一种TOPCon电池制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon电池，包括：硅衬底层、隧穿层、掺杂多晶硅层、硼扩散层、第一电极和第二电极；电池通过将第一掺杂层分为多个掺杂部，并且使多个掺杂部的掺杂浓度依次递增，以降低掺杂多晶硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少掺杂多晶硅层中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增加电池的转换效率，并且还在第一掺杂层中与第二电极的金属化区域对应的位置设置了第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度，以进一步降低第二电极中的与掺杂多晶硅层的接触电阻，从而进一步增加转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种topcon电池。

技术介绍

1、目前现有的太阳能电池，通常会在电池中采用topcon结构和se结构，以提高电池的填充因子，进而提高电池的转化效率，但这种结构的电池由于电极接触区和非电极接触区的浓度是掺杂相同的，会导致电极与掺杂多晶硅层的接触电阻偏大，影响太阳能电池的转化效率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是：提供一种topcon电池，其能够降低电极与掺杂多晶硅层的接触电阻，从而进一步提高电池的转换效率。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种topcon电池，包括：硅衬底层、隧穿层、掺杂多晶硅层、硼扩散层、第一电极和第二电极；所述隧穿层和所述硼扩散层分别设于所述硅衬底层在第一方向的两侧，所述掺杂多晶硅层设于所述隧穿层背离所述硅衬底层的一侧；

3、所述掺杂多晶硅层包括第一掺杂层和设置在所述第一掺杂层中的第二掺杂层，所述第一掺杂层包括多个掺杂部，所述多个掺杂部的掺杂浓度依次递增，且邻近所述隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离所述隧穿层一侧的掺杂浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池，其特征在于，包括：硅衬底层、隧穿层、掺杂多晶硅层、硼扩散层、第一电极和第二电极；

2.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设于所述第一电极和所述硼扩散层之间，所述第二钝化层设于所述第二电极与所述掺杂多晶硅层之间。

3.根据权利要求2所述的TOPCon电池，其特征在于，还包括减反射层，所述减反射层设于所述第一电极和所述第一钝化层之间。

4.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，多个所述掺杂部在所述第一方向上的厚度沿所述第一方向逐渐增加。p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池，其特征在于，包括：硅衬底层、隧穿层、掺杂多晶硅层、硼扩散层、第一电极和第二电极；

2.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设于所述第一电极和所述硼扩散层之间，所述第二钝化层设于所述第二电极与所述掺杂多晶硅层之间。

3.根据权利要求2所述的topcon电池，其特征在于，还包括减反射层，所述减反射层设于所述第一电极和所述第一钝化层之间。

4.根据权利要求1所述的topcon电池，其特征在于，多个所述掺杂部在所述第一方向上的厚度沿所述第一方向逐渐增加。

5.根据权利要求1所述的topcon...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖志远，胡朝冰，刘晓萌，黄立峰，熊敏，
申请(专利权)人：江西沐邦高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：