System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光装置、电子设备和电子装置制造方法及图纸_技高网

发光装置、电子设备和电子装置制造方法及图纸

技术编号:40551472 阅读:8 留言:0更新日期:2024-03-05 19:10
实施例提供了发光装置、电子设备和电子装置。所述发光装置包括:第一电极;第二电极,面对所述第一电极;中间层,在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层;以及由式1表示的有机金属化合物,其中,在说明书中对式1进行说明:[式1]

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及有机金属化合物、包括有机金属化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。


技术介绍

1、与本领域的装置相比,在多种发光装置之中,有机发光装置是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的自发射装置。

2、在示例中,有机发光装置可以具有其中第一电极布置在基底上并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极顺序地形成在第一电极上的结构。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态,由此产生光。

3、应当理解,该
技术介绍
部分旨在部分地提供用于理解该技术的有用背景。然而,该
技术介绍
部分还可以包括不作为相关领域的技术人员在本文中公开的主题的相应有效提交日之前已知或理解的内容的一部分的想法、概念或认识。


技术实现思路

1、实施例包括具有低驱动电压、优异的亮度和优异的发光效率的有机金属化合物、包括有机金属化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。

2、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地根据描述将是明显的,或者可以通过实施例的实践来获知。

3、根据实施例,发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层以及由式1表示的有机金属化合物:

4、[式1]

5、

6、在式1中,</p>

7、m可以为铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、银(ag)或铜(cu),

8、环cy1可以为含氮的c1-c30杂环基,

9、环cy5可以为包括至少一个氧原子作为成环原子的c1-c30杂环基,

10、环cy1和环cy5可以彼此稠合,

11、环cy2至环cy4可以各自独立地为c5-c30碳环基或c1-c30杂环基,

12、x12和x13可以各自独立地为c或n,

13、x14可以为c,

14、x14与m之间的键可以为配位键,cy1的n与m之间的键可以为配位键,x12与m之间的键可以为共价键,并且x13与m之间的键可以为共价键,

15、由m、cy1、l1和cy2形成的环金属化环可以为含氮的6元环,

16、l1和l3可以各自独立地为单键、*-c(r6)(r7)-*'、*-c(r6)=*'、*=c(r6)-*'、*-c(r6)=c(r7)-*'、*-c(=o)-*'、*-c(=s)-*'、*-c≡c-*'、*-b(r6)-*'、*-n(r6)-*'、*-o-*'、*-p(r6)-*'、*-si(r6)(r7)-*'、*-p(=o)(r6)-*'、*-s-*'、*-s(=o)-*'、*-s(=o)2-*'或*-ge(r6)(r7)-*',

17、l2可以为*-c(r8)(r9)-*',

18、*和*'各自指示与相邻原子的结合位点,

19、n2和n3可以各自独立地为1至5的整数,

20、r1至r9可以各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60烯基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c2-c60炔基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60烷氧基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c3-c60碳环基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c1-c60杂环基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳氧基、未被取代的或被至少一个r10a取代的c6-c60芳硫基、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2),

21、a1至a5可以各自独立地为0至10的整数,

22、r10a可以为:

23、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基;

24、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基,各自为未被取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(=o)(q11)、-s(=o)2(q11)、-p(=o)(q11)(q12)或它们的任何组合取代;

25、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基或c2-c60杂芳烷基,各自为未被取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c2-c60杂芳烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(=o)(q21)、-s(=o)2(q21)、-p(=o)(q21)(q22)或它们的任何组合取代;或

26、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(=o)(q31)、-s(=o)2(q31)或-p(=o)(q31)(q32),并且

27、q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可以各自独立地为:氢;氘;-f;-cl;-br;-i;羟基;氰基;硝基;或者c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基或c1-c60杂环基,各自为未被取代的或者被氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

28、在实施例中,所述第一电极可以为阳极;所述第二电极可以为阴极;所述中间层还可以包括:在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区,所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合,并且所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。

29、在实施例中,所述发射层可以包括所述有机金属化合物。

30、在实施例中,所述中间层可以包括:第一化合物,是由式1表示的所述有机金属化合物;以及包含至少一个缺π电子的含氮的c1-c60环状基的第二化合物、包含由式3表示的基团的第三化合物、作为延迟荧光化合物的第四化合物、或它们的任何组合,其中,所述第一化合物、所述第二化合物、所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光装置,其中,所述发光装置包括:

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述发射层包括所述有机金属化合物。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

6.根据权利要求5所述的发光装置,其中,所述主体包括至少一种含硅的化合物。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

8.一种电子设备,其中,所述电子设备包括根据权利要求1所述的发光装置。

9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述电子设备还包括:

10.一种电子装置,其中,所述电子装置包括根据权利要求1所述的发光装置,其中,

【技术特征摘要】

1.一种发光装置,其中,所述发光装置包括:

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述发射层包括所述有机金属化合物。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

6.根据权利要求5所述的发光装置,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:李银永姜一俊高秀秉申秀珍全美那朱真熙
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1