【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于磁控溅射，具体涉及一种磁控溅射组合装置及设备。
技术介绍
1、目前,磁控溅射技术由于其优异性能已经成为最重要的沉积镀膜方法之一，具有简单、控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而磁控溅射技术也有其自身的不足，例如在实际生产过程中，靶材利用率较低，只有20％左右；并且镀膜速率较低、冷却时间较长。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种磁控溅射组合装置及设备。
2、一方面，本公开的实施例提供一种磁控溅射组合装置，所述磁控溅射组合装置包括柱状靶材组件和至少一个平面靶材组件；
3、所述柱状靶材组件包括设有中空腔室的旋转靶材以及分设于所述中空腔室内的多个第一磁体；
4、所述平面靶材组件包括两边侧分别设有容置腔室的固定靶材以及设于所述容置腔室内的第二磁体；其中，
5、所述平面靶材组件沿所述柱状靶材组件的周向设置，所述固定靶材的溅射面与所述旋转靶材的溅射面相对应。
6、可选的，所述磁控溅射组合装置包括多个平面靶材组件；
7、所述多个平面靶材组件沿所述柱状靶材组件的周向间隔设置。
8、可选的，所述第一磁体设置为复数数量；
9、各所述第一磁体以所述中空腔室的轴线为中心线，相互对称地分布于所述中空腔室内，以使得各所述第一磁体产生的磁感线面平行于所述旋转靶材的溅射面，以及各所述第一磁体产生的磁感线均匀分布于所述旋转靶材。
10、可选的，
11、四个所述第一磁体的第一磁极和第二磁极分别位于所述旋转靶材沿其轴向的两端，所述第一磁极和所述第二磁极的极性相反。
12、可选的，所述第二磁体包括多个第二子磁体；
13、所述多个第二子磁体沿所述容置腔室的轴向间隔设置，所述多个第二子磁体的轴线平行于所述固定靶材的轴线，以使得各所述第二子磁体产生的磁感线面平行于所述固定靶材的溅射面。
14、可选的，所述第二磁体设置为三个第二子磁体；
15、三个所述第二子磁体的第一磁极和第二磁极分别位于所述固定靶材沿其轴向的两端，所述第二子磁体的第一磁极和第二磁极的极性相反。
16、可选的，所述磁控溅射组合装置还包括冷却体，所述中空腔室内还设有所述冷却体。
17、可选的，所述容置腔室内还设有所述冷却体，所述固定靶材的背面设有用于容纳所述冷却体的冷却腔室。
18、可选的，所述磁控溅射组合装置还包括用于挂设被溅射产品的工作架；
19、所述工作架可旋转地套设于所述柱状靶材组件，所述工作架的旋转方向与所述柱状靶材组件的旋转靶材的旋转方向相反。
20、另一方面，本公开的实施例提供一种磁控溅射设备，包括前文记载的所述的磁控溅射组合装置。
21、本公开的实施例的磁控溅射组合装置及设备，通过所设置的柱状靶材组件和平面靶材组件的组合利用，能够有效提高靶材利用率以及镀膜速率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射组合装置包括柱状靶材组件和至少一个平面靶材组件；
2.根据权利要求1所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射组合装置包括多个平面靶材组件；
3.根据权利要求1所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第一磁体设置为复数数量；
4.根据权利要求3所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第一磁体设置为四个；
5.根据权利要求1至4任一项所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第二磁体包括多个第二子磁体；
6.根据权利要求5所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第二磁体设置为三个第二子磁体；
7.根据权利要求1至4任一项所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射组合装置还包括冷却体，所述中空腔室内还设有所述冷却体。
8.根据权利要求7所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述容置腔室内还设有所述冷却体，所述固定靶材的背面设有用于容纳所述冷却体的冷却腔室。
9.根据权利要求1至4任一项所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射
10.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的磁控溅射组合装置。
...【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射组合装置包括柱状靶材组件和至少一个平面靶材组件；
2.根据权利要求1所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述磁控溅射组合装置包括多个平面靶材组件；
3.根据权利要求1所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第一磁体设置为复数数量；
4.根据权利要求3所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第一磁体设置为四个；
5.根据权利要求1至4任一项所述的磁控溅射组合装置，其特征在于，所述第二磁体包括多个第二子磁体；
6.根据权利要求5所述的磁控溅射组合装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：何锦华，王兢，梁超，秦福林，梁月，
申请(专利权)人：江苏博睿光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。