【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其设计一种mom电容器及电容器的版图设计方法。
技术介绍
1、金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，mom)电容器是电容阵列结构领域比较常见的电容器。mom电容器设置于衬底上方，衬底对mom电容器起支撑作用。通常来说，mom电容器的每一层均包括用于形成正电极的金属结构以及用于形成负电极的金属结构。然而，在mom电容器工作过程中，采用这种结构的mom电容器的金属层的信号电流会受到其下方衬底较强的干扰；此外，mom电容器的金属层的信号电流可能还会受到其它干扰源如来自于mom电容器上方其它干扰源的干扰，导致mom电容器的性能降低。
技术实现思路
1、基于上述现状，本申请的主要目的在于提供一种mom电容器及电容器的版图设计方法，可以提升mom电容器的性能。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、一种mom电容器，所述mom电容器包括多个金属层；
4、所述多个金属层包括m个第一金属层以及n个第二金属层；m为大于或等于1的整数，n为大于1的整数；
5、所述m个第一金属层中的每个所述第一金属层均包括第一金属部分和第二金属部分；所述m个第一金属层的所述第一金属部分连接形成第一电极，所述m个第一金属层的所述第二金属部分连接形成第二电极，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；
6、所述n个第二金属层包括位于所述m个第一金属层上方的j个所述第二金属层和位于所述m个第一金属层下方的k个所述第二金
7、其中，所述第二金属层包括与所述第一金属层相同的金属图案，且所述第一金属层与所述第二金属层所包括的所述相同的金属图案在垂直方向上位置对应。
8、优选的，每个所述第二金属层均包括第三金属部分和第四金属部分，所述第三金属部分和所述第四金属部分连接，所述第三金属部分与所述第一金属部分的金属图案相同，且所述第三金属部分位于所述第一金属部分的正上方或正下方；所述第四金属部分与所述第二金属部分的金属图案相同，且所述第四金属部分位于所述第二金属部分的正上方或正下方。
9、优选的，所述第一金属部分和所述第三金属部分均包括第一条状金属以及在垂直于所述第一条状金属的方向上延伸的第一组指状金属；所述第一条状金属与所述第一组指状金属电连接；
10、所述第二金属部分和所述第四金属部分均包括第二条状金属以及在垂直于所述第二条状金属的方向上延伸的第二组指状金属；所述第二条状金属与所述第二组指状金属电连接；
11、所述第一组指状金属与所述第二组指状金属之间呈相互交错。
12、优选的，相邻两个所述第一金属层在垂直方向上的投影重合。
13、优选的，所述第一金属层与所述第二金属层未连接；
14、所述第二金属层空置、或接电源或接地。
15、优选的，所述n个第二金属层连接所述第一电极或所述第二电极；
16、与所述n个第二金属层连接的所述第一电极或所述第二电极用于接电源或接地；
17、优选的，所述n个第二金属层中的一部分连接所述第一电极或所述第二电极；
18、未与所述第一电极或所述第二电极连接的所述第二金属层相对于与所述第一电极或所述第二电极连接的所述第二金属层距离所述第一金属层更远；
19、未与所述第一电极或所述第二电极连接的所述第二金属层空置、或接电源或接地。
20、优选的，相邻两个所述第一金属层通过通孔电性连接；
21、当相邻两个所述第二金属层连接时，相邻两个所述第二金属层通过通孔电性连接；
22、当相邻的所述第一金属层与所述第二金属层连接时，相邻的所述第一金属层与所述第二金属层通过通孔电性连接。
23、优选的，所述多个金属层之间填充有绝缘物质。
24、本申请实施例还提供一种电容器的版图设计方法，所述方法包括：
25、步骤s100：绘制电容器版图，所述电容器版图对应为所述的mom电容器的版图；
26、步骤s200：测量所述电容器版图的电容值，得到参考电容值；
27、步骤s300：将所述参考电容值与预设的期望电容值进行匹配；所述期望电容值为所述mom电容器期望获得的电容值；如果所述参考电容值与所述期望电容值不匹配时，则执行步骤s400；反之，执行步骤s500；
28、步骤s400：调整所述第一金属层和所述第二金属层的图案，和/或所述第一金属层与所述第二金属层之间的连接关系，得到更新后的所述电容器版图，并返回执行所述步骤s200；
29、步骤s500：将与所述期望电容值匹配的所述参考电容值所对应的所述电容器版图作为目标版图。
30、优选的，在所述步骤s100中，所述电容器版图对应为如权利要求3所述的mom电容器的版图；
31、在所述步骤s400中，所述调整所述第一金属层和所述第二金属层的图案包括：
32、调整所述第一组指状金属所包括的指状金属之间的距离，和/或调整所述第一组指状金属所包括的指状金属的长度和宽度中的至少一者；
33、调整所述第二组指状金属所包括的指状金属之间的距离，和/或调整所述第二组指状金属所包括的指状金属的长度和宽度中的至少一者。
34、优选的，所述步骤s100包括：
