【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法。
技术介绍
1、qml（qualified manufacturer listing，合格制造厂目录）体系的作用是通过规范产品的承制商的设计加工过程以使其具备生产满足军用可靠性产品的能力。qml认证的对象是产品及其承制商，qml更多关注的是对与产品实现相关的“模块”进行能力认证，对于封测生产线来说，该“模块”就是封装、检测。产品通过鉴定检验后，厂商、产品均被列入qml。封测的qml认证引导承制商更多关注封测的实现全过程，对封测的工艺能力提出了更高要求，有利于促进军用集成电路封测可靠性设计技术的发展。在封测的qml体系中，可靠性一定程度上是设计出来的，通过封测的可靠性评价试验的设计，激发出早期失效模式或潜在的工艺失效模式，在工艺水平、材料特性改进提高的基础上，提高了封测生产线的可靠性水平，以生产出高可靠性的军用超大规模集成电路。
2、其中，键合引线是集成电路芯片互连中最重要的技术之一，提供芯片与基板间引脚的互连；通过压电换能器产生的超声振动和键合工具压力的作用，将引线(金丝或铝丝)键合到芯片底端焊盘上，从而将芯片与基板的电路连接在一起的技术。键合点质量的好坏将直接影响集成电路芯片的性能。然而,目前的可靠性分析评价方法中,缺乏对键合引线进行准确有效的可靠性分析的方法。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，解决了现有技术中存在的缺乏对键合引线进行准确有效的可靠性分析的方法的问
2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：
3、第一方面，本申请提供了一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，包括：
4、提供键合引线焊点样品；
5、将所述键合引线焊点样品进行第一组试验,所述第一组试验包括高温储存试验,以使得所述键合引线焊点样品内形成金铝化合物层；
6、将所述第一组试验后的键合引线焊点样品进行第二组试验,所述第二组试验包括剖面分析,并基于剖面分析的结果对金铝键合引线工艺进行可靠性评估。
7、本申请的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法中，解决了现有技术中存在的缺乏对键合引线进行准确有效的可靠性分析的方法的问题，实现了对金铝键合引线工艺可靠性的全面评价，为金铝键合引线在寿命周期内可靠工作，进而保证电路和系统在寿命周期内可靠工作提供支持和保障。
8、在其中一个实施例中，所述第一组试验还包括外部目检；所述第二组试验还包括内部水汽含量试验及键合强度试验。
9、在其中一个实施例中，所述键合引线焊点样品包括铝焊盘及位于铝焊盘表面的金焊球；所述高温储存试验后,所述金铝化合物层形成于所述铝焊盘与所述金焊球之间。
10、在其中一个实施例中，将所述第一组试验后的键合引线焊点样品进行剖面分析包括：
11、去除所述焊球；
12、对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品；
13、对所述切割样品进行剖面分析。
14、在其中一个实施例中，所述对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品，包括：
15、于所述焊球的边缘选定一参考点；
16、选定第一切割位置，并于所述第一切割位置对所述金铝化合物层进行第一次切割，以得到第一切割样品；
17、选定第二切割位置，并于所述第二切割位置对所述金铝化合物层进行第二次切割，以得到第二切割样品；
18、选定第三切割位置，并于所述第三切割位置对所述金铝化合物层进行第三次切割，以得到第三切割样品；所述第一切割位置、所述第二切割位置及所述第三切割位置至所述参考点的距离互不相同。
19、在其中一个实施例中，所述第一切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的1/3；所述第二切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的1/2；所述第三切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的2/3。
20、在其中一个实施例中，将所述第一组试验后的键合引线焊点样品进行剖面分析包括：
21、自所述焊球的边缘对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品；
22、对所述切割样品进行剖面分析。
23、在其中一个实施例中，可以采用金刚石带锯或金刚石轮锯对所述金铝化合物层进行剖面切割。
24、在其中一个实施例中，对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品之后，对所述切割样品进行剖面分析之前，还包括：对所述切割样品的切割面进行研磨及抛光。
25、在一些实施例中，所述高温储存试验的温度为100℃~150℃；所述高温储存试验的时间为900h~1100h。
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1.一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述第一组试验还包括外部目检；所述第二组试验还包括内部水汽含量试验及键合强度试验。
3.根据权利要求1所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述键合引线焊点样品包括铝焊盘及位于铝焊盘表面的金焊球;所述高温储存试验后,所述金铝化合物层形成于所述铝焊盘与所述金焊球之间。
4.根据权利要求3所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，将所述第一组试验后的键合引线焊点样品进行剖面分析包括：
5.根据权利要求4所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品，包括：
6.根据权利要求5所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述第一切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的1/3；所述第二切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的1/2；所述第三切割位置与所述参考点的距离为所述焊球直径的2/3。
7.根
8.根据权利要求4至7中任一项所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，可以采用金刚石带锯或金刚石轮锯对所述金铝化合物层进行剖面切割。
9.根据权利要求8所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品之后，对所述切割样品进行剖面分析之前，还包括：对所述切割样品的切割面进行研磨及抛光。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述高温储存试验的温度为100℃~150℃；所述高温储存试验的时间为900h~1100h。
...【技术特征摘要】
1.一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述第一组试验还包括外部目检；所述第二组试验还包括内部水汽含量试验及键合强度试验。
3.根据权利要求1所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述键合引线焊点样品包括铝焊盘及位于铝焊盘表面的金焊球;所述高温储存试验后,所述金铝化合物层形成于所述铝焊盘与所述金焊球之间。
4.根据权利要求3所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，将所述第一组试验后的键合引线焊点样品进行剖面分析包括：
5.根据权利要求4所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述对所述金铝化合物层进行剖面切割，以得到切割样品，包括：
6.根据权利要求5所述的金铝键合引线工艺的可靠性评价方法，其特征在于，所述第一切割位置与所述参考点的距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员：章晓文，林晓玲，高汭，韦拢，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：
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