【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及医疗器械领域，具体涉及一种用于压力监测的植入式传感装置。
技术介绍
1、心力衰竭(hf)简称心衰，是指由于心脏的收缩功能和(或)舒张功能发生障碍，不能将静脉回心血量充分排出心脏，导致静脉系统血液淤积，动脉系统血液灌注不足，从而引起心脏循环障碍症候群。心衰是各种心脏疾病的严重表现或晚期阶段，死亡率和再住院率居高不下。发达国家的心衰患病率为1.5％～2.0％，≥70岁人群患病率≥10％。2003年的流行病学调查显示，我国35～74岁成人心衰患病率为0.9％。我国人口老龄化加剧，冠心病、高血压、糖尿病、肥胖等慢性病的发病呈上升趋势，医疗水平的提高使心脏疾病患者生存期延长，导致我国心衰患病率呈持续升高趋势。
2、心衰患者的急性失代偿会导致呼吸困难、水肿和疲劳，这是导致心力衰竭入院的最常见症状。目前，对此类患者的预防和入院评判主要依靠频繁的评估，但心力衰竭住院率仍然很高。在心衰患者经历从血流动力学稳定到急性失代偿过程中，一般在恶化到需要入院治疗前20-30天率先出现充盈压升高，再到胸腔阻抗改变(住院前10-20天)，最后出现水肿(体液潴留)、呼吸困难等需要入院治疗的症状。因此，对心脏压力(如左房压、肺动脉压)等进行监测，可以给心衰患者的提前医疗干预提供一个时间窗口，通过对左房压或肺动脉压进行控制，达到改善充血症状、减少住院治疗或缩短住院时间的目的。相较于肺动脉压监测，通过左房压(lap)进行心衰监测更为直接、可靠，原因在于：大约90％的因心衰入院的患者有与左房压升高有关的肺充血；在肺阻力增加的情况下，通过肺动脉压
3、现有的左心房压力监测虽然实现了无源化，即监测装置中不含电池，增加了使用寿命和植入可靠性，但是还存在以下问题：(1)监测装置内部设置有数据处理的专用集成处理电路，电路结构复杂，降低了压力测量的可靠性与稳定性；(2)采用细长柱状传感器的端部感测压力，感测面积小，压力测量容易受内皮化影响，因此植入后为避免端部探测部内皮化，将端部向左心房凸出较长一段长度，会影响左心房的血流动力学，增加血栓形成风险。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种植入式传感装置，可植入体内实现压力监测，以解决现有植入体内进行压力监测的设备所存在的电路结构复杂、可靠性与稳定性下降、以及压力测量容易受到内皮化影响的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种植入式传感装置，其包括：
3、测量部件，所述测量部件由封装壳体和设置于所述封装壳体中的振荡器组成；所述封装壳体具有探测部，所述探测部用于感应外部压力变化并产生形变；所述振荡器用于将所述探测部的形变转换为自身谐振频率的变化；以及，
4、与所述测量部件连接的固定部件，所述固定部件设置在所述封装壳体的外部；所述固定部件和所述测量部件用于分别夹持于目标隔断沿自身厚度方向的两相对侧。
5、在一实施方式中，所述封装壳体由顶板和底座构成，所述顶板的部分设置为所述探测部，所述探测部的厚度小于所述顶板的边缘厚度。
6、在一实施方式中，所述顶板的边缘厚度比所述探测部的厚度大1.0um～1.5um。
7、在一实施方式中，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
8、所述顶板的轴向长度为5mm～20mm；
9、所述顶板的横向宽度为2mm～5mm；以及，
10、所述顶板的最大厚度为0.05mm～0.5mm。
11、在一实施方式中，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
12、所述顶板的轴向长度为6.0mm～12.0mm；
13、所述顶板的横向宽度为2.0mm～4.0mm；以及，
14、所述顶板的最大厚度为0.05mm～0.20mm。
15、在一实施方式中，所述顶板的内侧设有与所述探测部相对应的上凹槽，所述底座的内侧设有与所述上凹槽连通的下凹槽；
16、所述振荡器由并联连接的电容和电感构成；所述电容中的第一电极设置于所述上凹槽，所述电容中的第二电极设置于所述下凹槽；所述电感设置于所述上凹槽和所述下凹槽之间，所述电感的两端分别与所述电容的两个接线端电连接导通。
17、在一实施方式中，所述第二电极的数量为一个或两个；
18、当所述第二电极的数量为一个时，所述电感的一端与所述第一电极的第一接线端电连接导通，所述电感的另一端与所述第二电极的第二接线端电连接导通；
19、当所述第二电极的数量为两个时，所述电感的两端分别与两个所述第二电极的第二接线端电连接导通。
