一种电路基板(1)，具备陶瓷基板(10)、形成于上述陶瓷基板(10)的表面的突起电极(20)以及覆盖上述突起电极(20)的侧面(20a)的至少一部分的含有金属氧化物的保护层(30)，上述保护层(30)跨越上述突起电极(20)的侧面(20a)与上述陶瓷基板(10)的表面(10a)的边界b而连续地形成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路基板。
技术介绍
1、作为基板，有在基板安装电子部件并在基板的安装了电子部件的部位的周围具备突起电极的基板。
2、例如，在专利文献1中公开了具备具有电极基体的基板和直接连接于电极基体上的金属柱并在金属柱的周围形成了镀层的电路模块。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2018/168709号
技术实现思路
1、然而，在专利文献1所示的电路模块中，作为突起电极的金属柱与基板的接合性不充分。具体而言，有时金属柱从基板剥离、在金属柱与基板的接合部分产生裂缝。
2、本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供能够提高基板与突起电极的接合性的电路基板。
3、本专利技术的电路基板的特征在于，具备陶瓷基板、形成于上述陶瓷基板的表面的突起电极以及覆盖上述突起电极的侧面的至少一部分的含有金属氧化物的保护层，上述保护层跨越上述突起电极的侧面与上述陶瓷基板的表面的边界而连续地形成。
>4、根据本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电路基板，其特征在于，具备陶瓷基板、形成于所述陶瓷基板的表面的突起电极以及覆盖所述突起电极的侧面的至少一部分的含有金属氧化物的保护层，
2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述保护层的厚度为10μm以上，从所述陶瓷基板的表面起的高度为15μm以上，且对所述突起电极的侧面的被覆率为50％以上。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，所述突起电极的高度为50μm～300μm，且直径为100μm～300μm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电路基板，其中，所述保护层以SiO2为主成分。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电路基板，其特征在于，具备陶瓷基板、形成于所述陶瓷基板的表面的突起电极以及覆盖所述突起电极的侧面的至少一部分的含有金属氧化物的保护层，
2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述保护层的厚度为10μm以上，从所述陶瓷基板的表面起的高度为15μm以上，且对所述突起电极的侧面的被覆率为50％以上。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，所述突起电极的高度为50μm～300μm，且直径为100μm～300μm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电路基板，其中，所述保护层以sio2为主成分。
5.根据权利要求1～...
【专利技术属性】
技术研发人员：石川久美子，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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