【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体工艺，且特别是及涉及一种图案化工艺(patterningprocess)。
技术介绍
1、随着集成电路产业的快速发展，在要求电路集成度愈来愈高的情况下，整个电路组件尺寸也必须缩小。因此，在进行图案化工艺之后，对于所形成的组件的图案精确度存在高度要求。
2、在一般采用压印(imprinting)方式的图案化工艺中，在以压印模仁(imprintstamp)对材料层进行压印之后，在压印出的图案之间的区域中容易残留不需要的材料。因此，通常会进行蚀刻工艺来移除残留的材料。然而，在进行所述蚀刻工艺的过程中，除了移除残留的材料之外，还会移除一部分的压印出的图案，因而造成图案精确度降低。特别是，可能造成组件的关键尺寸(critical dimension，cd)不均的问题。如此一来，对于所形成的半导体装置的电特性将造成极大影响。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种图案化工艺，其可将所需的图案精确地转移到待图案化的衬底。
2、本专利技术的图案化工艺包括以下步骤。在衬底上形成材料层。使用压印模仁对所述材料层进行压印工艺，以形成具有多个图案部分的图案化材料层。在相邻的所述图案部分之间形成硬掩模层。使用所述硬掩模层作为蚀刻掩模来进行蚀刻工艺，以移除所述图案部分与一部分的所述衬底。移除所述硬掩模层。
3、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述图案化材料层还包括位于相邻的所述图案部分之间的残留部分。
4、在本专利技术的图案化工艺的一
5、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述硬掩模层包括氧化硅(sio2)层、氮化硅(si3n4)层或其组合。
6、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，形成所述硬掩模层的方法包括以下步骤。形成硬掩模材料层以覆盖所述图案化材料层，其中所述硬掩模材料层填满所述图案化材料层的相邻的所述图案部分之间的区域。移除所述图案化材料层上的所述硬掩模材料层。
7、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，移除所述图案化材料层上的所述硬掩模材料层的方法包括进行化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)工艺或回蚀刻(etching-back)工艺。
8、本专利技术的图案化工艺包括以下步骤。在压印模仁衬底上形成第一材料层。使用压印模具(imprint mold)对所述第一材料层进行第一压印工艺，以形成具有多个第一图案部分的第一图案化材料层。在相邻的所述第一图案部分之间形成第一硬掩模层。使用所述第一硬掩模层作为蚀刻掩模来进行第一蚀刻工艺，以移除所述第一图案部分与一部分的所述压印模仁衬底。移除所述第一硬掩模层，以形成压印模仁。在衬底上形成第二材料层。使用所述压印模仁对所述第二材料层进行压印工艺，以形成具有多个第二图案部分的第二图案化材料层。使用第二图案化材料层作为蚀刻掩模来进行蚀刻工艺，以移除一部分的所述衬底。移除所述第二图案化材料层。
9、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述第一图案化材料层还包括位于相邻的所述第一图案部分之间的第一残留部分。
10、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，在移除所述第一硬掩模层时，所述第一残留部分被移除。
11、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述第一硬掩模层包括氧化硅层、氮化硅层或其组合。
12、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，形成所述第一硬掩模层的方法包括以下步骤。形成硬掩模材料层以覆盖所述第一图案化材料层，其中所述硬掩模材料层填满所述第一图案化材料层的相邻的所述第一图案部分之间的区域。移除所述第一图案化材料层上的所述硬掩模材料层。
13、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，移除所述第一图案化材料层上的所述硬掩模材料层的方法包括进行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺。
14、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，还包括以下步骤。在形成所述第二图案化材料层之后，在相邻的所述第二图案部分之间形成第二硬掩模层。使用所述第二硬掩模层作为蚀刻掩模来进行第二蚀刻工艺，以移除所述第二图案部分与一部分的所述衬底。移除所述第二硬掩模层。
15、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述第二图案化材料层还包括位于相邻的所述第二图案部分之间的第二残留部分。
16、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，在移除所述第二硬掩模层时，所述第二残留部分被移除。
17、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，所述第二硬掩模层包括氧化硅层、氮化硅层或其组合。
18、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，形成所述第二硬掩模层的方法包括以下步骤。形成硬掩模材料层以覆盖所述第二图案化材料层，其中所述硬掩模材料层填满所述第二图案化材料层的相邻的所述第二图案部分之间的区域。移除所述第二图案化材料层上的所述硬掩模材料层。
19、在本专利技术的图案化工艺的一实施例中，移除所述第二图案化材料层上的所述硬掩模材料层的方法包括进行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺。
20、综上所述，在本专利技术中，在对衬底上的材料层进行压印工艺之后，在相邻的图案部分之间形成硬掩模层。通过使用硬掩模层作为蚀刻掩模来进行蚀刻工艺，可精确地形成衬底处的图案。此外，衬底上的材料层的残留部分可在移除硬掩模层时被移除，因此不需额外进行移除残留部分的蚀刻工艺，进而可确保形成于衬底处的图案的尺寸与轮廓。
21、为让本专利技术能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图案化工艺，包括：
2.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，所述图案化材料层还包括位于相邻的所述图案部分之间的残留部分。
3.根据权利要求2所述的图案化工艺，其特征在于，在移除所述硬掩模层时，所述残留部分被移除。
4.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化硅层、氮化硅层或其组合。
5.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，形成所述硬掩模层的方法包括：
6.根据权利要求5所述的图案化工艺，其特征在于，移除所述图案化材料层上的所述硬掩模材料层的方法包括进行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺。
7.一种图案化工艺，包括：
8.根据权利要求7所述的图案化工艺，其特征在于，所述第一图案化材料层还包括位于相邻的所述第一图案部分之间的第一残留部分。
9.根据权利要求8所述的图案化工艺，其特征在于，在移除所述第一硬掩模层时，所述第一残留部分被移除。
10.根据权利要求7所述的图案化工艺，其特征在于，所述第一硬掩模层包括氧化硅层、氮化硅层或其组合。<...
【技术特征摘要】
1.一种图案化工艺，包括：
2.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，所述图案化材料层还包括位于相邻的所述图案部分之间的残留部分。
3.根据权利要求2所述的图案化工艺，其特征在于，在移除所述硬掩模层时，所述残留部分被移除。
4.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，所述硬掩模层包括氧化硅层、氮化硅层或其组合。
5.根据权利要求1所述的图案化工艺，其特征在于，形成所述硬掩模层的方法包括：
6.根据权利要求5所述的图案化工艺，其特征在于，移除所述图案化材料层上的所述硬掩模材料层的方法包括进行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺。
7.一种图案化工艺，包括：
8.根据权利要求7所述的图案化工艺，其特征在于，所述第一图案化材料层还包括位于相邻的所述第一图案部分之间的第一残留部分。
9.根据权利要求8所述的图案化工艺，其特征在于，在移除所述第一硬掩模层时，所述第一残留部分被移除。
10.根据权利要求7所述的图案化工艺，其特征在于，所述第一硬掩模层包括氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：张登耀，汤志贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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