System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 含有形态不同的金属的电磁屏蔽用组合物制造技术_技高网

含有形态不同的金属的电磁屏蔽用组合物制造技术

技术编号:40587497 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-12 21:47
根据本发明专利技术的电磁屏蔽用组合物涉及能够形成具有优异电磁屏蔽能力和弯曲性的电磁屏蔽膜的电磁屏蔽用组合物,并且具体地,电磁屏蔽用组合物包含:具有核‑壳结构的金属纳米线,所述核‑壳结构包括含铜的核和在所述核上的含银的壳;以及板状金属颗粒,选自板状银颗粒和板状镀银的铜颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种包含形态不同的金属的电磁屏蔽用组合物,更具体地,涉及一种具有优异的电磁屏蔽能力的电磁屏蔽用组合物,这种优异的电磁屏蔽能力是由电磁屏蔽用组合物中形态不同的金属材料形成的网络结构产生的。


技术介绍

1、近年来,随着电气和电子部件使用的增加,由于电子设备的小型化、薄型化和高度集成化而导致的电磁干扰问题已经变得愈发严重,并且对可穿戴设备的需求正在逐步增加。

2、为了解决电磁干扰问题,将电磁屏蔽膜附着到电子设备的电路板上,并且通常,附着到电子设备的电路板上的电磁屏蔽膜可以由电磁屏蔽用组合物形成,并且该电磁屏蔽用组合物以包含聚合物树脂和导电填料的配置来提供。

3、因此,需要电磁屏蔽膜不仅具有优异的电磁屏蔽能力,而且具有强抗变形(诸如弯曲)的特性,以使得该膜适用于可穿戴设备,为此,韩国专利公开第10-2016-0135512号提供了一种包含屏蔽层的电磁屏蔽膜,该屏蔽层包含双结构金属结构物。该专利文献中公开的屏蔽层通过将双结构金属结构物(也就是说,具有由包围第一金属的第二金属构成的双结构的线状的金属结构物)包含在树脂中,从而提供具有改善的可弯曲性的电磁屏蔽膜。

4、然而,当在电磁屏蔽用组合物中所包含的导电填料仅为线形式时,由于电子设备变薄,电磁屏蔽用组合物中所包含的表观密度低,并且占据大体积的呈线形式的导电填料的量必然受到限制,因此,电磁屏蔽率不能提高到一定水平以上。此外,由于用于实现目标电磁屏蔽能力的导电填料含量的增加,导致经济可行性可能降低。

5、因此,需要开发一种经济的电磁屏蔽用组合物,其可以提供兼具优异电磁屏蔽能力以及优异可弯曲性的薄电磁屏蔽膜。

6、相关技术文献

7、专利文献

8、韩国专利公开第10-2016-0135512号


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本专利技术的目的是提供一种电磁屏蔽用组合物,其能够形成兼具优异电磁屏蔽能力以及优异可弯曲性的薄电磁屏蔽膜。

3、本专利技术的另一目的是提供一种电磁屏蔽用组合物,其具有优异的电磁屏蔽效率并且是经济的。

4、用于解决问题的手段

5、在一个总的方面,电磁屏蔽用组合物包含:具有核-壳结构的金属纳米线,所述核-壳结构包括含铜的核和在核上的含银的壳;以及板状金属颗粒,选自板状银颗粒和板状镀银的铜颗粒。

6、在本专利技术的示例性实施例中,金属纳米线的直径可以为200至500nm并且纵横比可以为5至50。

7、在本专利技术的示例性实施例中,金属纳米线中的核的直径可以大于壳的厚度。

8、在本专利技术的示例性实施例中,金属纳米线的壳的厚度可以为20至60nm。

9、在本专利技术的示例性实施例中,板状金属颗粒的平面方向长轴长度(d)和厚度(l)的纵横比(d/l)可以为5至40。

10、在本专利技术的示例性实施例中,相对于金属纳米线的纵横比(ar2),板状金属颗粒的纵横比(ar1)可以满足以下的第1式,

11、第1式:

12、ar1≤ar2。

13、在本专利技术的示例性实施例中,电磁屏蔽用组合物中的多个板状金属颗粒可以具有各向异性取向。

14、在本专利技术的示例性实施例中,在金属纳米线中,壳中所含有的银的(111)晶面的半峰全宽(full width half maximum,fwhm)可以大于核中所含有的铜的(111)晶面的fwhm。

15、在本专利技术的示例性实施例中,电磁屏蔽用组合物中所包含的板状金属颗粒与金属纳米线的重量比可以为1:1至15。

16、在本专利技术的示例性实施例中,电磁屏蔽用组合物中所包含的板状金属颗粒与金属纳米线的重量比可以为1:2至4。

17、在本专利技术的示例性实施例中,电磁屏蔽用组合物还可以包含粘合剂。

18、在本专利技术的示例性实施例中,粘合剂可以是有机粘合剂或陶瓷粘合剂。

19、在另一个总的方面,提供了使用上述电磁屏蔽用组合物制造的电磁屏蔽膜。

20、在根据示例性实施例的电磁屏蔽膜中,电磁屏蔽膜的厚度可以为20至60μm。

21、在根据示例性实施例的电磁屏蔽膜中,电磁屏蔽膜在26.5ghz至40ghz的频率范围内可以具有50db以上的电磁屏蔽率。

22、专利技术效果

23、根据本专利技术的电磁屏蔽用组合物包含:具有核-壳结构的金属纳米线,所述核-壳结构包括含铜的核和在所述核上的含银的壳;以及板状金属颗粒,选自板状银颗粒和板状镀银的铜颗粒,具有由屏蔽用组合物中的金属材料之间的连接而形成的网络结构,从而提供了能够形成一种兼具优异电磁屏蔽能力以及优异可弯曲性的电磁屏蔽膜的经济的电磁屏蔽用组合物。

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【技术保护点】

1.一种电磁屏蔽用组合物,其中,包含:

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

11.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

12.根据权利要求11所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

13.一种电磁屏蔽膜,其中,所述电磁屏蔽膜使用根据权利要求1至12中任一项所述的电磁屏蔽用组合物来制造。

14.根据权利要求13所述的电磁屏蔽膜,其中,

15.根据权利要求14所述的电磁屏蔽膜,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电磁屏蔽用组合物,其中,包含:

2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽用组合物,其中,

【专利技术属性】
技术研发人员:朴翰浯金在河金俊杓金志恩
申请(专利权)人:株式会社百奥尼
类型:发明
国别省市:

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