述支座上设有用于辅助反应腔筒身外壁进行定位的定位环，每个所述弧形撑块内侧均设有滑块，且支座底面设有用于与滑块进行滑动连接的滑槽。
16、说明：上述工装采用定位环对反应腔筒身定位，并通过弧形撑块向外滑动对反应腔筒身的内壁进行支撑，可以针对不同内径的反应腔筒身进行调节，同时支撑稳固，有效避免了焊接时反应腔筒身位置发生偏移。
17、作为本专利技术的一种可选方案，所述滑槽贯穿支座，且位于所述滑槽对应位置处的支座底面设有垫片，所述垫片上螺纹连接有多个螺栓，每个所述滑块底面均设有多个用于与对应螺栓进行配合的螺纹孔。
18、说明：可通过螺栓直接固定弧形撑块位置，使弧形撑块位置稳固，同时便于拆卸，且使用简单，制造成本低。
19、作为本专利技术的另一种可选方案，所述支座的中轴线位置设有转轴，且所述转轴一端穿过支座并与驱动机构连接，转轴上螺纹连接有活动套；
20、所述活动套侧壁上设有多个与滑块位置一一对应的连接板，所述连接板与对应的滑块通过连杆铰接。
21、说明：通过驱动机构可带动转轴转动，使活动套能够沿转轴上下移动，活动套向下移动时会通过连杆推动多个滑块同时向外滑动，对反应腔筒身进行固定，使反应腔筒身位置稳定，同时操作简便。
22、进一步地，所述转轴上由上到下依次套设有转动盘、固定盘以及环形气囊；所述活动套位于固定盘与环形气囊之间；
23、所述固定盘、环形气囊均与转轴转动连接，且固定盘与支座固定连接，环形气囊两端分别与活动套、支座接触，且环形气囊的进气口设有单向阀；
24、所述固定盘上设有多个与弧形撑块一一对应的套筒，所述套筒内滑动密封连接有活塞，所述活塞一端转动密封连接有滑杆，所述滑杆一端穿过套筒、并依次套设有摩擦轮、连接块以及压块；多个套筒与环形气囊均通过管道连通；
25、所述连接块与滑杆滑动连接，且连接块与弧形撑块固定连接，所述压块位于弧形撑块外侧，用于夹持反应腔水路盖板，所述摩擦轮与压块之间通过弹簧连接，且转动盘上设有多个利用滑杆滑动与摩擦轮接触的摩擦块；
26、所述活塞上设有放气孔，所述滑杆内设有用于与所述放气孔转动接通的排气通道。
27、说明：在活动套向下移动时，活动套会挤压环形气囊，使多个滑杆同时向外伸出，直至转动盘上的摩擦块与摩擦轮接触，滑杆会带动压块翻转，此时活塞放气，多个压块在弹簧作用下对反应腔水路盖板进行夹持，在操作简单的同时，保证了反应腔水路盖板与反应腔筒身的同轴度，避免了焊接时位置偏移。
28、更进一步地，所述压块由竖向设置的螺纹块与横向设置的弧形块组成，所述螺纹块与滑杆通过螺纹连接。
29、说明：螺纹连接的方式连接稳固，同时便于压块的更换与维护，且制造成本低，实用性好。
30、更进一步地，所述弧形块内侧设有用于与反应腔水路盖板接触的橡胶垫片。
31、说明：设置橡胶垫片可起到一定的缓冲作用，避免弧形块对反应腔水路盖板表面造成损坏。
32、进一步地，所述连接块内壁设有滑柱，所述滑杆侧壁上设有用于与所述滑柱配合的组合槽；
33、所述组合槽包括两个呈中心对称设置的直线槽，以及设置在直线槽一端且用于连接两个直线槽的弧形槽组成。
34、说明：直线槽可保证滑杆滑动时不随意转动，避免滑杆位置偏移，弧形槽可限定滑杆的转动角度，避免滑杆转动过度。
35、进一步地，多个所述连杆一端均设有弧形套，且弧形套外壁上设有齿，所述连接板上横向滑动连接有用于利用滑动与对应弧形套啮合的齿板，所述齿板通过其上设有的多个弹簧杆与连接板滑动连接，且连接板上设有用于利用充气推动齿板与弧形套分开的第一气囊；
36、所述活动套由上端的螺纹套与下端的升降套组成，所述螺纹套与升降套限位转动连接，且连接板设置在升降套侧壁上；
37、多个连接板上端均设有压柱，且所述压柱与连接板上设有的滑孔竖向滑动连接，所述滑孔内设有与所述第一气囊连通的第二气囊，螺纹套侧壁上设有多个利用其转动与压柱一一对应进行下压的压板。
38、说明：齿板可与弧形套上的齿啮合，使连杆被锁死，避免反应腔筒身被固定后连杆随意移动，使反应腔筒身的固定更加稳固，且在转轴转动时，压板可下压压柱，使第二气囊向第一气囊内充气，第一气囊会推动齿板与弧形套分开，避免影响活动套的上下移动。
39、本专利技术的有益效果是：
40、(1)本专利技术工艺通过焊接工装将反应腔筒身、反应腔水路盖板、法兰、水路接头一次性装配，随后进行一次性焊接，避免焊接时反应腔筒身位置发生偏移，减少焊接时的变形与开裂。
41、(2)本专利技术工装采用本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，所述步骤S3中，焊接时采用直流正接、填丝的方式进行焊接，焊接电流为160～180A，转台转动速度为10min/r。
