【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一次性可编程存储器，并且具体涉及一种多状态的一次性可编程存储器电路。
技术介绍
1、传统的一次性可编程(one-time programmable；otp)存储器单元只能存储一位数据(1或0)，因此很容易被暴力攻击破解。近来针对更高级别的硬件安全性不断增长，且需求续增，促使otp存储器单元被嵌入到片上系统(soc)设计中，以实现更安全的数据存储。非易失性、低功耗、低面积和不可破解的otp存储器单元是满足设计规范的目标。有鉴于此，本公开提出了一种多状态一次性可编程(msotp)存储器电路，以解决上述问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种多状态的一次性可编程存储器电路，其包含：一第一位线和一第二位线、一第一字线和一第二字线、一存储器单元和一编程电压驱动电路。该存储器单元包含一金属氧化物半导体场效应存储晶体管，具有一栅极、一第一电极和一第二电极，其中该栅极和该第一电极间存在一第一非击穿状态或一第一击穿状态，且该栅极和该第二电极间存在一第二非击穿状态或一第二击穿状态；一第一金...
【技术保护点】
1.一种多状态的一次性可编程存储器电路，包含：
2.如请求项1所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中该编程电压驱动电路还包含：
3.根据权利要求2所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
4.根据权利要求1所述的多状态的一次性可编程存储器电路，还包含：
5.根据权利要求4所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
6.根据权利要求5所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
7.根据权利要求6所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
8.根据权利要求5所述的多状态的一次...
【技术特征摘要】
1.一种多状态的一次性可编程存储器电路，包含：
2.如请求项1所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中该编程电压驱动电路还包含：
3.根据权利要求2所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
4.根据权利要求1所述的多状态的一次性可编程存储器电路，还包含：
5.根据权利要求4所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
6.根据权利要求5所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
7.根据权利要求6所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
8.根据权利要求5所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
9.根据权利要求8所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
10.根据权利要求5所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
11.根据权利要求10所述的多状态的一次性可编程存储器电路，其中：
12.根据权利要求5所述的多状态...
【专利技术属性】
技术研发人员：张振丰，罗宇呈，吕宗翰，张树杰，梁淳皓，吴东育，吴孟霖，
申请(专利权)人：振生半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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