【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏太阳能领域，尤其涉及一种电池制备方法中的烧结工艺。
技术介绍
1、在光伏太阳能领域，以topcon电池为代表的钝化接触电池由于具有更高的效率极限而逐渐成为研发的主流。与其他类型的电池相比，topcon技术通过在电池背面制备一层超薄氧化硅，再沉积一层掺杂硅薄层，从而共同形成一种钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，可提升电池的开路电压和填充因子，大幅提高光伏的转换率。但是，topcon电池工艺中，背面自由载流子的吸收问题是进一步提升效率的痛点。现有技术中，由于背面poly过薄容易导致烧穿，所以往往将poly做厚，一般厚度需达到在100nm以上以匹配烧结工艺，但poly层过厚会增加自由载流子的吸收，也会导致成本的上升。因此，如何进一步提高电池的效率仍是当前需要探索和解决的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术中的问题，本申请提供了一种双面电池的制备方法，针对正负电极浆料的烧结步骤进行改进，有效改善电池效率。本申请具体技术方案如下：
2、本申请涉及一种电池的制备方法，其中包括如下步骤：
3、电池基体制备步骤，其包括对硅片进行钝化处理，
4、电极制备及烧结步骤，其包括在钝化处理后的所述电池基体上先后制备电池的两极并在不同温度下分别进行烧结，即得到所述电池。
5、进一步的，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
6、进一步的
7、硅片双面制绒步骤，其对硅片的双面进行制绒；
8、硅片正面扩散掺杂步骤，其对经制绒后的硅片的正面进行扩散掺杂；
9、硅片背面去绕镀并形成钝化层步骤，其在经扩散掺杂后的硅片的背面上形成钝化层；
10、硅片双面镀膜步骤，其在形成钝化层后的硅片的两面制备减反射层或保护层。
11、进一步的，所述电极制备及烧结步骤包括：
12、硅片正面印刷丝网步骤，其在经钝化处理后的硅片的正面印刷丝网；
13、硅片正面高温烧结步骤，其对正面印刷丝网后的硅片的正面进行高温烧结；
14、硅片背面印刷丝网步骤，其在进行高温烧结后的硅片的背面印刷丝网；
15、硅片背面低温烧结步骤，其对背面印刷丝网后的硅片的背面进行低温烧结。
16、进一步的，所述硅片正面高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5分钟。
17、进一步的，所述硅片背面低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5分钟。
18、进一步的，所述硅片正面扩散掺杂为硼掺杂或磷掺杂。
19、进一步的，所述硅片背面形成钝化层包括在硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，进一步还包括在沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层后进行晶化退火。
20、进一步的，所述隧穿氧化层厚度为1～2nm。
21、进一步的，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～130nm，进一步优选为15～50nm。
22、进一步的，所述晶化退火的退火温度为700～940℃，退火时间为40～150min。
23、进一步的，所述制备方法中，还包括在所述硅片双面镀膜步骤前对正面去除绕镀的步骤，进一步还包括清除双面的氧化层的步骤。
24、进一步的，所述硅片双面镀膜步骤包括在硅片正面沉积氧化铝层，并对双面分别镀氮化硅层。
25、进一步的，本申请中所述硅片为n型单晶硅片或p型单晶硅片。
26、本申请还涉及一种电池，其是通过本申请所述的制备方法制备得到的。
27、进一步的，所述电池为双面电池。进一步优选的，所述电池为topcon电池。
28、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够使得本申请的技术手段更加清楚明白，达到本领域技术人员可依照说明书的内容予以实施的程度，并且为了能够让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，下面以本申请的具体实施方式进行举例说明。
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1.一种电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，所述电池基体制备步骤包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片正面高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5分钟。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片背面低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5分钟。
7.根据权利要求3～6中任一项所述所述的制备方法，其中，所述硅片正面扩散掺杂为硼掺杂或磷掺杂。
8.根据权利要求3～6中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片背面形成钝化层包括在硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，进一步还包括在沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层后进行晶化退火。
9.根据
10.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～130nm，优选为15～50nm。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述晶化退火的退火温度为700～940℃，退火时间为40～150min。
12.根据权利要求3～11中任一项所述的制备方法，其中还包括，在所述硅片双面镀膜步骤前对正面去除绕镀的步骤，进一步还包括清除双面的氧化层的步骤。
13.根据权利要求3～12中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片双面镀膜步骤包括在硅片正面沉积氧化铝层，并对双面分别镀氮化硅层。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片。
15.一种电池，其是通过权利要求1～14中任一项所述的制备方法制备得到的，优选的，所述电池为双面电池，进一步优选的，所述电池为TOPCon电池。
...【技术特征摘要】
1.一种电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，所述电池基体制备步骤包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片正面高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5分钟。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片背面低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5分钟。
7.根据权利要求3～6中任一项所述所述的制备方法，其中，所述硅片正面扩散掺杂为硼掺杂或磷掺杂。
8.根据权利要求3～6中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片背面形成钝化层包括在硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，进一步还包括在沉积隧穿氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：张显生，罗烨栋，唐海，陈浩，白雪飞，邵启智，曹丽，郭英英，杨青沚，
申请(专利权)人：新疆中部合盛硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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