【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微纳加工，特别涉及一种芯片产品制备方法及系统。
技术介绍
1、刻蚀-沉积-剥离工艺是微纳加工技术中常用的工艺，常用于芯片中的电路结构的制造。
2、在相关技术中，一道完整的刻蚀-沉积-剥离工艺可以包含两轮材料沉积-光刻胶涂敷-光刻显影-刻蚀-光刻胶清洗的步骤；而一个芯片的完整制造过程中，通常会涉及多道刻蚀-沉积-剥离工艺。
3、然后，芯片生产制造中，过多的光刻胶旋涂和清洗过程会对芯片成品产生负面影响，影响芯片的性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种芯片产品制备方法及系统，可以提高芯片产品的性能，该技术方案如下。
2、一方面，提供了一种芯片产品制备方法，所述方法包括：
3、在具有第一沉积层的第一芯片产品上涂敷第一光刻胶，获得覆盖所述第一芯片产品的第一光刻胶层；
4、基于所述第一光刻胶层，制备由所述第一沉积层中的沉积材料构成的第一电路结构；
5、基于所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶进行转化处理，获得第二光刻胶层；所述第二光刻胶层具有可溶于显影液的特性；
6、在所述第二光刻胶层之上制备第三光刻胶层；
7、对所述第一芯片产品上的指定位置进行光刻显影处理，去除所述第二光刻胶层以及所述第三光刻胶层在所述指定位置处的光刻胶；
8、在所述指定位置处制备第二沉积层；
9、对所述第二光刻胶层以及所述第三光刻胶层中残余的光刻胶进行清洗，获得第二芯片产品。
...【技术保护点】
1.一种芯片产品制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶进行转化处理，获得第二光刻胶层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶与第二光刻胶均匀混合，获得所述第二光刻胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述第二光刻胶与所述第一光刻胶均匀混合，获得所述第二光刻胶层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述物理方式包括以下方式中的至少一种：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述泛曝光处理的方式包括：
7.根据权利要求2至6任一所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为不感光的光刻胶。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为剥离用胶。
9.根据权利要求2至6任一所述的方法，其特征在于，所述在所述第二光刻胶层之上制备第三光刻胶层之前，所述方法还包括：
10.根据权利要求9所述的
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一芯片产品上的指定位置进行光刻显影处理的显影时间为60至120秒。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一光刻胶层，制备由所述第一沉积层中的沉积材料构成的第一电路结构，包括：
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二芯片产品为超导量子芯片；或者，所述第二芯片产品为所述超导量子芯片的半成品。
14.一种芯片产品制备系统，其特征在于，所述系统包括：涂胶机、光刻机、刻蚀机、蒸镀机、以及清洗机；
15.根据权利要求14所述的系统，其特征在于，所述涂胶机和所述光刻机，用于将所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶与第二光刻胶均匀混合，获得所述第二光刻胶层。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片产品制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶进行转化处理，获得第二光刻胶层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述第一光刻胶层中残余的所述第一光刻胶与第二光刻胶均匀混合，获得所述第二光刻胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述第二光刻胶与所述第一光刻胶均匀混合，获得所述第二光刻胶层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述物理方式包括以下方式中的至少一种：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述泛曝光处理的方式包括：
7.根据权利要求2至6任一所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为不感光的光刻胶。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为剥离用胶。
9.根据权利要求2至6任一所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文龙，胡晶晶，李渊，
申请(专利权)人：腾讯科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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