3.一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，用于实现权利要求1～2任意一项所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，所述工装包括支座(51)，以及多个滑动设置在支座(51)上且用于对反应腔筒身(1)内壁进行支撑的弧形撑块(52)；
4.根据权利要求3所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述滑槽贯穿支座(51)，且位于滑槽对应位置处的支座(51)底面设有垫片(53)，所述垫片(53)上螺纹连接有多个螺栓(531)，每个所述滑块(521)底面均设有多个用于与对应螺栓(531)进行配合的螺纹孔。
5.根据权利要求3所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述支座(51)的中轴线位置设有转轴(54)，且所述转轴(54)一端穿过支座(51)并与驱动机构
6.根据权利要求5所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述转轴(54)上由上到下依次套设有转动盘(56)、固定盘(57)以及环形气囊(58)；所述活动套(55)位于固定盘(57)与环形气囊(58)之间；
7.根据权利要求6所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述压块(64)由竖向设置的螺纹块(641)与横向设置的弧形块(642)组成，所述螺纹块(641)与滑杆(62)通过螺纹连接。
8.根据权利要求7所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述弧形块(642)内侧设有用于与反应腔水路盖板(2)接触的橡胶垫片。
9.根据权利要求6所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述连接块(522)内壁设有滑柱，所述滑杆(62)侧壁上设有用于与所述滑柱配合的组合槽；
10.根据权利要求5所述的一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工装，其特征在于，多个所述连杆(552)一端均设有弧形套(71)，且弧形套(71)外壁上设有齿，所述连接板(551)上横向滑动连接有用于利用滑动与对应弧形套(71)啮合的齿板(7)，所述齿板(7)通过其上设有的多个弹簧杆(73)与连接板(551)滑动连接，且连接板(551)上设有用于利用充气推动齿板(7)与弧形套(71)分开的第一气囊(72)；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，所述步骤s3中，焊接时采用直流正接、填丝的方式进行焊接，焊接电流为160～180a，转台转动速度为10min/r。
3.一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工装，用于实现权利要求1～2任意一项所述的一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工艺，其特征在于，所述工装包括支座(51)，以及多个滑动设置在支座(51)上且用于对反应腔筒身(1)内壁进行支撑的弧形撑块(52)；
4.根据权利要求3所述的一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述滑槽贯穿支座(51)，且位于滑槽对应位置处的支座(51)底面设有垫片(53)，所述垫片(53)上螺纹连接有多个螺栓(531)，每个所述滑块(521)底面均设有多个用于与对应螺栓(531)进行配合的螺纹孔。
5.根据权利要求3所述的一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工装，其特征在于，所述支座(51)的中轴线位置设有转轴(54)，且所述转轴(54)一端穿过支座(51)并与驱动机构连接，转轴(54)上螺纹连接有活动套(55)；
6.根据权利要求5所述的一种半导体用cvd反应腔氩弧焊工装，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊龙辉，杨平，刘锦慧，刘道同，张澳国，卞林，
申请(专利权)人：陕西斯瑞新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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