【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于废水处理，具体涉及一种集成电路剥离液废水处理系统及方法，尤其适用于集成电路制造领域。
技术介绍
1、集成电路生产工艺中，在刻蚀工序完成之后，通常将硅片浸泡在化学溶液中，使光刻胶膨胀从而从硅片表面去除。光刻胶主要成分是丙二醇单甲醚乙酸酯和酚醛树脂类衍生物，光刻胶稀释剂主要成分是丙二醇单甲醚乙酸酯和丙二醇单甲醚。采用的化学去胶剂主要成分有硫酸、以乙二醇胺为主的链烷醇胺、二甲基亚砜(dmso)和双氧水(h2o2)。剥离液废水具有强酸性，含有双氧水、以含胺为主的多种有机物，废水成分复杂，胺类有机物有毒性，不宜生物降解，当前没有好的处理方法，通常是将剥离液废水作为危废委外进行处理。
2、因此，针对上述技术问题，本领域的技术人员亟需研发一种对剥离液废水降解效率高、系统构成简单、反应时间短、占地面积小、对环境无二次污染、且便于工业化大规模推广和应用的处理系统及方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种对集成电路剥离液废水降解效率高、系统构成简单、反应时间短、占地面积小、对环境无二次污染、且便于工业化大规模推广和应用的处理系统及方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术的集成电路剥离液废水处理系统，该废水处理系统按照工艺流程依次包括：
4、原水池，所述原水池接收剥离液废水，进行水量的调节；
5、位于所述原水池下游、并与所述原水池连接的调节池，所述调节池调节剥离液废水的ph；
6、位于所述调节池下游、并与所述调节池连接的有机物降解池，所述有机物降解池接收所述调节池的出水并进行有机物降解处理；
7、位于所述有机物降解池下游、并与所述有机物降解池连接的h2o2去除池，所述h2o2去除池接收所述有机物降解池出水并进行h2o2去除；
8、以及，位于所述h2o2去除池下游、并与所述h2o2去除池连接的bardenpho处理系统；所述bardenpho处理系统接收所述h2o2去除池的出水并进行化学需氧量去除和生物脱氮处理。
9、进一步的，该废水处理系统还包括原水池，所述原水池位于所述调节池的上游、并与所述调节池连接，所述原水池存储待处理的剥离液废水，所述调节池接收原水池排出的剥离液废水。
10、进一步的，通过向调节池内投加naoh调节剥离液废水的ph至6-8。
11、进一步的，所述有机物降解池接收所述调节池的出水并进行有机物降解处理的方式为：
12、有机物降解池内设置碳基材料；
13、并向连接调节池和有机物降解池的管道内投加氧化剂。
14、更进一步的，所述碳基材料为活性炭颗粒或生物活性炭颗粒；
15、更进一步的，所述氧化剂为o3、过一硫酸盐(pms)和过二硫酸盐(pds)中的一种或多种，投加总量为1-40mg/l；
16、又更进一步的，所述氧化剂为o3和pms，o3和pms同时投加，o3投加量为1-20mg/l，pms投加量为1-20mg/l。
17、进一步的，所述h2o2去除池内设置锰砂；
18、进一步的，所述bardenpho处理系统包括顺次连接的第一缺氧池、第一好氧池、第二缺氧池、第二好氧池和沉淀池；
19、更进一步的，向连接h2o2去除池和第一缺氧池的管道内投加hcl或naoh，将h2o2去除池出水的ph调整为7-7.5后进入第一缺氧池；
20、更进一步的，所述第一好氧池的一部分混合液回流到第一缺氧池；
21、更进一步的，所述沉淀池的一部分污泥回流到第一缺氧池，另一部分作为剩余污泥排出废水处理系统。
22、本专利技术还公开了一种集成电路剥离液废水处理方法，该废水处理方法基于如上所述的集成电路剥离液的废水处理系统，包括以下步骤：
23、s101、剥离液废水进入原水池，原水池调节剥离液废水的水量；
24、s102、原水池出水进入调节池，调节池调节剥离液废水的ph；
25、s103、调节池的出水进入有机物降解池，有机物降解池对调节池的出水进行有机物降解处理；
26、s104、有机物降解池的出水进入h2o2去除池，h2o2去除池对有机物降解池的出水进行h2o2去除；
27、s105、h2o2去除池的出水进入bardenpho处理系统，bardenpho处理系统对h2o2去除池的出水进行化学需氧量去除和生物脱氮处理。
28、进一步的，所述s102中，向调节池内投加naoh调节剥离液废水的ph。
29、进一步的，所述s103中，向连接调节池和有机物降解池的管道内投加氧化剂，并令调节池的出水进入有机物降解池进行有机物降解处理。
30、进一步的，所述s105中，bardenpho处理系统包括顺次连接的第一缺氧池、第一好氧池、第二缺氧池、第二好氧池和沉淀池，s105的步骤为：
31、s1051、向连接h2o2去除池和第一缺氧池的管道内投加hcl或naoh，令h2o2去除池的出水进入第一缺氧池；
