【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片制造量测设备，尤其涉及一种双旋转补偿器的光学关键尺寸量测备的匹配方法。
技术介绍
1、在半导体芯片制造过程中，广泛运用到光刻、刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光、离子注入等工艺技术。其中在光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺完成之后，需要使用量测设备准确量测二维或者三维结构的线宽、槽深、侧壁倾角等对良率至关重要的关键尺寸。根据高精度的量测数据，可以调节工艺设备的参数，进而使得实际的关键尺寸尽可能的接近设计值。相对于cdsem(扫描电子显微镜)只能量测线宽、tem(透射电子显微镜)属于破坏性量测技术，基于椭偏技术的ocd(光学关键尺寸)技术具有非破坏性、量测速度快、量测精度高的优势。而双旋转补偿器的光学关键尺寸量测技术属于目前最先进的椭偏技术，可以量测完整的4x4穆勒矩阵元。双旋转补偿器的光学关键尺寸量测设备可以用于绝大多数先进工艺的ocd量测。
2、在半导体芯片的大规模量产过程中，多台量测设备的匹配非常重要。如果多台量测设备的匹配程度较差，一定会影响到半导体芯片制造的一致性，从而导致产线良率的下降。因此为了半导体...
【技术保护点】
1.一种双旋转补偿器的光学关键尺寸量测设备的匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括执行产线质量控制晶圆的匹配验证，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中获取实验设计晶圆和第一基准晶圆的参考值包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中每个样品建立光学关键尺寸模型并进行优化包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，为每个样品建立光学关键尺寸数据库包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在光学关键尺寸建模平台上，以黄金机台量测...
【技术特征摘要】
1.一种双旋转补偿器的光学关键尺寸量测设备的匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括执行产线质量控制晶圆的匹配验证，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中获取实验设计晶圆和第一基准晶圆的参考值包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中每个样品建立光学关键尺寸模型并进行优化包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，为每个样品建立光学关键尺寸数据库包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在光学关键尺寸建模平台上，以黄金机台量测得...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵礼，叶俊杰，
申请(专利权)人：上海诺睿科半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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