【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种发光二极管结构。
技术介绍
1、显示面板广泛应用于日常生活中，其中发光二极管作为显示面板的光源对于显示面板的成像品质具有显著的影响。例如好的成像品质需避免光源发出的光出现非预期的位移而造成显示图案位移等。好的成像品质还需具有良好的显示解析度以因应各种需求的使用。对于不同光型(例如不同色光)既有的光源差异来说，也需针对不同光型进行不同调控，以得到更佳的成像品质(例如更加均匀的显示亮度等)。也就是说，因应各种情况，需要一种发光二极管结构可良好地调控发光二极管发出的光，并解决上述问题。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构。第一发光结构设置在基板上，其中第一发光结构包括第一发光二极管及第一聚焦光学元件，第一聚焦光学元件设置在第一发光二极管上。第二发光结构设置在基板上，其中第二发光结构包括第二发光二极管及第二聚焦光学元件，第二聚焦光学元件设置在第二发光二极管上。第三发光结构设置在基板上，其中第三发光结构包括第三发光二极管及第三聚焦光学元件，第三聚焦光学元件设置在第三发光二极管上。第一发光结构、第二发光结构及第三发光结构沿第一方向排列且在垂直于第一方向的第二方向上错位。
2、在一些实施方式中，第二聚焦光学元件具有平行于第二方向的边缘切线延伸通过第一聚焦光学元件或第三聚焦光学元件。
3、在一些实施方式中，第一发光结构与第二发光结构在第二方向上的投影具有重叠长度为0.1μ
4、在一些实施方式中，第一聚焦光学元件的第一最大宽度为第一发光结构与第二发光结构在第一方向上的间距的1.1倍至2倍。
5、在一些实施方式中，第一聚焦光学元件的第一最大宽度为25μm至50μm，第二聚焦光学元件的第二最大宽度为25μm至50μm，以及第三聚焦光学元件的第三最大宽度为25μm至50μm。
6、在一些实施方式中，第一聚焦光学元件的下表面与第一发光二极管的上表面的第一距离为10μm至150μm，第二聚焦光学元件的下表面与第二发光二极管的上表面的第二距离为10μm至150μm，以及第三聚焦光学元件的下表面与第三发光二极管的上表面的第三距离为10μm至150μm。
7、在一些实施方式中，第一发光二极管、第二发光二极管及第三发光二极管选自由红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管所组成的群组，以及第一发光二极管、第二发光二极管及第三发光二极管的发光颜色不同。
8、本揭示内容也提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板以及至少一第一发光结构。至少一第一发光结构包括至少一第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管、第一蓝色发光二极管及第一聚焦光学元件。至少一第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管在基板上。第一聚焦光学元件完全覆盖在至少一第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管上。
9、在一些实施方式中，至少一第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管的排列方式为四角形排列、三角形排列或直线形排列。
10、在一些实施方式中，至少一第一红色发光二极管的数量为多个，以及至少一第一红色发光二极管位于四角形排列的对角线上。
11、在一些实施方式中，至少一第一红色发光二极管的俯视面积大于第一绿色发光二极管的俯视面积及第一蓝色发光二极管的俯视面积。
12、在一些实施方式中，发光二极管结构更包括至少一第二发光结构在至少一第一发光结构旁边。至少一第二发光结构包括至少一第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管、第二蓝色发光二极管以及第二聚焦光学元件。至少一第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管在基板上。第二聚焦光学元件覆盖在至少一第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管上，其中至少一第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管的第一排列方式不同于至少一第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管的第二排列方式。
13、在一些实施方式中，第一排列方式及第二排列方式分别为第一四角形排列及第二四角形排列，以及至少一第一红色发光二极管及至少一第二红色发光二极管分别位于第一四角形排列及第二四角形排列的对角线上。
14、在一些实施方式中，在俯视下，第一四角形排列与第二四角形排列为左右镜像。
15、在一些实施方式中，第一排列方式及第二排列方式分别为第一三角形排列及第二三角形排列。
16、在一些实施方式中，第二三角形排列为第一三角形排列沿着垂直于基板的方向旋转40°至80°。
17、在一些实施方式中，至少一第一红色发光二极管在基板上的面积大于第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管各自在基板上的面积，以及至少一第二红色发光二极管在基板上的面积大于第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管各自在基板上的面积。
18、在一些实施方式中，至少一第一红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管在基板上沿着第一方向排列，以及至少一第二红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管在基板上沿着不同于第一方向且平行于第一方向的第二方向排列。
19、在一些实施方式中，至少一第一发光结构的数量为多个且在基板上沿着第一方向排列，至少一第二发光结构的数量为多个且在基板上沿着不同于第一方向且平行于第一方向的第二方向排列，第一排列方式为第一直线形排列，以及第二排列方式为第二直线形排列。
20、在一些实施方式中，第一直线形排列与第二直线形排列相反。
21、本揭示内容还提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板以及第一发光结构。第一发光结构包括第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管、第一蓝色发光二极管以及第一聚焦光学元件。第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管在基板上。第一聚焦光学元件覆盖在第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管上，其中第一聚焦光学元件包括具有第一主曲率半径的第一主部分及具有第一副曲率半径的第一副部分，第一副部分位于第一主部分上，以及第一主曲率半径不同于第一副曲率半径。
22、在一些实施方式中，第一主曲率半径大于第一副曲率半径。
23、在一些实施方式中，第一副部分对准第一红色发光二极管、第一绿色发光二极管及第一蓝色发光二极管中的其中一者。
