System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光刻掩模和包括所述光刻掩模的光刻系统技术方案_技高网

光刻掩模和包括所述光刻掩模的光刻系统技术方案

技术编号:40582961 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-06 17:26
本发明专利技术提供了一种光刻掩模(10),所述光刻掩模(10)包括板(15)或空框架矩阵,所述板(15)或空框架矩阵的表面包括微像素(20)的阵列,其中可使用板上微控制器(25)以使得可用所述微像素(20)的阵列生成图案的方式来独立地控制每个微像素(20)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种光刻掩模和包括所述光刻掩模的光刻系统


技术介绍

1、在光刻领域中,常规光刻掩模通常由透明材料(通常是玻璃)以板的形状制成,该板在板的一些部分上被不透明膜(通常是铬)涂覆。该不透明膜在掩模上的经确定区域处阻挡光,使得光仅透射通过掩模的某些区域。然后,透射光聚焦在期望介质(通常是基板上呈膜形式的光敏抗蚀剂)上以对其进行改变。光刻过程旨在将由掩模上的图案(由玻璃板上的不透明膜形成)形成的图像转移到人们想要改变的基板上的光敏膜。这种转移是通过一组光学透镜或只是通过使掩模与带有光敏膜的基板在物理上接触或接近来完成的。然后,通过溶解经暴露区域(在正性抗蚀剂(positive tone resist)的情况下)或溶解光敏膜的未经暴露区域(在负性抗蚀剂(negative tone resist)的情况下)的过程来对光敏膜进行显影。这致使基板仅在期望区域(光刻掩模的图像)上带有膜。然后,可在后续过程中改变留下的没有膜的基板区域。这是微制造或半导体制造的基本概念。然而,该过程也可用于其他制造过程。因此,光刻是将来自光刻掩模的图案打印到期望基板上。然后,用不同的掩模重复该过程以便改变器件的每个区域,以便制造完整的微器件。

2、每个独特图案需要其独特光刻掩模。这是常规光刻过程的主要缺点,常规光刻过程必须针对每个新图案制作新掩模。

3、图1示出了常规光刻系统的示例。产生遵循光学路径2的光的光源1通过透镜3聚焦到光刻掩模4上。图像从光刻掩模4的透明区域生成,并且随后行进通过光学柱体5中的一系列透镜。在该步骤期间可更改图像的放大率。然后,图像在光学柱体的出口处被投射到基板6的表面上。基板6在其表面处具有光敏膜(光敏光致抗蚀剂)。光敏抗蚀剂的经暴露区被改变。可在后续步骤中对膜进行显影以显示所转移的图案。对准台7允许基板6的对准以将图案转移到基板6上的期望位置。在每次暴露之前对其进行移动。使用光刻装备控制器8来控制光源1和对准台7。有时,系统中不存在光学柱体,并且图像被直接转移到基板6。在这种情况下,掩模与基板6非常接近。

4、图2示出了常规光刻掩模的示例,包括带有不透明膜11和透明区域12的板9。可存在对准标记13,以提供用于将图案对准到基板6上已经存在的现有图案中的特征,或者以在基板6上留下将有助于后续平版印刷术步骤与其对准的标记。使用标有附图标记14的虚线示出了要被转移的图案的区域。

5、一些平版印刷术技术不使用掩模,而是使用扫描束或脉冲束来改变抗蚀剂的期望区域。束可以为光子(光)、电子或离子的束。这通常被称为无掩模平版印刷术。在这些技术中,包括像素的图案坐标的数字化文件提供了在抗蚀剂上直接写入图案而无需中间步骤(例如无需使用漏印板(stencil))的方式。这仅允许人们在抗蚀剂中一次一个像素地生成图案。

6、当前的无掩模平版印刷术过程每一次都需要重复脉冲的序列以便重复相同的图案,并且需要将数字文件转换为物理图案。

7、打印(诸如喷墨打印)也是可将包含图案坐标的数字文件直接转移到基板6上的图案中的方法。


技术实现思路

1、根据本专利技术,提供了一种光刻掩模,该光刻掩模包括板或空框架矩阵,板或空框架矩阵的表面包括微像素的阵列,其中可使用板上微控制器以使得可用微像素的阵列生成图案的方式来独立地控制每个微像素。

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【技术保护点】

1.一种光刻掩模(10),其包括板(15)或空框架矩阵,所述板(15)或空框架矩阵的表面包括微像素(20)的阵列,其中可使用板上微控制器(25)以使得可用所述微像素(20)的阵列生成图案的方式来独立地控制每个微像素(20)。

2.一种光刻掩模(10),其包括:

