【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻胶，特别涉及一种正性光刻胶及其使用方法。
技术介绍
1、光刻胶指通过紫外光、电子束、离子束、x射线等的照射或辐射而溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。随着集成电路及器件的研制开发不断进展，krf准分子激光光刻等技术使得光刻图形的特征尺寸达到0.25μm及以下。
2、目前基于聚羟基苯乙烯及其衍生物的krf光刻胶包括三类：escap型光刻胶、acetal类光刻胶和apex类光刻胶。三种光刻胶的区别在于使用的聚合物树脂不同。更具体的，是使用的聚合物树脂酸致脱保护基团活化能不同使得脱保护反应发生的温度不同。
3、apex类光刻胶是最早的krf光刻胶，采用含t-boc基团的聚合物树脂。此类光刻胶缺陷是会受空气中碱性气体影响，存在严重的图形表面受曝光时间延迟(ped)影响的问题，导致图形尺寸随曝光后的延迟时间而变化，出现“光刻胶中毒”现象。为了改善这一问题，随后光刻胶领域又提出了escap型光刻胶和acetal类光刻胶。escap型光刻胶具有较高的活化能，acetal类光刻胶具有较低的活化能均可以改善“光刻胶中毒
【技术保护点】
1.一种ESCAP型正性光刻胶，其特征在于：所述正性光刻胶包含(A)聚合物树脂、(B)光酸、(C)溶解促进剂、(D)猝灭剂、(E)流平剂和(F)溶剂；
2.根据权利要求1所述的ESCAP型正性光刻胶，其特征在于，所述(C)溶解促进剂的结构式，选自式C-1或式C-2结构中至少一种：
3.根据权利要求2所述的ESCAP型正性光刻胶，其特征在于，所述(C)溶解促进剂结构式，选自以下结构中至少一种：
4.根据权利要求1所述的ESCAP型正性光刻胶，其特征在于，所述(A)聚合物树脂还包含以下式-A3重复单元：
5.根据权利要求4所...
【技术特征摘要】
1.一种escap型正性光刻胶，其特征在于：所述正性光刻胶包含(a)聚合物树脂、(b)光酸、(c)溶解促进剂、(d)猝灭剂、(e)流平剂和(f)溶剂；
2.根据权利要求1所述的escap型正性光刻胶，其特征在于，所述(c)溶解促进剂的结构式，选自式c-1或式c-2结构中至少一种：
3.根据权利要求2所述的escap型正性光刻胶，其特征在于，所述(c)溶解促进剂结构式，选自以下结构中至少一种：
4.根据权利要求1所述的escap型正性光刻胶，其特征在于，所述(a)聚合物树脂还包含以下式-a3重复单元：
5.根据权利要求4所述的escap型正性光刻胶，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，朱玉呈，吴信，王文毅，许义祥，梅崇余，潘新刚，
申请(专利权)人：徐州博康信息化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：
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