【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、钙钛矿层是钙钛矿太阳电池的重要组成部分，目前，工业化的钙钛矿太阳电池上生产的钙钛矿层主要采用蒸镀沉积-溶液法制备，即先在具有金字塔的基底上蒸镀卤化铅骨架层，而后在卤化铅骨架层上涂布阳离子溶液，通过阳离子溶液扩散至卤化铅骨架层进行反应以形成钙钛矿。
2、然而，蒸镀沉积的卤化铅骨架层的致密较高，随着卤化铅骨架层的厚度越高，阳离子溶液难以扩散至金字塔基底的谷底，导致谷底的碘化铅反应不完全，容易出现较多碘化铅剩余，这种低导电性的碘化铅从而导致界面电荷传输受阻，器件效率低下。
技术实现思路
1、为了解决钙钛矿层中出现碘化铅剩余的问题，本专利技术公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件。
2、第一方面，本专利技术实施例提供一种钙钛矿太阳电池。
3、所述钙钛矿太阳电池包括：
4、基底，所述基底的表面为绒面结构，所述绒面结构具有谷尖和谷底；
5、钙...
【技术保护点】
1.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述绒面结构为金字塔结构，填充于所述谷底中的所述第一钙钛矿子层具有倒置的金字塔形状，所述第二钙钛矿子层包括交替连接的尖峰部和平整部，所述尖峰部对应位于所述谷尖的上方，且所述尖峰部与所述谷尖的形状匹配，所述平整部对应位于所述第一钙钛矿子层的上方。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述第一钙钛矿子层的厚度为100nm～1000nm，所述第二钙钛矿子层的厚度为400nm～1000nm。
4.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池包括：
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述绒面结构为金字塔结构，填充于所述谷底中的所述第一钙钛矿子层具有倒置的金字塔形状，所述第二钙钛矿子层包括交替连接的尖峰部和平整部，所述尖峰部对应位于所述谷尖的上方，且所述尖峰部与所述谷尖的形状匹配，所述平整部对应位于所述第一钙钛矿子层的上方。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述第一钙钛矿子层的厚度为100nm～1000nm，所述第二钙钛矿子层的厚度为400nm～1000nm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述卤化铅骨架层交替连接的尖骨架部和平骨架部，所述尖骨架部对应位于所述谷尖的上方，且所述尖骨架部与所述谷尖的形状匹配，所述平骨架部对应位于所述第一钙钛矿子层的上方；和/或，所述卤化铅骨架层的厚度为350nm～800nm。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：第一钙钛矿子层为faxma1-xpb(iybr1-y)3，其中所述x＝0～1，所述y＝0～1。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池呈n-i-p或p-i-n结构，当所述钙钛矿太阳电池呈n-i-p结构时，所述第一钙钛矿子层的带隙为1.72ev～2.3ev，所述第二钙钛矿子层的带隙为1.63ev～1.72ev，所述第一钙钛矿子层的带隙大于所述第二钙钛矿子层的带隙；当所述钙钛矿太阳电池呈p-i-n结构时，所述第一钙钛矿子层的带隙为1.2ev～1.63ev，所述第二钙钛矿子层的带隙为1.63ev～1.72ev，所述第一钙钛矿子层的带隙小于所述第二钙钛矿子层的带隙。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池为钙钛矿硅叠层太阳电池，所述基底包括制绒硅底电池及依次堆叠于所述制绒硅底电池上的复合层、第一传输层，所述钙钛矿层堆叠于所述第一传输层表面，所述钙钛矿太阳电池还包括：
8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述制绒硅底电池包括发射极钝化和背面接触电池、隧穿氧化层钝化接触电池、异质结电池、异质结背接触晶硅电池和隧穿氧化层钝化背接触电池中的一种或者多种；和/或，
9.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述复合层的厚度为10nm～30nm；和/或，
10.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳电池还包括：
11.根据权利要求10所述的钙钛矿太阳电池，其特征在于：所述空穴修饰层的材料包括2pacz、4pacz、meo-2pacz和meo-4pacz中的一种或者多种；和/或，
12.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张一峰，邢国强，龙巍，胡逾超，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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