32、s1052、第一缺氧池的出水进入第一好氧池；
33、s1053、第一好氧池的出水进入第二缺氧池；
34、s1054、第二缺氧池的出水进入第二好氧池；
35、s1055、第二好氧池的出水进入沉淀池，沉淀池一部分污泥回流到第一缺氧池，另一部分作为剩余污泥排出废水处理系统。
36、在上述技术方案中，本专利技术提供的一种集成电路剥离液废水处理系统及方法降解链烷醇胺类有机物的原理为：
37、在剥离液废水进入有机物降解池(内设置碳基材料)前向管道内投加氧化剂。碳基材料表面的锯齿形边缘、表面缺陷及离域的π电子具有较高的反应活性，同时碳基材料表面的含氧官能团基、羟基和羧基等能与氧化剂结合，进而促进氧化剂产生自由基。在生成自由基的同时，含氧官能团本身被氧化为亚稳态，并接着被另外的氧化剂还原。对于生物活性炭，由于其在制备过程中前体物的不完全热分解，因此会产生一些以氧或碳为中心的持久性自由基，而这些自由基可以作为电子供体，通过电子转移的方式活化氧化剂生成自由基。
38、过硫酸盐包括过一硫酸盐pms(hso5-)和过二硫酸盐pds(s2o82-)，过硫酸盐含有o-o键，属于h2o2的衍生物。碳基材料表面的含氧官能团基能与过硫酸盐结合，促进过硫酸盐的o-o键的断裂产生过硫酸根自由基so4-·。
39、当o3吸附到碳基材料表面时，其原子构型和电子分布的骨架结构、表面官能团、结构缺陷等活性点位可引发o3分解产生羟基自由基、超氧自由基、和单线态氧。
40、有机物降解池中，碳基材料催化氧化剂(o3、pms、pds中的一种或多种)，产生羟基自由基和/或过硫酸根自由基，过硫酸盐自由基对胺类有机物分子中的n-h化合键具有更高的氧化效率，羟基自由基对除n-h化合键外的化合键具有更好本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，该废水处理系统按照工艺流程依次包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，通过向调节池(2)内投加NaOH调节剥离液废水的pH至6-8。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述有机物降解池(3)接收所述调节池(2)的出水并进行有机物降解处理的方式为：
4.根据权利要求3所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述氧化剂为O3和过一硫酸盐，O3和过一硫酸盐同时投加，O3投加量为1-20mg/L，过一硫酸盐投加量为1-20mg/L。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述H2O2去除池(4)内设置锰砂。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述Bardenpho处理系统包括顺次连接的第一缺氧池(5)、第一好氧池(6)、第二缺氧池(7)、第二好氧池(8)和沉淀池(9)。
7.根据权利要求6所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其
8.采用权利要求1-7任何一项所述的废水处理系统对集成电路剥离液废水进行处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的对集成电路剥离液废水进行处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，该废水处理系统按照工艺流程依次包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，通过向调节池(2)内投加naoh调节剥离液废水的ph至6-8。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述有机物降解池(3)接收所述调节池(2)的出水并进行有机物降解处理的方式为：
4.根据权利要求3所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述氧化剂为o3和过一硫酸盐，o3和过一硫酸盐同时投加，o3投加量为1-20mg/l，过一硫酸盐投加量为1-20mg/l。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路剥离液废水处理系统，其特征在于，所述h2o2去...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘澈，王鹏，李锦生，王凌旭，康彦涛，
申请(专利权)人：世源科技工程有限公司，
类型：发明
国别省市：
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