【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及cmos图像传感器，尤其涉及一种比较器、读出电路及cmos图像传感器。
技术介绍
1、随着cmos图像传感器像素的增加，读出电路将大规模增加，这将导致cmos图像传感器的功耗急剧增。而读出电路的功耗主要来源于比较器，若降低比较器的功耗，将导致比较器的传输时延增加，因此，随着cmos图像传感器像素的增加，降低比较器的功耗迫在眉睫。
2、因此，有必要提供一种新型的比较器、读出电路及cmos图像传感器以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种比较器、读出电路及cmos图像传感器，以在不增加比较器传输时延的前提下，降低功耗。
2、为实现上述目的，本专利技术的所述比较器，包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域。
3、所述比较器的有益效果在于：比较器包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域，在不增加比较器传输时延的前提下，降低了比较器的功耗。
4、可选地，所述反馈电路包括第一级比较器反馈电路，所述比较器功能电路包括第一级比较器功能电路，所述第一级比较器反馈电路用于实现所述第一级比较器功能电路的反馈控制。
5、可选地，所述第一级比较器反馈电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管，所述第
6、可选地，所述第一级比较器功能电路包括第六pmos管、第七pmos管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管，所述第六pmos管的源极和所述第七pmos管的源极均接模拟电路电源电压，所述第六pmos管的漏极与所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极连接，所述第一nmos管的源极与所述第三nmos管的漏极和所述第二nmos管的源极连接，所述第一nmos管的漏极作为所述比较器的第一输入端，所述第三nmos管的源极接地，所述第三nmos管的栅极接第一偏置电压，所述第七pmos管的漏极与所述第五pmos管的漏极、所述第二nmos管的漏极连接，所述第二nmos管的栅极作为所述比较器的第二输入端。
7、可选地，所述反馈电路还包括第二级比较器反馈电路，所述比较器功能电路还包括第二级比较器功能电路，所述第二级比较器反馈电路用于实现所述第二级比较器功能电路的反馈控制。
8、可选地，所述第二比较器反馈电路包括第四nmos管、或非门和与非门，所述第四nmos管的栅极接数字电路电源电压，所述第四nmos管的源极与所述或非门的第一输入端、所述与非门的输出端连接，所述或非门的第二输入端接反馈控制信号，所述或非门的输出端与所述与非门的第一输入端连接，作为所述比较器的输出端，所述与非门的第二输入端接复位控制信号。
9、可选地，所述第二级比较器功能电路包括第八pmos管和第五nmos管，所述第八pmos管的源极接模拟电路电源电压，所述第八pmos管的栅极与所述第一级比较器功能电路的输出端连接，所述第八pmos管的漏极与所述第四nmos管的漏极连接，所述第五nmos管的漏极与所述第四nmos管的源极连接，所述第五nmos管的源极接地，所述第五nmos管的栅极接复位控制信号。
10、本专利技术还提供了一种读出电路，包括所述比较器。其有益效果在于：包括所述比较器，所述比较器包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域，在不增加比较器传输时延的前提下，降低了比较器的功耗，进而降低了所述读出电路的功耗。
11、本专利技术还提供了一种cmos图像传感器，包括所述读出电路。其有益效果在于：cmos图像传感器包括所述读出电路，所述读出电路包括所述比较器，所述比较器包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域，在不增加比较器传输时延的前提下，降低了比较器的功耗，进而降低了所述cmos图像传感器的功耗，。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种比较器，其特征在于，包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域。
2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述反馈电路包括第一级比较器反馈电路，所述比较器功能电路包括第一级比较器功能电路，所述第一级比较器反馈电路用于实现所述第一级比较器功能电路的反馈控制。
3.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述第一级比较器反馈电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管，所述第一PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极均接模拟电路电源电压，所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极接反馈控制信号。
4.根据权利要求3所述
5.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述反馈电路还包括第二级比较器反馈电路，所述比较器功能电路还包括第二级比较器功能电路，所述第二级比较器反馈电路用于实现所述第二级比较器功能电路的反馈控制。
6.根据权利要求5所述的比较器，其特征在于，所述第二比较器反馈电路包括第四NMOS管、或非门和与非门，所述第四NMOS管的栅极接数字电路电源电压，所述第四NMOS管的源极与所述或非门的第一输入端、所述与非门的输出端连接，所述或非门的第二输入端接反馈控制信号，所述或非门的输出端与所述与非门的第一输入端连接，作为所述比较器的输出端，所述与非门的第二输入端接复位控制信号。
7.根据权利要求6所述的比较器，其特征在于，所述第二级比较器功能电路包括第八PMOS管和第五NMOS管，所述第八PMOS管的源极接模拟电路电源电压，所述第八PMOS管的栅极与所述第一级比较器功能电路的输出端连接，所述第八PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极接复位控制信号。
8.一种读出电路，其特征在于，包括如权利要求1～7任意一项所述的比较器。
9.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括如权利要求8所述的读出电路。
...【技术特征摘要】
1.一种比较器，其特征在于，包括比较器功能电路和反馈电路，所述比较器功能电路用于实现数据比较，所述反馈电路用于使所述比较器功能电路工作于亚阈值区域。
2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述反馈电路包括第一级比较器反馈电路，所述比较器功能电路包括第一级比较器功能电路，所述第一级比较器反馈电路用于实现所述第一级比较器功能电路的反馈控制。
3.根据权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述第一级比较器反馈电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管和第五pmos管，所述第一pmos管的源极、所述第三pmos管的源极和所述第五pmos管的源极均接模拟电路电源电压，所述第一pmos管的栅极与所述第一pmos管的漏极、所述第二pmos管的漏极、所述第四pmos管的栅极连接，所述第五pmos管的栅极与所述第五pmos管的漏极、所述第四pmos管的漏极、所述第二pmos管的栅极连接，所述第三pmos管的漏极与所述第二pmos管的源极和所述第四pmos管的源极连接，所述第三pmos管的栅极接反馈控制信号。
4.根据权利要求3所述的比较器，其特征在于，所述第一级比较器功能电路包括第六pmos管、第七pmos管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管，所述第六pmos管的源极和所述第七pmos管的源极均接模拟电路电源电压，所述第六pmos管的漏极与所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极连接，所述第一nmos管的源极与所述第三nmos管的漏极和所述第二nmos管的源极连接，所述第一nmos管的漏极作为所述比较...
【专利技术属性】
技术研发人员：高菊，蔡化，陈飞，陈正，夏天，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。