20、在一实施方式中，所述第一电极的形变量小于所述第一电极和所述第二电极之间的初始电极间距，所述初始电极间距为0.05um～50um。
21、在一实施方式中，所述初始电极间距为0.05um～10um。
22、在一实施方式中，当所述第二电极的数量为一个时，所述第一电极具有一个所述第一接线端，一个所述第一接线端与所述电感的一端电连接导通，所述第二电极具有一个所述第二接线端，一个所述第二接线端与所述电感的另一端电连接导通；其中，所述第一接线端和所述第二接线端设置在所述第一电极和所述第二电极的异侧。
23、在一实施方式中，所述电感由中空线圈体和接头组成，所述线圈体的两端分别设置一个所述接头，所述线圈体由表面设有绝缘层的导线绕制而成，所述导线绕设于一支撑结构上，所述支撑结构设置于所述下凹槽，所述第二电极设置于所述支撑结构的顶部端面上。
24、在一实施方式中，所述线圈体的线径为0.01mm～0.2mm，和/或，所述线圈体的匝数为5匝～100匝。
25、在一实施方式中，所述下凹槽具有以下特征中的至少一种：
26、所述下凹槽的轴向长度为6.0mm～10.0mm；
27、所述下凹槽的深度为0.5mm～2.0mm；以及，
28、所述下凹槽的横向宽度为2.0mm～4.0mm。
29、在一实施方式中，所述上凹槽具有以下特征中的至少一种：
30、所述上凹槽的深度为1.0um～1.5um；
31、所述上凹槽的横向宽度为1.5mm～2.5mm；以及，
32、所述上凹槽的轴向长度为3.0mm～6.0mm。
33、在一实施方式中，所述顶板在沿着所述上凹槽的边缘的实体部分设置有接线槽，所述接线槽的深度大于所述上凹槽的深度。
34、在一实施方式中，所述接线槽的深度为0.02mm～0.08mm，所述接线槽的横向宽度为0.3mm～0.5mm，所述接线槽的轴向长度为1.5mm～2.5mm。
35、在一实施方式中，所述顶板的杨氏模量为50gp～90gpa。
36、在一实施方式中，所述顶板由玻璃、石英、石英玻璃、蓝宝石、单本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种植入式传感装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的植入式传感装置，其特征在于，所述封装壳体由顶板和底座构成，所述顶板的部分设置为所述探测部，所述探测部的厚度小于所述顶板的边缘厚度。
3.根据权利要求2所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板的边缘厚度比所述探测部的厚度大1.0um～1.5um。
4.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
5.根据权利要求4所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
6.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板的内侧设有与所述探测部相对应的上凹槽，所述底座的内侧设有与所述上凹槽连通的下凹槽；
7.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述第二电极的数量为一个或两个；
8.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述第一电极的形变量小于所述第一电极和所述第二电极之间的初始电极间距，所述初始电极间距为0.05um～50um。
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10.根据权利要求7所述的植入式传感装置，其特征在于，当所述第二电极的数量为一个时，所述第一电极具有一个所述第一接线端，一个所述第一接线端与所述电感的一端电连接导通，所述第二电极具有一个所述第二接线端，一个所述第二接线端与所述电感的另一端电连接导通；其中，所述第一接线端和所述第二接线端设置在所述第一电极和所述第二电极的异侧。
11.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述电感由中空线圈体和接头组成，所述线圈体的两端分别设置一个所述接头，所述线圈体由表面设有绝缘层的导线绕制而成，所述导线绕设于一支撑结构上，所述支撑结构设置于所述下凹槽，所述第二电极设置于所述支撑结构的顶部端面上。
12.根据权利要求11所述的植入式传感装置，其特征在于，所述线圈体的线径为0.01mm～0.2mm，和/或，所述线圈体的匝数为5匝～100匝。
13.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述下凹槽具有以下特征中的至少一种：
