光阻膜及其应用制造技术

技术编号：40549283 阅读：7 留言：0更新日期：2024-03-05 19:07

本发明专利技术提供一种光阻膜及其应用。该光阻膜具有一单位为微米的厚度T，且该光阻膜以紫外光‑可见光光谱术测定时，对波长405纳米的光具有吸光度A405nm，对波长436纳米的光具有吸光度A436nm，其中0<A405nm/T≦0.006且0<A436nm/T≦0.005，且该厚度T为60微米至600微米。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种光阻膜，尤其关于一种高厚度光阻膜，以及该光阻膜的应用。

技术介绍

1、光阻膜根据曝光显影后的变化，分为正型光阻膜以及负型光阻膜。正型光阻膜在曝光之后，受到光照的部分在显影时将溶解，显影后留下未受曝光部分的图案。负型光阻膜在曝光之后，未受到光照的部分在显影时将溶解，显影后留下受曝光部分的图案。

2、在印刷电路板(pcb)产业中，必须利用光阻膜来进行蚀刻或电镀程序，以形成电路图案。由于电子元件越来越复杂，体积渐大，印刷电路板产业对于具有高深宽比的厚光阻膜需求逐渐增加。然而，既有光阻膜在曝光及显影后仍无法稳定地形成高精度光阻图案，常伴随光阻截面轮廓(photoresist profile)不佳，甚至存在明显底脚(footing)的情形，影响后续蚀刻或电镀加工的精准度，因此仍亟待改良。

技术实现思路

1、有鉴于上述技术问题，本专利技术旨在提供一种曝光后光阻截面轮廓良好的光阻膜，可实现高精准度蚀刻或电镀加工。

2、因此，本专利技术的一目的在于提供一种光阻膜，其具有一单位为微米的厚度t，且该光阻膜以紫外光-可见光光谱术(ultraviolet-visible spectroscopy)测定时，对波长405纳米的光具有吸光度a405nm，对波长436纳米的光具有吸光度a436nm，其中0＜a405nm/t≤0.006且0＜a436nm/t≤0.005，且该厚度t为60微米至600微米。

3、于本专利技术的部分实施方案中，该光阻膜以紫外光-可见

4、于本专利技术的部分实施方案中，该紫外光-可见光光谱术利用紫外光-可见光分光光度计于以下条件下进行：光阻膜以垂直于入射光源方向的方式放置；配置绕射光栅(diffraction grating)作为分光器；测试温度为25℃；测试压力为1大气压；分析模式为吸光度(absorbance)；扫描波长范围为190纳米至1100纳米；空白样品为空气；扫描速度为2200纳米/分钟；由氘灯切换至钨丝灯的灯源切换波长为340.8纳米；取样间距为0.2纳米；以及狭缝宽度(slit width)为2.0纳米。

5、于本专利技术的部分实施方案中，该光阻膜是负型光阻膜。

6、于本专利技术的部分实施方案中，0＜a405nm/t≤0.002且0＜a436nm/t≤0.001。

7、于本专利技术的部分实施方案中，该光阻膜包含：(a)碱溶性聚合物；(b)含乙烯性不饱和双键化合物；以及(c)光聚合起始剂。

8、于本专利技术的部分实施方案中，该含乙烯性不饱和双键化合物(b)包含双官能丙烯酸系化合物。

9、于本专利技术的部分实施方案中，以该含乙烯性不饱和双键化合物(b)的总重量计，该双官能丙烯酸系化合物的含量为60重量％以上。

10、本专利技术的另一目的在于提供一种复合膜，其包含：如上所述的光阻膜，以及形成于该光阻膜的至少一表面上的保护膜。

11、于本专利技术的部分实施方案中，该保护膜选自以下群组：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚烯烃膜及前述的复合物。

12、为使本专利技术的上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以部分具体实施方案进行详细说明。

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【技术保护点】

1.一种光阻膜，其特征在于，其具有一单位为微米的厚度T，且该光阻膜以紫外光-可见光光谱术测定时，对波长405纳米的光具有吸光度A405nm，对波长436纳米的光具有吸光度A436nm，其中0<A405nm/T≦0.006且0<A436nm/T≦0.005，且该厚度T为60微米至600微米。

2.如权利要求1所述的光阻膜，其特征在于，该光阻膜以紫外光-可见光光谱术测定时，还对波长365纳米的光具有吸光度A365nm，其中0<A365nm/T≦0.010。

3.如权利要求1或2所述的光阻膜，其特征在于，该紫外光-可见光光谱术利用紫外光-可见光分光光度计于以下条件下进行：光阻膜以垂直于入射光源方向的方式放置；配置绕射光栅作为分光器；测试温度为25℃；测试压力为1大气压；分析模式为吸光度；扫描波长范围为190纳米至1100纳米；空白样品为空气；扫描速度为2200纳米/分钟；由氘灯切换至钨丝灯的灯源切换波长为340.8纳米；取样间距为0.2纳米；以及狭缝宽度为2.0纳米。

4.如权利要求1或2所述的光阻膜，其特征在于，其是负型光阻膜。</p>

5.如权利要求1或2所述的光阻膜，其特征在于，0<A405nm/T≦0.002且0<A436nm/T≦0.001。

6.如权利要求1或2所述的光阻膜，其特征在于，其包含：

7.如权利要求6所述的光阻膜，其特征在于，该含乙烯性不饱和双键化合物(B)包含双官能丙烯酸系化合物。

8.如权利要求7所述的光阻膜，其特征在于，以该含乙烯性不饱和双键化合物(B)的总重量计，该双官能丙烯酸系化合物的含量为60重量％以上。

9.一种复合膜，其特征在于，其包含：

10.如权利要求9所述的复合膜，其特征在于，该保护膜选自以下群组：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚烯烃膜及前述的复合物。

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【技术特征摘要】

1.一种光阻膜，其特征在于，其具有一单位为微米的厚度t，且该光阻膜以紫外光-可见光光谱术测定时，对波长405纳米的光具有吸光度a405nm，对波长436纳米的光具有吸光度a436nm，其中0<a405nm/t≦0.006且0<a436nm/t≦0.005，且该厚度t为60微米至600微米。

2.如权利要求1所述的光阻膜，其特征在于，该光阻膜以紫外光-可见光光谱术测定时，还对波长365纳米的光具有吸光度a365nm，其中0<a365nm/t≦0.010。

【专利技术属性】
技术研发人员：庄子毅，吴允中，何义明，
申请(专利权)人：长春人造树脂厂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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