【技术实现步骤摘要】
本技术涉及探针，具体为一种应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构。
技术介绍
1、目前市场通用mems探针卡大部分探针都是单一探针测试，对于频率和接触电阻高的芯片测试，很多参数很难达到芯片设计值，从而影响到实际的测试效果。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供了一种应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构，以达到在一个芯片接触位置同时导通两种信号，降低测试环节的接触阻抗和测试信号失真，提高芯片测试的稳定性。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构，包括左针体和右针体，所述左针体和右针体的结构相同，且左针体和右针体间通过探针绝缘层连接；所述左针体和右针体安装在陶瓷电路板上。
3、优选的，所述左针体和右针体均包括基座和针身，所述针身的一侧与基座连接，针身的另一侧顶部安装有探针头。
4、优选的，所述基座的底面设有若干突起，所述陶瓷电路板上设有若干安装槽，且突起安装在安装槽内。
5、优选的，所述绝缘层安装在基座、突起和针身之间。
6、优选的，所述左针体和右针体均通过独立焊点焊接在陶瓷电路板上。
7、优选的，所述针身与基座间通过弧形连接部连接。
8、优选的，所述探针绝缘层的厚度为5微米。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
10、通过分别设置左针体和右针体探针，并在二者间装配五微米厚度绝缘层，使得成对焊接的定
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1.一种应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：包括左针体(1)和右针体(2)，所述左针体(1)和右针体(2)的结构相同，且左针体(1)和右针体(2)间通过探针绝缘层(6)连接；
2.根据权利要求1所述的应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：所述左针体(1)和右针体(2)均包括基座(3)和针身(4)，所述针身(4)的一侧与基座(3)连接，针身(4)的另一侧顶部安装有探针头(5)。
3.根据权利要求2所述的应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：所述基座(3)的底面设有若干突起(8)，所述陶瓷电路板(7)上设有若干安装槽，且突起(8)安装在安装槽内。
4.根据权利要求3所述的应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：所述绝缘层(6)安装在基座(3)、突起(8)和针身(4)之间。
5.根据权利要求1所述的应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：所述左针体(1)和右针体(2)均通过独立焊点(9)焊接在陶瓷电路板(7)上。
6.根
7.根据权利要求1所述的应用于模拟KELVIN双接触的MEMS探针结构，其特征在于：所述探针绝缘层(6)的厚度为5微米。
...【技术特征摘要】
1.一种应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构，其特征在于：包括左针体(1)和右针体(2)，所述左针体(1)和右针体(2)的结构相同，且左针体(1)和右针体(2)间通过探针绝缘层(6)连接；
2.根据权利要求1所述的应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构，其特征在于：所述左针体(1)和右针体(2)均包括基座(3)和针身(4)，所述针身(4)的一侧与基座(3)连接，针身(4)的另一侧顶部安装有探针头(5)。
3.根据权利要求2所述的应用于模拟kelvin双接触的mems探针结构，其特征在于：所述基座(3)的底面设有若干突起(8)，所述陶瓷电路板(7)上设有若干安装槽，且突起(8)安装...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞学礼，严日东，刘通，
申请(专利权)人：沈阳圣仁电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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