【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及医疗器械，尤其涉及一种半桥mos管快速通断的驱动电路。
技术介绍
1、高频手术系统因为相对于传统手术器械的优势，在临床医疗领域，被广泛使用，如何充分实现设备的功能，其中最核心的功放电路起着重要的作用，作为功放电路的高频驱动电路已经成为一个重要的难点。
2、传统的驱动方式比较多样，主要是通过变压器隔离驱动，这种在常规的半桥、全桥mos管功放电路中，基本上能够满足要求，但存在以下缺陷：
3、1、变压器驱动方式因其自身感性器件本身特性会限制mos管的通断速度，从而导致mos管发热严重，长期处于高温环境中，无形中会影响器件的使用寿命，造成高频设备输出不稳定，易损坏。
4、2、高频手术设备效果是通过高电压或高电流来可通过多个mos管并管实现，但mos管驱动能力不足会导致并管难以实现，造成这些“某些术式”根本无法实现，限制了设备的应用扩展功能。
5、mos管在导通和断开两种状态时，自身的功耗是最低的，也是固定的，在导通切换至断开状态与断开切换至导通状态的过程中，功耗最大，发热最严重。当mos管温度达到100℃时，所能承受的最大工作电流只有常温的3/4左右。因此减小mos管切换动作时间，可以有效降低mos管产热。
6、传统的半桥mos管驱动方式一般采用变压器进行驱动信号耦合使相位相差180°的方式进行驱动，但该种驱动方式因变压器感性元器件自身磁感阻碍的特性，会存在信号延迟、变形、受干扰丢失的情况，从而会导致mos管发生切换动作延时、时间长、误触发的问题。
>技术实现思路
1、本专利技术为解决所要解决的技术问题是：针对变压器驱动方式会限制mos管通断速度的缺陷，提出了一种半桥mos管快速通断的驱动电路，解决mos管快速驱动问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提出一种半桥mos管快速通断的驱动电路。
3、采取的技术方案如下：
4、一种半桥mos管快速通断的驱动电路，包括一组互补的驱动信号，分别为上管驱动信号和下管驱动信号；下管驱动信号直接输入给下管驱动芯片，经过下管驱动芯片产生半桥mos下管的驱动信号，进而驱动后级半桥mos下管；上管驱动信号经过隔离芯片输入给上管驱动芯片，经过上管驱动芯片产生半桥mos上管的驱动信号，进而驱动后级半桥mos上管。
5、本专利技术技术方案，采用芯片直接驱动mos管的驱动方式，解决了变压器驱动方式存在的动作延时、时间长、误触发的问题，本专利技术的驱动电路依据所选驱动芯片自身性能，可将驱动信号传播延迟缩减到50ns以内。
6、对本专利技术技术方案的进一步优选，一组互补的驱动信号由微处理器或专用pwm芯片产生。
7、对本专利技术技术方案的进一步优选，半桥mos下管的驱动信号和半桥mos上管的驱动信号，分别经过栅极驱动电路，驱动半桥mos下管和半桥mos上管。
8、对本专利技术技术方案的进一步优选，半桥mos下管的驱动信号，经过栅极驱动电路，驱动半桥mos下管。
9、栅极驱动电路的目的：使mos管栅极、源极之间的余电压快速放电，以加速mos管关断动作。原因：mos管因本身栅极、源极之间存在内部结电容，驱动信号输入mos管使执行导通动作，相当于对内部结电容充电，当驱动信号关断时，结电容会存在余电导致mos管延迟关断，通过设置栅极驱动电路形成mos管结电容的余电泄放回路，使mos管加速关断。
10、对本专利技术技术方案的进一步优选，上管驱动芯片设置自举供电回路。通过自举供电的方式给u2芯片进行供电，减少外部供电回路。
11、对本专利技术技术方案的进一步优选，在下管驱动芯片与半桥mos下管之间以及在上管驱动芯片与半桥mos上管之间均设置退保和检测电路。
12、退保和检测电路的目的：检测mos管是工作状态，当mos管处于短路或过流时，关断mos驱动信号。原因：当发生短路或过流时，mos管的漏极电流会增加到一个很高的值，从而使mos管退出饱和状态，当mos管退出饱和状态时，u2、u3芯片关闭驱动信号输出。
13、对本专利技术技术方案的进一步优选，下管驱动芯片和上管驱动芯片之间添加二极管，使驱动芯片和上管驱动芯片的驱动电路故障检测的反馈信号合并为一个信号输出。反馈信号合并为一个信号输出的目的：缩减处理器信号接收回路，该反馈信号合并后，任意一个mos管发生故障都会反馈故障信号至处理器；原因：mos管作用于半桥式电路时，一般以当做整体对待，损坏任意一个mos管电路都无法正常运行，因此故障反馈信号只需一个信号回路。
14、本专利技术与现有技术相比具有的有益效果：
15、1、本专利技术半桥mos管快速通断的驱动电路，通过降低mos管开关损耗，以此来解决mos管发热的问题，从而使各器件工作在一定裕量范围内，工作稳定，功放电路功率输出不受mos管和驱动芯片技术限制，同时能够提高输出电流来改变使用效果。
16、2、本专利技术半桥mos管快速通断的驱动电路，可以快速有效驱动mos管进行通断动作，减少mos管通断损耗，降低发热量，增加器件使用寿命，可以完成各种术式要求功能。
17、3、本专利技术半桥mos管快速通断的驱动电路，使用相对简单以及成熟的电路方案，不会带来不可接受风险，易于推广应用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半桥MOS管快速通断的驱动电路，包括一组互补的驱动信号，分别为上管驱动信号和下管驱动信号；其特征在于，下管驱动信号直接输入给下管驱动芯片，经过下管驱动芯片产生半桥MOS下管的驱动信号，进而驱动后级半桥MOS下管；上管驱动信号经过隔离芯片输入给上管驱动芯片，经过上管驱动芯片产生半桥MOS上管的驱动信号，进而驱动后级半桥MOS上管。
2.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电路，其特征在于，所述一组互补的驱动信号由微处理器或专用PWM芯片产生。
3.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电路，其特征在于，半桥MOS下管的驱动信号和半桥MOS上管的驱动信号，分别经过栅极驱动电路，驱动半桥MOS下管和半桥MOS上管。
4.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电路，其特征在于，半桥MOS下管的驱动信号，经过栅极驱动电路，驱动半桥MOS下管。
5.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电路，其特征在于，所述上管驱动芯片设置自举供电回路。
6.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电
7.根据权利要求1所述的半桥MOS管快速通断的驱动电路，其特征在于，下管驱动芯片和上管驱动芯片之间添加二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种半桥mos管快速通断的驱动电路，包括一组互补的驱动信号，分别为上管驱动信号和下管驱动信号；其特征在于，下管驱动信号直接输入给下管驱动芯片，经过下管驱动芯片产生半桥mos下管的驱动信号，进而驱动后级半桥mos下管；上管驱动信号经过隔离芯片输入给上管驱动芯片，经过上管驱动芯片产生半桥mos上管的驱动信号，进而驱动后级半桥mos上管。
2.根据权利要求1所述的半桥mos管快速通断的驱动电路，其特征在于，所述一组互补的驱动信号由微处理器或专用pwm芯片产生。
3.根据权利要求1所述的半桥mos管快速通断的驱动电路，其特征在于，半桥mos下管的驱动信号和半桥mos上管的驱动信号，分别经...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜为，王世兵，郑亮亮，
申请(专利权)人：南京亿高医疗科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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