发光二极管结构制造技术

技术编号:40580863 阅读:22 留言:0更新日期:2024-03-06 17:23
本揭示内容提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、第一发光结构、第二发光结构及第三发光结构。第一发光结构、第二发光结构及第三发光结构设置在基板上。第一发光结构包括第一发光二极管及第一聚焦光学元件,其中第一聚焦光学元件设置在第一发光二极管上。第二发光结构包括第二发光二极管及第二聚焦光学元件,其中第二聚焦光学元件设置在第二发光二极管上。第三发光结构包括第三发光二极管及第三聚焦光学元件,其中第三聚焦光学元件设置在第三发光二极管上。第一发光结构、第二发光结构及第三发光结构沿第一方向排列且在垂直于第一方向的第二方向上错位。

【技术实现步骤摘要】

本揭示内容是关于一种发光二极管结构


技术介绍

1、显示面板广泛应用于日常生活中,其中发光二极管作为显示面板的光源对于显示面板的成像品质具有显著的影响。例如好的成像品质需避免光源发出的光出现非预期的位移而造成显示图案位移等。好的成像品质还需具有良好的显示解析度以因应各种需求的使用。对于不同光型(例如不同色光)既有的光源差异来说,也需针对不同光型进行不同调控,以得到更佳的成像品质(例如更加均匀的显示亮度等)。也就是说,因应各种情况,需要一种发光二极管结构可良好地调控发光二极管发出的光,并解决上述问题。


技术实现思路

1、本揭示内容提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构。第一发光结构设置在基板上,其中第一发光结构包括第一发光二极管及第一聚焦光学元件,第一聚焦光学元件设置在第一发光二极管上。第二发光结构设置在基板上,其中第二发光结构包括第二发光二极管及第二聚焦光学元件,第二聚焦光学元件设置在第二发光二极管上。第三发光结构设置在基板上,其中第三发光结构包括第三发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第二聚焦光学元件具有平行于该第二方向的一边缘切线延伸通过该第一聚焦光学元件或该第三聚焦光学元件。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一发光结构与该第二发光结构在该第二方向上的投影具有一重叠长度为0.1μm至10μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为该第一发光结构与该第二发光结构在该第一方向上的一间距的1.1倍至2倍。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第二聚焦光学元件具有平行于该第二方向的一边缘切线延伸通过该第一聚焦光学元件或该第三聚焦光学元件。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一发光结构与该第二发光结构在该第二方向上的投影具有一重叠长度为0.1μm至10μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为该第一发光结构与该第二发光结构在该第一方向上的一间距的1.1倍至2倍。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一聚焦光学元件的一第一最大宽度为25μm至50μm,该第二聚焦光学元件的一第二最大宽度为25μm至50μm,以及该第三聚焦光学元件的一第三最大宽度为25μm至50μm。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一聚焦光学元件的下表面与该第一发光二极管的上表面的一第一距离为10μm至150μm,该第二聚焦光学元件的下表面与该第二发光二极管的上表面的一第二距离为10μm至150μm,以及该第三聚焦光学元件的下表面与该第三发光二极管的上表面的一第三距离为10μm至150μm。

7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管选自由红色发光二极管、绿色发光二极管及蓝色发光二极管所组成的群组,以及该第一发光二极管、该第二发光二极管及该第三发光二极管的发光颜色不同。

8.一种发光二极管结构,其特征在于,包括:

9.如权利要求8所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该至少一第一红色发光二极管、该第一绿色发光二极管及该第一蓝色发光二极管的排列方式为一四角形排列、一三角形排列或一直线形排列。

10.如权利要求9所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该至少一第一红色发光二极管的数量为多个,以及该至少一第一红色发光二极管位于该四角形排列的对角线上。

11.如权利要求8所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该至少一第一红色发光二极管的俯视面积大于该第一绿色发光二极管的俯视面积及该第一蓝色发光二极管的俯视面积。

12.如权利要求8所述的发光二极管结构,其特征在于,更包括:

13.如权利要求12所述的发光二极管结构,其特征在于,其中该第一排列方式及该第二排列方式分别为一第一四角形排列及一第二四角形排列,以及该至少一第一红色发光二极管及该至少一第二红色发光二极管分别位于该第一四角形排列及该第二四角形排列的对角线上。

14.如权利要求13所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴仰恩杨子玄郭俊宏丘兆仟黄腾纬
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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