【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅片加工的，尤其涉及一种硅片的表面处理方法。
技术介绍
1、硅片的制造过程中会造成很多位置出现缺陷，部分缺陷可以通过吸杂工艺进行处理达到合格的要求，增加硅片的成品率，进而降低成本，提升整体的经济性，同时硅片也能够朝着硅片薄片化的方向发展。
2、硅片的生产环节中，由于硅片在切割时可能会产生脏污层，脏污层包括可溶性或者流动性的切割液硅粉等等，该脏污层的存在可能会对于后续吸杂效果产生阻碍作用，而现有技术中对切割后的硅片处理通常是直接使用强碱性的溶液进行碱洗，虽然部分杂质能够去除，但是也会生成部分不溶性的产物，例如硅酸盐等，导致硅酸盐附着在硅片表面，需要进行进一步地去除，影响硅片吸杂前的生产效率，甚至影响后续吸杂工艺的效果。
技术实现思路
1、本申请提供了一种硅片的表面处理方法，以解决现有技术中的硅片在切割过程中容易产生脏污层，影响硅片吸杂前的生产效率的问题。
2、本申请提供了一种硅片的表面处理方法，包括如下步骤：
3、s10，使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，去除所述硅片表面的脏污层；
4、s20，使用碱性溶液进行所述硅片表面的第二次清洗，去除所述硅片表面存在的损伤层；
5、s30，使用纯水进行所述硅片表面的第三次清洗，去除所述硅片表面残留的杂质；
6、s40，干燥所述硅片；
7、s50，进行所述硅片的表面的吸杂工艺。
8、根据本申请的一些实施例，所述碱性溶液为包含碱性物质
9、根据本申请的一些实施例，所述碱性溶液的过氧化氢的浓度为0.3％至2％。
10、根据本申请的一些实施例，所述清洗液为第一清洁剂和第二清洁剂的混合物，所述第一清洁剂包括表面活性剂和第一助洗剂，所述第二清洁剂包括碱性物质和第二助洗剂。
11、根据本申请的一些实施例，所述表面活性剂包括聚氧乙烯醚、碳酸钠以及二甘醇。
12、根据本申请的一些实施例，所述第一助洗剂包括抗坏血酸，所述第二助洗剂包括葡萄糖酸钠和偏硅酸钠。
13、根据本申请的一些实施例，所述使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，还包括，控制清洗环境的温度在45℃至55℃之间。
14、根据本申请的一些实施例，所述干燥所述硅片还包括：
15、s41，加热洁净空气；
16、s42，持续将所述洁净空气通向所述硅片的表面。
17、根据本申请的一些实施例，所述进行所述硅片的表面的吸杂工艺还包括：
18、s51，在所述硅片的表面涂覆磷源；
19、s52，向热处理炉中通入保护性气氛；
20、s53，将所述硅片放入所述热处理炉中进行磷吸杂处理。
21、根据本申请的一些实施例，所述磷源为三氯氧磷、三甲基磷、三乙基磷、五氧化二磷以及二乙基氢化磷中的一种或多种，所述保护性气氛为氮气气氛或惰性气体气氛，所述热处理炉的温度在800℃至900℃之间。
22、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
23、本申请实施例提供的一种硅片的表面处理方法，包括如下步骤：使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，去除硅片表面的脏污层；使用碱性溶液进行硅片表面的第二次清洗，去除硅片表面存在的损伤层；使用纯水进行硅片表面的第三次清洗，去除硅片表面残留的杂质；干燥硅片；进行硅片的表面的吸杂工艺。通过增加清洗剂清洗的步骤使得脏污层被清理掉，避免了后续的碱洗去除损伤层时，出现碱性的不溶性杂质，导致后续的清洗过程需要增加酸洗过程进行去除，不仅增加了处理工序，还增加了试剂的使用成本，甚至会影响后续的吸杂效果。本申请有效地解决了现有技术中硅片在切割过程中容易产生脏污层，影响硅片吸杂前的生产效率的问题。
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1.一种硅片的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述碱性溶液为包含碱性物质与过氧化氢的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述碱性溶液的过氧化氢的浓度为0.3％至2％。
4.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述清洗液为第一清洁剂和第二清洁剂的混合物，所述第一清洁剂包括表面活性剂和第一助洗剂，所述第二清洁剂包括碱性物质和第二助洗剂。
5.根据权利要求4所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述表面活性剂包括聚氧乙烯醚、碳酸钠以及二甘醇。
6.根据权利要求5所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述第一助洗剂包括抗坏血酸，所述第二助洗剂包括葡萄糖酸钠和偏硅酸钠。
7.根据权利要求6所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述使用清洗液对切割后的硅片表面进行第一次清洗，还包括，控制清洗环境的温度在45℃至55℃之间。
8.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述干燥所述硅片还
9.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述进行所述硅片的表面的吸杂工艺还包括：
10.根据权利要求9所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述磷源为三氯氧磷、三甲基磷、三乙基磷、五氧化二磷以及二乙基氢化磷中的一种或多种，所述保护性气氛为氮气气氛或惰性气体气氛，所述热处理炉的温度在800℃至900℃之间。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述碱性溶液为包含碱性物质与过氧化氢的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述碱性溶液的过氧化氢的浓度为0.3％至2％。
4.根据权利要求1所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述清洗液为第一清洁剂和第二清洁剂的混合物，所述第一清洁剂包括表面活性剂和第一助洗剂，所述第二清洁剂包括碱性物质和第二助洗剂。
5.根据权利要求4所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所述表面活性剂包括聚氧乙烯醚、碳酸钠以及二甘醇。
6.根据权利要求5所述的硅片的表面处理方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵旺，张娟宁，齐成天，杨正文，杨凯文，
申请(专利权)人：安徽清电硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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