35、根据所述期望电容值、所述第一金属层的层数和所述第一金属层的电容单元的数量，确定所述第一金属层的单个电容单元的电容值；所述单个电容单元为所述第一金属层形成电容的最小单元部件；
36、根据所述单个电容单元的电容值确定所述单个电容单元的图形绘制参数；所述图形绘制参数包括所述第一金属层中形成所述单个电容单元的两个极板间的间距、单个所述极板的长度和宽度；根据所述图形绘制参数、所述第一金属层的层数和所述第一金属层的电容单元的数量，在版图绘制界面上绘制得到所述电容器版图；
37、其中，在所述电容器版图对应为如权利要求3所述的mom电容器的版图时，所述两个极板为所述第一金属层中相邻的两个指状金属，单个所述极板为单个所述指状金属；
38、优选的，所述根据所述期望电容值、所述第一金属层的层数和所述第一金属层的电容单元的数量，确定所述第一金属层的单个电容单元的电容值，包括：
39、将所述第一金属层的层数和所述第一金属层的电容单元的数量之间的乘积，确定为总的电容单元的数量；
40、将所述期望电容值与所述总的电容单元的数量之间的比值，确定为所述第一金属层的单个电容单元的电容值。
41、综上，通过在mom电容器中设置第二金属层，使第二金属层包括与所述第一金属层相同的金属图案，且第一金属层与第二金属层所包括的相同的金属图案在垂直方向上位置对应，使得第二金属层能够屏蔽外界的干扰信号，减少外界的干扰信号对mom电容器的第一金属层产生的干扰，使得mom电容器的电容本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MOM电容器，其特征在于，所述MOM电容器包括多个金属层；
2.如权利要求1所述的MOM电容器，其特征在于，每个所述第二金属层均包括第三金属部分和第四金属部分，所述第三金属部分和所述第四金属部分连接，所述第三金属部分与所述第一金属部分的金属图案相同，且所述第三金属部分位于所述第一金属部分的正上方或正下方；所述第四金属部分与所述第二金属部分的金属图案相同，且所述第四金属部分位于所述第二金属部分的正上方或正下方。
3.如权利要求2所述的MOM电容器，其特征在于，所述第一金属部分和所述第三金属部分均包括第一条状金属以及在垂直于所述第一条状金属的方向上延伸的第一组指状金属；所述第一条状金属与所述第一组指状金属电连接；
4.如权利要求1所述的MOM电容器，其特征在于，相邻两个所述第一金属层在垂直方向上的投影重合。
5.如权利要求1所述的MOM电容器，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层未连接；
6.如权利要求1所述的MOM电容器，其特征在于，所述n个第二金属层连接所述第一电极或所述第二电极；
7.如权利要
8.如权利要求1-7任一项所述的MOM电容器，其特征在于，相邻两个所述第一金属层通过通孔电性连接；
9.如权利要求1-7任一项所述的MOM电容器，其特征在于，
10.一种电容器的版图设计方法，其特征在于，所述方法包括：
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述步骤S100中，所述电容器版图对应为如权利要求3所述的MOM电容器的版图；
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述步骤S100包括：
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述根据所述期望电容值、所述第一金属层的层数和所述第一金属层的电容单元的数量，确定所述第一金属层的单个电容单元的电容值，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种mom电容器，其特征在于，所述mom电容器包括多个金属层；
2.如权利要求1所述的mom电容器，其特征在于，每个所述第二金属层均包括第三金属部分和第四金属部分，所述第三金属部分和所述第四金属部分连接，所述第三金属部分与所述第一金属部分的金属图案相同，且所述第三金属部分位于所述第一金属部分的正上方或正下方；所述第四金属部分与所述第二金属部分的金属图案相同，且所述第四金属部分位于所述第二金属部分的正上方或正下方。
3.如权利要求2所述的mom电容器，其特征在于，所述第一金属部分和所述第三金属部分均包括第一条状金属以及在垂直于所述第一条状金属的方向上延伸的第一组指状金属；所述第一条状金属与所述第一组指状金属电连接；
4.如权利要求1所述的mom电容器，其特征在于，相邻两个所述第一金属层在垂直方向上的投影重合。
5.如权利要求1所述的mom电容器，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层未连接；
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：周佳，梁才劲，张宝月，林静玲，庄泽鑫，王聪，邓洁怡，肖广彬，梁楚阳，
申请(专利权)人：珠海市杰理科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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