一种改善二次谐波的介质滤波器制造技术

一种改善二次谐波的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块，该介质块具有作为开放面的上表面、设有信号输入衰减器和信号输出衰减器的电极面；该介质块的上表面与下表面之间设有一排贯通孔，所述贯通孔的轴线彼此平行、并列；所述上表面上围绕各贯通孔的周边分别涂敷有一块局部导电层，每块局部导电层四周均为无涂层区域；所述下表面上围绕部分贯通孔的周边为无涂层区域，该无涂层区域四周为导电层，所述下表面上围绕其余贯通孔的四周为导电层。本发明专利技术对距离通带较远端的频段也具有相对较好的抑制，特别对通带两倍频段的抑制较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种介质滤波器，具体涉及一种装备在移动通信机等的通信装置上的介质滤波器。
技术介绍
现有技术的介质滤波器如图1-3所示。该介质滤波器是由介质材料制成的介质块。此介质块具有上表面、下表面、电极面、接地面和谐振孔。介质块表面有导电材料形成外导体。介质块包含至少两个λ/4同轴谐振孔。谐振孔从上表面延伸到下表面，内壁由导电材料形成内导体。上表面与接地面、电极面相连的区域涂有导电材料，且上表面围绕谐振孔区域的无导电材料，使每个谐振孔内导体与介质块外导体都不连接。下表面由导电材料使谐振孔内导体与外导体连接。电极面由从上表面引出的两个输入输出端口。其他三个面均为接地面。介质滤波器会形成一个通带让需要使用的频段的信号通过。对不需要使用的频段的信号形成抑制，以让其信号不通过。传统介质滤波器在距通带较近的频率有较好的抑制。但是都会形成二次谐波，以致在中心频率两倍频率处抑制很差，甚至形成第二个通带让不需要的信号通过。图3所示的是传统介质滤波器二次谐波的特性曲线图，在距离通带较远端的频段抑制效果较差。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种改善二次谐波的介质滤波器，该介质滤波器对距离通带较远端的频段也具有相对较好的抑制，特别对通带两倍频段的抑制较好。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种改善二次谐波的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块，该介质块具有作为开放面的上表面、设有信号输入衰减器和信号输出衰减器的电极面、涂敷导电层的后侧面、涂敷导电层的左侧面、涂敷导电层的右侧面；该介质块的上表面与下表面之间设有一排贯通孔，所述贯通孔的轴线彼此平行、并列，各贯通孔内壁涂敷内导电层以此构成一排谐振孔；所述上表面上围绕各贯通孔的周边分别涂敷有一块局部导电层，每块局部导电层四周均为无涂层区域，这些无涂层区域相互贯通；所述下表面上围绕部分贯通孔的周边为无涂层区域，该无涂层区域四周为导电层，所述下表面上围绕其余贯通孔的四周为导电层。上述技术方案中的有关内容解释如下：上述方案中，所述上表面的左侧、右侧和后侧边缘处设有周边导电层，该周边导电层与涂敷于左侧面、右侧面和后侧面上的导电层相连接。上述方案中，所述下表面上围绕部分贯通孔的周边的无涂层区域为圆环形。由于上述技术方案运用，本专利技术的有益效果是：-->本专利技术能够对距离通带较远端的频段形成相对较好的抑制。特别对通带两倍频段的抑制较好。传统介质滤波器在距通带较近的频率有较好的抑制。但是都会形成二次谐波，以致在中心频率两倍频率处抑制很差，甚至形成第二个通带让不需要的信号通过。附图说明附图1为传统介质滤波器透视图；附图2为传统介质滤波器下表面俯视图；附图3为传统介质滤波器特性曲线；附图4为本专利技术介质双工器透视图；附图5为本专利技术介质滤波器下表面俯视图；附图6为本专利技术介质滤波器特性曲线。以上附图中：1、介质块，2、上表面，3、信号输入衰减器，4、信号输出衰减器，5、电极面，6、后侧面，7、左侧面，8、右侧面，9、下表面，10、贯通孔，11、局部导电层，12、无涂层区域，13、导电层，14、周边导电层。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述：实施例：一种改善二次谐波的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块1，该介质块1具有作为开放面的上表面2、设有信号输入衰减器3和信号输出衰减器4的电极面5、涂敷导电层的后侧面6、涂敷导电层的左侧面7、涂敷导电层的右侧面8；该介质块1的上表面2与下表面9之间设有一排贯通孔10，所述贯通孔10的轴线彼此平行、并列，各贯通孔10内壁涂敷内导电层以此构成一排谐振孔10；所述上表面2上围绕各贯通孔10的周边分别涂敷有一块局部导电层11，每块局部导电层11四周均为无涂层区域12，这些无涂层区域12相互贯通；所述下表面9上围绕部分贯通孔的周边为无涂层区域12，该无涂层区域12四周为导电层13，所述下表面9上围绕其余贯通孔的四周为导电层13。所述上表面2的左侧、右侧和后侧边缘处设有周边导电层14，该周边导电层14与涂敷于左侧面、右侧面和后侧面上的导电层13相连接。所述下表面9上围绕部分贯通孔的周边的无涂层区域12为圆环形。λ/4谐振孔，介质中计算公式如下：λ＝c/f  得出：fo＝c/λ，L＝λ/4  得出：λ＝4*L，其中c光＝3*108m/s最终得出-->故：λ/4同轴谐振孔fo=75000Er*l]]>λ/2同轴谐振孔。fo=150000Er*l]]>上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善二次谐波的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块（１），该介质块（１）具有作为开放面的上表面（２）、设有信号输入衰减器（３）和信号输出衰减器（４）的电极面（５）、涂敷导电层的后侧面（６）、涂敷导电层的左侧面（７）、涂敷导电层的右侧面（８）；该介质块（１）的上表面（２）与下表面（９）之间设有一排贯通孔（１０），所述贯通孔（１０）的轴线彼此平行、并列，各贯通孔（１０）内壁涂敷内导电层以此构成一排谐振孔（１０）；其特征在于：所述上表面（２）上围绕各贯通孔（１０）的周边分别涂敷有一块局部导电层（１１），每块局部导电层（１１）四周均为无涂层区域（１２），这些无涂层区域（１２）相互贯通；所述下表面（９）上围绕部分贯通孔的周边为无涂层区域（１２），该无涂层区域（１２）四周为导电层（１３），所述下表面（９）上围绕其余贯通孔的四周为导电层（１３）。

【技术特征摘要】
1.一种改善二次谐波的介质滤波器，具有一个由陶瓷材料构成的介质块(1)，该介质块(1)具有作为开放面的上表面(2)、设有信号输入衰减器(3)和信号输出衰减器(4)的电极面(5)、涂敷导电层的后侧面(6)、涂敷导电层的左侧面(7)、涂敷导电层的右侧面(8)；该介质块(1)的上表面(2)与下表面(9)之间设有一排贯通孔(10)，所述贯通孔(10)的轴线彼此平行、并列，各贯通孔(10)内壁涂敷内导电层以此构成一排谐振孔(10)；其特征在于：所述上表面(2)上围绕各贯通孔(10)的周边分别涂敷有一块局部导电层(11)，每块局部导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜南求，陈荣达，谢志东，
申请(专利权)人：苏州艾福电子通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]