全桥同步电流采样装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种全桥同步电流采样装置，包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，全桥电路包括第一、第二、第三、第四晶体管和第一电流互感器，第一和第二晶体管串联，第三和第四晶体管串联，第一电流互感器一端设置在第一和第二晶体管之间，另一端设置在第三和第四晶体管之间，输入电容包括第一电容和第二电容，并联设置在电源输入端Vin和电源输入端PGND之间，互感器单元包括第二和第三电流互感器，第二电流互感器与第二晶体管连接，第三电流互感器与第四晶体管连接，电阻单元包括第一、第二和第三电阻，第三电阻与第二和第三电流互感器连接，驱动芯片与全桥电路和同步采样单元连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种全桥同步电流采样装置。

技术介绍

1、传统的全桥拓扑电流采样，电流互感器通常设置在vin网络上，是一种高边采样方式。在这种方式下，只能使用一个电流互感器，这将使得大功率下互感器通过电流大，难以选型；并且，互感器次级需要二极管防反，二极管压降三温下变化较大，导致限流点偏移。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供了一种全桥同步电流采样装置，能够解决上述现有技术中的问题。

2、本专利技术的技术解决方案：一种全桥同步电流采样装置，其中，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管va、第二晶体管vb、第三晶体管vc、第四晶体管vd和第一电流互感器t1a，所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb串联，所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd串联，所述第一电流互感器t1a的一端设置在所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb之间，另一端设置在所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd之间，所述输入电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全桥同步电流采样装置，其特征在于，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管VA、第二晶体管VB、第三晶体管VC、第四晶体管VD和第一电流互感器T1A，所述第一晶体管VA和所述第二晶体管VB串联，所述第三晶体管VC和所述第四晶体管VD串联，所述第一电流互感器T1A的一端设置在所述第一晶体管VA和所述第二晶体管VB之间，另一端设置在所述第三晶体管VC和所述第四晶体管VD之间，所述输入电容包括第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1和所述第二电容C2并联设置在电源输入端Vin和电源输入端PGND之间，所述互感器单元包...

【技术特征摘要】

1.一种全桥同步电流采样装置，其特征在于，该装置包括全桥电路、输入电容单元、互感器单元、电阻单元、驱动芯片和同步采样单元，所述全桥电路包括第一晶体管va、第二晶体管vb、第三晶体管vc、第四晶体管vd和第一电流互感器t1a，所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb串联，所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd串联，所述第一电流互感器t1a的一端设置在所述第一晶体管va和所述第二晶体管vb之间，另一端设置在所述第三晶体管vc和所述第四晶体管vd之间，所述输入电容包括第一电容c1和第二电容c2，所述第一电容c1和所述第二电容c2并联设置在电源输入端vin和电源输入端pgnd之间，所述互感器单元包括第二电流互感器t2和第三电流互感器t3，所述第二电流互感器t2与所述第二晶体管vb连接，所述第三电流互感器t3与所述第四晶体管vd连接，所述电阻单元包括第一电阻r1、第二电阻r2和第三电阻r3，所述第三电阻r3与所述第二电流互感器t2和所述第三电流互感器t3连接，所述驱动芯片与所述全桥电路连接，所述同步采样单元与所述驱动芯片连接，所述同步采样单元包括第一同步采样晶体管ve1和第二同步采样晶体管ve2，所述第一电阻r1与所述第一同步采样晶体管ve1并联，所述第二电阻r2与第二同步采样晶体管ve2。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一晶体管va和所述第四晶体管vd导通而所述第二晶体管vb和所述第三晶体管vc关断的情况下，功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈睿，赵振江，靳本豪，刘金路，
申请(专利权)人：航天科工惯性技术有限公司，
类型：发明
国别省市：