3.根据权利要求1或2所述的光刻掩模(10),其中所述微控制器(25)可操作地连接到暴露传感器(45),所述暴露传感器用于在暴露期间感测光信号并且向所述微控制器传输信号以通知是否发生所述暴露。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻掩模(10),所述光刻掩模进一步包括通信端口(40),所述通信端口被配置为与通信系统(60)的通信端口(70)进行通信,所述通信系统(60)包括主控制器(65),所述主控制器被配置为向所述板上微控制器(25)发送命令的序列和要生成的所述图案。

5.根据权利要求4所述的光刻掩模(10),其中所述主控制器(65)被配置为按照所述命令的序列使所述光刻掩模(10)的动作与光刻系统的动作同步。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻掩模(10),其中所述光刻掩模(10)的尺寸被确定为在常规光刻系统中进行使用。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)包括定义法布里-珀罗干涉仪的第一膜(115)和第二膜(120),其中所述第一膜(115)和所述第二膜(120)具有比所述板(15)高的折射指数,并且其中可以使得通过所述干涉仪的透射可调节的方式来调节所述第一膜(115)与所述第二膜(120)之间的距离。

8.根据权利要求7所述的光刻掩模(10),其中可使用与排斥铰链相组合的静电致动来改变每个法布里-珀罗干涉仪。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)为当被致动时被横向移动的可致动不透明快门。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)为当被致动时经历偏离平面旋转的可致动不透明快门。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)是MEMS可致动的。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的光刻掩模(10),其中可使用静电致动、压电致动、磁致动、气动致动或双金属热膨胀致动来致动每个微像素(20)。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)的形状为矩形,并且每个微像素的长度和宽度中的每一者为至少约5nm、至少约50nm、至少约500nm、至少约1微米、至少约2微米、或至少约2.5微米和/或至多约500微米、至多约100微米、至多约50微米、至多约20微米、至多约10微米、或至多约5微米。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的光刻掩模(10),其中所述微像素具有相同的长度和宽度,使得每个微像素基本上呈正方形。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素具有约5nm x5nm至约500微米x 500微米之间的尺寸。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素具有1umx1um、2.5um x 2.5um或5um x 5um的尺寸。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的光刻掩模(10),其中所述阵列中的所有微像素具有相同的尺寸。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的光刻掩模(10),其中所述微像素具有与所述阵列中的其他微像素不同和/或相同的尺寸。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的光刻掩模(10),其中可用所述微像素(20)的阵列来生成独特识别图案。

20.根据权利要求19所述的光刻掩模(10),其中所述独特识别图案包括2D矩阵(165)。

21.一种光刻系统,其包括根据权利要求1至20中任一项所述的光刻掩模。

22.一种管芯,其包括使用根据权利要求1至20中任一项所述的光刻掩模产生的独特识别图案。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光刻掩模(10),其包括板(15)或空框架矩阵,所述板(15)或空框架矩阵的表面包括微像素(20)的阵列,其中可使用板上微控制器(25)以使得可用所述微像素(20)的阵列生成图案的方式来独立地控制每个微像素(20)。

2.一种光刻掩模(10),其包括:

3.根据权利要求1或2所述的光刻掩模(10),其中所述微控制器(25)可操作地连接到暴露传感器(45),所述暴露传感器用于在暴露期间感测光信号并且向所述微控制器传输信号以通知是否发生所述暴露。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻掩模(10),所述光刻掩模进一步包括通信端口(40),所述通信端口被配置为与通信系统(60)的通信端口(70)进行通信,所述通信系统(60)包括主控制器(65),所述主控制器被配置为向所述板上微控制器(25)发送命令的序列和要生成的所述图案。

5.根据权利要求4所述的光刻掩模(10),其中所述主控制器(65)被配置为按照所述命令的序列使所述光刻掩模(10)的动作与光刻系统的动作同步。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻掩模(10),其中所述光刻掩模(10)的尺寸被确定为在常规光刻系统中进行使用。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)包括定义法布里-珀罗干涉仪的第一膜(115)和第二膜(120),其中所述第一膜(115)和所述第二膜(120)具有比所述板(15)高的折射指数,并且其中可以使得通过所述干涉仪的透射可调节的方式来调节所述第一膜(115)与所述第二膜(120)之间的距离。

8.根据权利要求7所述的光刻掩模(10),其中可使用与排斥铰链相组合的静电致动来改变每个法布里-珀罗干涉仪。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)为当被致动时被横向移动的可致动不透明快门。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的光刻掩模(10),其中每个微像素(20)为当被致动时经历...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·博德里
申请(专利权)人:数字技术公司
类型:发明
国别省市:

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