一种微LED阵列芯片和显示装置制造方法及图纸

技术编号:40566284 阅读:15 留言:0更新日期:2024-03-05 20:51
本技术涉及一种微LED阵列芯片和显示装置,微LED阵列芯片包括第一半导体层发光阵列,上述发光阵列中的每个发光单元包括依次堆叠在上述第一半导体层上的有源层和第二半导体层,且每个上述第二半导体层上设置有一个独立的第一电极;第二电极,设置在上述第一半导体层上,且与上述发光阵列隔开;导电网层,设置在上述发光阵列的发光单元之间的第一半导体层上,且与发光单元隔开,以及与上述第二电极连接。可以避免微LED阵列芯片中,不同区域的发光单元显示不均匀的现象。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示,尤其涉及一种微led阵列芯片和显示装置。


技术介绍

1、当前发光二极管作为新一代绿色光源,已经广泛用于交通指示信号、室内外照明、建筑装饰照明、显示屏背光模组等。led相对于传统光源有许多优点,例如环保无污染、响应时间短、更长的使用寿命、更高的可靠性、更小的体积和更高的亮度等,更重要的是led的节能和更高的效率。发光二极管取代传统光源成为未来照明和显示领域的新一代光源成为必然趋势,而垂直结构led因为具有良好的散热性能和均匀的电流扩展,已成为了led显示领域的研究热点。

2、将垂直结构led应用于显示装置时,以往通过芯片制造工艺在各像素形成p极和n极的两个端子之后,沿信号线的纵横轴进行排列来驱动。在这种情况下,由于担当对微led像素进行信号控制的元件应单独形成在周边区域,因此,微led阵列显示器的尺寸增加,并且沿纵横轴阵列的数据线应通过引线键合与微led像素相连接,因此使该工艺变得复杂且不便。

3、针对上述问题,目前提出一种共用n型半导体层的led阵列芯片,然后将该芯片直接键合至cmos背板上进行驱动,避免了上述问题,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微LED阵列芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的微LED阵列芯片,其特征在于,所述导电网层的电导率大于所述第一半导体层的电导率。

3.如权利要求1所述的微LED阵列芯片,其特征在于,所述导电网层包括至少两条导电线,所述至少两条导电线以平行或者交叉的方式铺设在所述发光单元之间的第一半导体层上,且每条导电线均与所述第二电极连接。

4.如权利要求3所述的微LED阵列芯片,其特征在于,所述导电网层包括N条导电线,所述N条导电线以平行的方式铺设在所述发光单元之间的第一半导体层上,且每两条所述导电线之间具有至少一行或一列所述发光单元。

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【技术特征摘要】

1.一种微led阵列芯片,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的微led阵列芯片,其特征在于,所述导电网层的电导率大于所述第一半导体层的电导率。

3.如权利要求1所述的微led阵列芯片,其特征在于,所述导电网层包括至少两条导电线,所述至少两条导电线以平行或者交叉的方式铺设在所述发光单元之间的第一半导体层上,且每条导电线均与所述第二电极连接。

4.如权利要求3所述的微led阵列芯片,其特征在于,所述导电网层包括n条导电线,所述n条导电线以平行的方式铺设在所述发光单元之间的第一半导体层上,且每两条所述导电线之间具有至少一行或一列所述发光单元。

5.如权利要求3所述的微led阵列芯片,其特征在于,所述导电网层包括n条导电线,所述n条导电线以交叉的...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵世雄马非凡戴广超赵永周陈德伪
申请(专利权)人:重庆康佳光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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