【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属散热材料制造领域,尤其涉及b22f3/00领域,更具体涉及一种高导热wcu薄片及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着通讯和集成电路领域的快速发展,越来越多的电子设备也应运而生。尤其是高功耗电子设备,热流密度很大内部元件的排列紧凑,长时间运行过程中会产生的大量热能,若不能及时将热能传递出去,将导致设备的电子芯片工作效率下降,还会出现热故障,短路甚至火灾等隐患,因此高性能的散热材料在电子设备中的应用越来越广泛,对于散热材料的厚度、密度、气密性、导热性等方面性能的要求越来越高。wcu(钨铜)复合材料具有良好的导热、导电性,主要是由高熔点、高硬度、低膨胀的钨组分和高导电高导热的铜组分复配组成,wcu复合材料可以通过改变钨和铜的比例调整热导率和热膨胀系数,目前广泛用作散热材料,具有与硅、砷化镓及陶瓷材料等基体相匹配的热膨胀系数,因此不同组分、厚度及致密度的高性能wcu材料开发至关重要。目前钨铜薄片或板材的传统生产工艺大多采用模压成型或冷等静压成型,其成型出的生坯尺寸受限于模具大小,且厚度大于3mm较厚,需进一步再进行cnc(计
...【技术保护点】
1.一种高导热WCu薄片的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高导热WCu薄片的制备方法,其特征在于,所述的S1步骤中钨粉的纯度不小于99.95%,石墨烯铜粉为石墨烯铜粉膜的形式,石墨烯铜粉膜的厚度为3~20nm,石墨烯结构为正六边形结构。
3.根据权利要求2所述的高导热WCu薄片的制备方法,其特征在于,所述的钨粉和石墨烯铜粉的质量比为(50-90):(10-50)。
4.根据权利要求1所述的高导热WCu薄片的制备方法,其特征在于,所述的S3步骤中水浴加热的温度为80~100℃,水浴加热的时间为0.5~
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【技术特征摘要】
1.一种高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于,所述的s1步骤中钨粉的纯度不小于99.95%,石墨烯铜粉为石墨烯铜粉膜的形式,石墨烯铜粉膜的厚度为3~20nm,石墨烯结构为正六边形结构。
3.根据权利要求2所述的高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于,所述的钨粉和石墨烯铜粉的质量比为(50-90):(10-50)。
4.根据权利要求1所述的高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于,所述的s3步骤中水浴加热的温度为80~100℃,水浴加热的时间为0.5~2h。
5.根据权利要求1所述的高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于,所述的筛网的目数为20~200目中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的高导热wcu薄片的制备方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭春艳,王东宇,唐星,孙海燕,薛慧勤,刘文迪,李邦怿,
申请(专利权)人:上海六晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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