24、在一些实施方式中，发光二极管结构更包括第二发光结构在第一发光结构旁边。第二发光结构包括第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管、第二蓝色发光二极管以及第二聚焦光学元件。第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管在基板上。第二聚焦光学元件覆盖在第二红色发光二极管、第二绿色发光二极管及第二蓝色发光二极管上，其中第二聚焦光学元件包括具有第二主曲率半径的第二主部分及具有第二副曲率半径的第二副部分，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二聚焦光学元件具有平行于该第二方向的一边缘切线延伸通过该第一聚焦光学元件或该第三聚焦光学元件。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一发光结构与该第二发光结构在该第二方向上的投影具有一重叠长度为0.1μm至10μm。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为该第一发光结构与该第二发光结构在该第一方向上的一间距的1.1倍至2倍。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为25μm至50μm，该第二聚焦光学元件的一第二最大宽度为25μm至50μm，以及该第三聚焦光学元件的一第三最大宽度为25μm至50μm。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的下表面与该第一发光二极管的上表面的一第一距离为10μm至150μm，该第二聚焦光学元件的下表面与该第二发光二极管的上表面的一第二
7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管选自由红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管所组成的群组，以及该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管的发光颜色不同。
8.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管、该第一绿色发光二极管及该第一蓝色发光二极管的排列方式为一四角形排列、一三角形排列或一直线形排列。
10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管的数量为多个，以及该至少一第一红色发光二极管位于该四角形排列的对角线上。
11.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管的俯视面积大于该第一绿色发光二极管的俯视面积及该第一蓝色发光二极管的俯视面积。
12.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，更包括：
13.如权利要求12所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一排列方式及该第二排列方式分别为一第一四角形排列及一第二四角形排列，以及该至少一第一红色发光二极管及该至少一第二红色发光二极管分别位于该第一四角形排列及该第二四角形排列的对角线上。
14.如权利要求13所述的发光二极管结构，其特征在于，其中在俯视下，该第一四角形排列与该第二四角形排列为左右镜像。
15.如权利要求12所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一排列方式及该第二排列方式分别为一第一三角形排列及一第二三角形排列。
16.如权利要求15所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二三角形排列为该第一三角形排列沿着垂直于该基板的方向旋转40°至80°。
17.如权利要求12所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管在该基板上的面积大于该第一绿色发光二极管及该第一蓝色发光二极管各自在该基板上的面积，以及该至少一第二红色发光二极管在该基板上的面积大于该第二绿色发光二极管及该第二蓝色发光二极管各自在该基板上的面积。
18.如权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管、该第二绿色发光二极管及该第二蓝色发光二极管在该基板上沿着一第一方向排列，以及该至少一第二红色发光二极管、该第一绿色发光二极管及该第一蓝色发光二极管在该基板上沿着不同于该第一方向且平行于该第一方向的一第二方向排列。
19.如权利要求12所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一发光结构的数量为多个且在该基板上沿着一第一方向排列，该至少一第二发光结构的数量为多个且在该基板上沿着不同于该第一方向且平行于该第一方向的一第二方向排列，该第一排列方式为一第一直线形排列，以及该第二排列方式为一第二直线形排列。
20.如权利要求19所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一直线形排列与该第二直线形排列相反。
21.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
22.如权利要求21所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一主曲率半径大于该第一副曲率半径。
23.如权利要求21所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第二聚焦光学元件具有平行于该第二方向的一边缘切线延伸通过该第一聚焦光学元件或该第三聚焦光学元件。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一发光结构与该第二发光结构在该第二方向上的投影具有一重叠长度为0.1μm至10μm。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为该第一发光结构与该第二发光结构在该第一方向上的一间距的1.1倍至2倍。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为25μm至50μm，该第二聚焦光学元件的一第二最大宽度为25μm至50μm，以及该第三聚焦光学元件的一第三最大宽度为25μm至50μm。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一聚焦光学元件的下表面与该第一发光二极管的上表面的一第一距离为10μm至150μm，该第二聚焦光学元件的下表面与该第二发光二极管的上表面的一第二距离为10μm至150μm，以及该第三聚焦光学元件的下表面与该第三发光二极管的上表面的一第三距离为10μm至150μm。
7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管选自由红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管所组成的群组，以及该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管的发光颜色不同。
8.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管、该第一绿色发光二极管及该第一蓝色发光二极管的排列方式为一四角形排列、一三角形排列或一直线形排列。
10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管的数量为多个，以及该至少一第一红色发光二极管位于该四角形排列的对角线上。
11.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该至少一第一红色发光二极管的俯视面积大于该第一绿色发光二极管的俯视面积及该第一蓝色发光二极管的俯视面积。
12.如权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，更包括：
13.如权利要求12所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该第一排列方式及该第二排列方式分别为一第一四角形排列及一第二四角形排列，以及该至少一第一红色发光二极管及该至少一第二红色发光二极管分别位于该第一四角形排列及该第二四角形排列的对角线上。
14.如权利要求13所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴仰恩，杨子玄，郭俊宏，丘兆仟，黄腾纬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。