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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路控制领域,尤其是涉及一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路。
技术介绍
1、目前的电子两线式磁性开关中,大多分为有极性与无极性两种,虽然两种形式所产生的效果都是大致相同的,但是两种需要的环境需求都是不一样的,这样就造成了在极性电源的环境下无法使用无极性电子两线式磁性开关,而在无极性电源的环境下无法使用有极性电子两线式磁性开关,否则就会造成电子两线式磁性开关的损坏甚至发生爆炸等危险。
技术实现思路
1、本专利技术为克服上述情况不足,旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。
2、一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,包括:电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块,所述电源模块与极性判断电路模块连接,所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。
3、作为本专利技术进一步的方案:所述电源模块包括:mos管mn9,所述mos管mn9的漏极与稳定电压vdd连接,所述mos管mn9的漏极分别与电阻r7与电阻r8的一端连接,所述电阻r7的另一端与mos管mn9的栅极连接,所述mos管mn9的栅极还与二极管z5的负极脚连接,所述二极管z5的正极脚接地,所述电阻r8的另一端与二极管z6的负极脚连接,所述二极管z6的正极脚接地,所述二极管z6的正极脚还与比较器cp1源极的负极输入端连接,所述比较器cp1源极的正极输入端还与mos管mn9的源极连接,所述比较器cp1源极的输出端输出复位信号por,所述mos管mn9的源极与参考电压vreg连接。
...【技术保护点】
1.一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,包括:电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块,所述电源模块与极性判断电路模块连接,所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。
2.根据权利要求1所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,所述电源模块包括:MOS管MN9,所述MOS管MN9的漏极与稳定电压VDD连接,所述MOS管MN9的漏极分别与电阻R7与电阻R8的一端连接,所述电阻R7的另一端与MOS管MN9的栅极连接,所述MOS管MN9的栅极还与二极管Z5的负极脚连接,所述二极管Z5的正极脚接地,所述电阻R8的另一端与二极管Z6的负极脚连接,所述二极管Z6的正极脚接地,所述二极管Z6的正极脚还与比较器CP1源极的负极输入端连接,所述比较器CP1源极的正极输入端还与MOS管MN9的源极连接,所述比较器CP1源极的输出端输出复位信号POR,所述MOS管MN9的源极与参考电压VREG连接。
3.根据权利要求2所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,所述极性判断电路模块包括:MOS管MN5,所述MOS管
4.根据权利要求3所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,所述极性识别桥驱动电源模块包括:二输入与门Y1、二输入与门Y2、非门N1,所述非门N1的输入端与逻辑缓冲器B1的输出端连接,所述非门N1的输出端与二输入与门Y2的其中一个输入端连接,所述二输入与门Y2的另一个输入端接入复位信号POR,所述二输入与门Y2的输出端输出GN1输出信号且二输入与门Y2的输出端与MOS管MN5的栅极连接,所述MOS管MN5的漏极与功率管MP2的栅极连接,所述功率管MP2的源极连接电压VIN2,所述功率管MP2的漏极连接电压VDD,所述功率管MP2的漏极与栅极之间还设置有并联设置的电阻R2与二极管Z2,二极管Z2的负极脚与功率管MP2的漏极连接,所述MOS管MN4的源极与电阻R4的一端连接,所述电阻R4的另一端与电阻R3的一端连接,所述电阻R4的另一端还接地,所述电阻R3的另一端与MOS管MN3的源极连接;
...【技术特征摘要】
1.一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,包括:电源模块、极性判断电路模块、极性识别桥驱动电源模块,所述电源模块与极性判断电路模块连接,所述极性判断电路模块与极性识别桥驱动电路模块连接。
2.根据权利要求1所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,所述电源模块包括:mos管mn9,所述mos管mn9的漏极与稳定电压vdd连接,所述mos管mn9的漏极分别与电阻r7与电阻r8的一端连接,所述电阻r7的另一端与mos管mn9的栅极连接,所述mos管mn9的栅极还与二极管z5的负极脚连接,所述二极管z5的正极脚接地,所述电阻r8的另一端与二极管z6的负极脚连接,所述二极管z6的正极脚接地,所述二极管z6的正极脚还与比较器cp1源极的负极输入端连接,所述比较器cp1源极的正极输入端还与mos管mn9的源极连接,所述比较器cp1源极的输出端输出复位信号por,所述mos管mn9的源极与参考电压vreg连接。
3.根据权利要求2所述的一种两线式智能型传感器芯片极性识别电路,其特征在于,所述极性判断电路模块包括:mos管mn5,所述mos管mn5的栅极与电源模块中的mos管mn9的源极连接,所述mos管mn5的栅极还与电容c源极连接,所电容c源极与电阻r5的一端、mos管mn7的源极分别进行连接,所述电阻r5的另一端与mos管mn7的栅极连接,所述电阻r5上并联有二极管z3,二极管z3的负极脚与mos管mn7的栅极连接,所述mos管mn7的栅极与mos管mn5的源极连接,所述mos管mn5的漏极与电压vin2连接,所述mo...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄超,李丽,
申请(专利权)人:东莞市艾奇诺传感器科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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