14.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述上凹槽具有以下特征中的至少一种：
15.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板在沿着所述上凹槽的边缘的实体部分设置有接线槽，所述接线槽的深度大于所述上凹槽的深度。
16.根据权利要求15所述的植入式传感装置，其特征在于，所述接线槽的深度为0.02mm～0.08mm，所述接线槽的横向宽度为0.3mm～0.5mm，所述接线槽的轴向长度为1.5mm～2.5mm。
17.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板的杨氏模量为50Gpa～90Gpa。
18.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板由玻璃、石英、石英玻璃、蓝宝石、单晶硅、聚醚醚酮以及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种材料组合制成，和/或，所述底座由玻璃、石英、石英玻璃、蓝宝石、单晶硅、聚醚醚酮以及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种材料组合制成。
19.根据权利要求1-3中任一项所述的植入式传感装置，其特征在于，所述固定部件包括夹持部和连接部，所述连接部与所述夹持部连接；所述封装壳体的侧面靠近底面的高度上设置有横向贯通的连接孔，所述连接部穿过所述连接孔与所述封装壳体可转动地连接；所述夹持部和所述测量部件用于分别夹持于所述目标隔断沿自身厚度方向的两侧。
20.根据权利要求1-3中任一项所述的植入式传感装置，其特征在于，所述测量部件的总高度为1.6mm～2.7mm。
21.根据权利要求1-3中任一项所述的植入式传感装置，其特征在于，所述探测部在单位mmHg下的形变量为0.1nm～5nm。
...【技术特征摘要】
1.一种植入式传感装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的植入式传感装置，其特征在于，所述封装壳体由顶板和底座构成，所述顶板的部分设置为所述探测部，所述探测部的厚度小于所述顶板的边缘厚度。
3.根据权利要求2所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板的边缘厚度比所述探测部的厚度大1.0um～1.5um。
4.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
5.根据权利要求4所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板具有以下特征中的至少一种：
6.根据权利要求2或3所述的植入式传感装置，其特征在于，所述顶板的内侧设有与所述探测部相对应的上凹槽，所述底座的内侧设有与所述上凹槽连通的下凹槽；
7.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述第二电极的数量为一个或两个；
8.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述第一电极的形变量小于所述第一电极和所述第二电极之间的初始电极间距，所述初始电极间距为0.05um～50um。
9.根据权利要求8所述的植入式传感装置，其特征在于，所述初始电极间距为0.05um～10um。
10.根据权利要求7所述的植入式传感装置，其特征在于，当所述第二电极的数量为一个时，所述第一电极具有一个所述第一接线端，一个所述第一接线端与所述电感的一端电连接导通，所述第二电极具有一个所述第二接线端，一个所述第二接线端与所述电感的另一端电连接导通；其中，所述第一接线端和所述第二接线端设置在所述第一电极和所述第二电极的异侧。
11.根据权利要求6所述的植入式传感装置，其特征在于，所述电感由中空线圈体和接头组成，所述线圈体的两端分别设置一个所述接头，所述线圈体由表面设有绝缘层的导线绕制而成，所述导线绕设于一支撑结构上，所述支撑结构设置于所述下凹槽，所述第二电极设置于所述支撑结构的顶部端面上。
【专利技术属性】
技术研发人员：任凯炳，朱泽荀，卢飞，姚瑶，李俊菲，
申请(专利权)人：微创投资控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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