【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及图像传感器的设计，且特定来说，涉及使用电相位检测来改进其自动聚焦的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器已经变得无处不在。它们广泛使用于数码静态相机、蜂窝电话、监控相机以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续快速发展。例如，对更高图像传感器分辨率及更低功耗的需求促使图像传感器进一步小型化并集成到数字装置中。
2、在一些应用中，图像传感器的自动聚焦依赖于参与相位检测自动聚焦(pdaf)的专用像素群组。已知，可通过对照射在像素的光电二极管上的光的差分屏蔽来实现自动聚焦。即，选择光电二极管(pd)使用光屏蔽结构来屏蔽光，而其相邻pd缺乏光屏蔽结构，从而导致作为pdaf的基础的不均匀照明。接下来，比较邻近光电二极管(经光学屏蔽及未经光学屏蔽)的数字输出以执行自动聚焦。
3、然而，此类差分屏蔽结构的制造受到工艺变化的影响。实际上，半屏蔽像素难以制造，可导致缺陷，需要优化，在中心/边缘像素之间产生差异等。因此，仍然需要能够提供改进的自动聚焦同时限制工艺变化的系统及方法。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供一种图像传感器，其包括：多个像素，其以安置在半导体材料中的像素阵列的行及列布置，其中每一像素包括多个子像素，所述多个子像素经配置以接收穿过半导体材料的照明表面的入射光，其中所述多个像素包括至少一个自动聚焦相位检测(pdaf)像素，所述自动聚焦相位检测(pdaf)像素包括：没有光屏蔽的第一子像素及没有所述光屏蔽的第二子像素，其中所述图像传
2、另一方面，本公开进一步提供一种用于操作图像传感器的计算机实施的方法，所述方法包括：将图像传感器的至少一部分暴露于入射电磁辐射，所述图像传感器包括：多个像素，其以安置在半导体材料中的像素阵列的行及列布置，其中每一像素包括多个光电二极管，所述多个光电二极管经配置以接收穿过半导体材料的照明表面的入射光，其中所述多个像素包括至少一个自动聚焦相位检测(pdaf)像素，所述自动聚焦相位检测(pdaf)像素包括：没有光屏蔽的第一子像素及没有所述光屏蔽的第二子像素，其中所述图像传感器的自动聚焦至少部分地基于所述第一子像素及所述第二子像素的不同电输出来确定。
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1.一种图像传感器，其包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二子像素包含光电二极管，并且其中所述第一子像素不包含所述光电二极管。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述TX的栅极连接到像素供应电压PIXVD来将所述TX设置为所述永久接通状态。
5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久断开状态来模拟所述光屏蔽。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述TX的栅极连接到电接地来将所述TX设置为所述永久断开状态。
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第二子像素包括浅阱，所述浅阱经配置以通过金属化层将所述第二子像素的所述光电二极管与像素供应电压PIXVD电连
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一子像素不包含所述浅阱。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一及第二子像素各自包含光电二极管。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述TX的栅极连接到像素供应电压PIXVD来将所述TX设置为所述永久接通状态。
12.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久断开状态来模拟所述光屏蔽。
13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述TX的栅极连接到电接地来将所述TX设置为所述永久断开状态。
14.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素包括第一浅阱，所述第一浅阱经配置以通过电耦合到所述第一子像素的转移栅极晶体管TX的第一金属化层将所述第一子像素的所述光电二极管与所述像素供应电压PIXVD电连接；并且所述第二子像素包括第二浅阱，所述第二浅阱经配置以通过电耦合到所述第二子像素的所述转移栅极晶体管TX的第二金属化层将所述第二子像素的所述光电二极管与像素供应电压PIXVD电连接。
15.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素包括：
16.根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
17.根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述接触件是金属跳线。
18.根据权利要求15所述的图像传感器，其中所述接触件是重掺杂半导体。
19.一种用于操作图像传感器的计算机实施方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的计算机实施方法，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
21.根据权利要求19所述的计算机实施方法，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管TX设置为永久断开状态来模拟所述光屏蔽。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二子像素包含光电二极管，并且其中所述第一子像素不包含所述光电二极管。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管tx设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述tx的栅极连接到像素供应电压pixvd来将所述tx设置为所述永久接通状态。
5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管tx设置为永久断开状态来模拟所述光屏蔽。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述tx的栅极连接到电接地来将所述tx设置为所述永久断开状态。
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第二子像素包括浅阱，所述浅阱经配置以通过金属化层将所述第二子像素的所述光电二极管与像素供应电压pixvd电连接。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一子像素不包含所述浅阱。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一及第二子像素各自包含光电二极管。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述第一子像素经配置以通过在所述图像传感器的操作期间将转移栅极晶体管tx设置为永久接通状态来模拟所述光屏蔽。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中在所述图像传感器的操作期间，通过将所述第一子像素的所述tx的栅极连接到像素供应电压pixvd来将所述tx设置为所述永久接通状态。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣友，熊志伟，V·瓦乃兹艾，Z·林，李相柱，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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