本发明专利技术提供了一种光电探测器，其提高了视角端处的光的倾斜入射引起的光学特性。该光电探测器包括在半导体基板上以矩阵状配置的多个像素。多个像素的每个像素包括对入射光进行光电转换的光电转换部以及配置在光电转换部的光入射表面侧上的偏转部，并且该偏转部在像素中具有多个柱状物，该柱状物具有不同的厚度、间距或形状。柱状物以棱镜角将针对各图像高度以不同角度入射的主光线引导到光电转换部，在该棱镜角，光针对每个像素相对于主光线不同地弯曲。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
根据本公开的技术(本技术)涉及一种光电探测器、光电探测器的制造方法以及包括该光电探测器的电子设备。
技术介绍
1、光电探测器使用包括在每个像素中的诸如光电二极管等光电转换元件，以将根据光强度的电荷量转换为电气信号，该光的图像通过片上透镜形成在像素上。从入射光的高使用效率的观点来看，其中入射光通过片上透镜直接到达像素的背面照射型光电探测器已经引起了关注。
2、同时，由于片上透镜有效地使用光电探测器的视角周边部(视角端)处的光，因此根据通常被称为光瞳校正来配置片上透镜。也就是说，当与位于视角中间(图像高度为零)的像素相对应的片上透镜被配置为使得其光轴与像素中央大致一致时，片上透镜的位置相对于像素中央的偏移量随着它们到视角端的距离的减小(随着图像高度的增加)而增加。换句话说，随着到视角端的距离减小，片上透镜的位置在主光线的出射方向上的偏移量增加。然而，由于视角端处的倾斜入射，因此不期望串扰、不均匀灵敏度等方面的光学特性劣化。
3、鉴于此，已经提出了一种防止串扰、不均匀灵敏度等方面的光学特性劣化的技术。下述专利文献1公开了一种改变片上透镜的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电探测器，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述柱状物具有将通过所述像素的入射光朝向各像素中心会聚的透镜功能。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，隔着平坦膜设置至少两级以上的所述偏转部。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述柱状物包括在入射表面侧、在光电转换部侧或者在入射表面侧和光电转换部侧两者上具有不同折射率的防反射膜。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其中，所述光电转换部侧的所述防反射膜包括蚀刻停止层。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，
>7.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电探测器，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述柱状物具有将通过所述像素的入射光朝向各像素中心会聚的透镜功能。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，隔着平坦膜设置至少两级以上的所述偏转部。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述柱状物包括在入射表面侧、在光电转换部侧或者在入射表面侧和光电转换部侧两者上具有不同折射率的防反射膜。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其中，所述光电转换部侧的所述防反射膜包括蚀刻停止层。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，
7.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述偏转部的所述柱状物包括选自氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化铪、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、硅碳氮化物和氧化锆中的任何材料或者它们的堆叠结构体，并且所述柱状物的高度等于或大于300nm。
8.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，包括遮光膜，所述遮光膜位于所述半导体基板的照射面侧和所述偏转部之间，并且在所述像素中的至少一部分处具有开口。
9.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，在相邻的两个所述光电转换部之间设置有具有沟槽结构的分离部，所述沟槽结构具有与所述半导体基板接触的绝缘膜。
10.根据权利要求9所述的光电探测器，其中，
11.根据权利要求9所述的光电探测器，其中，
12.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，在所述偏转部中，用填充材料填充所述多个柱状物之间，所述填充材料的折射率低于所述柱状物的折射率。
13.根据权利要求12所述的光电探测器，其中，在所述偏转部中，所述像素的边界处的填充物的至少一部分具有沟槽形状的开口。
14.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，具有曲面形状的透镜部设置在所述偏转部的顶部、设置在所述半导体基板的照射面侧和所述偏转部之间或者设置在它们两者中。
15.根据权利要求2、8或14所述的光电探测器，其中，所述多个像素中的至少一些像素具有遮光膜的开口率等于或低于25％的针孔。
16.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述多个像素中的至少一些像素包括被分割的多个分割光电转换部。
17.根据权利要求8所述的光电探测器，其中，所述半导体基板具有至少两种以上的像素，所述像素具有不同的遮光膜的开口部的重心。
18.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，所述多个像素中的至少一些像素在所述半导体基板的表面上具有凹凸形状。
19.根据权利要求1所述的光电探测器，其中，
20.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：纳土晋一郎，岩濑寿仁，横地界斗，铃木理之，戸田淳，蛯子芳树，山本笃志，名取太知，竹内幸一，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。