与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种氰尿酸酯组合物，它特别适用于作为形成在外涂光刻胶下层的涂料组合物的树脂组分的反应物。优选的异氰尿酸酯化合物的多个氰尿酸酯氮环原子被至少两个特定的羧基和／或羧基酯基取代。

【技术实现步骤摘要】

本申请要求于2009年5月20日提交的在35U. S. C. § 119 (e)下的美国临时申请 No. 61/216, 795的优先权，该申请的内容全部被引入本专利技术作为参考。本专利技术涉及氰尿酸酯(cyanurate)组合物，它特别适用于作为形成在外涂 (overcoated)光刻胶下层的涂料组合物的树脂组分的反应物。
技术介绍
光刻胶是用于将图像转移到基材上的感光膜。在基材上形成光刻胶涂层，然后经 光掩模将所述光刻胶层在活化射线源曝光。所述光掩模具有对活化射线不透明的区域和透 明的其它区域。活化射线曝光使得光刻胶涂层发生光致转变或化学转变，从而将光掩模的 图案转移到所述光刻胶涂覆的基材上。曝光后，将光刻胶显影以提供一种允许对基材进行 选择性加工的浮雕图像。光刻胶主要用于半导体制造业，目的是将高度抛光的半导体晶片如硅或砷化镓， 转化成起电路作用的电子传导路线的复合物基体。适当的光刻工艺是达到这一目的关键。 虽然各种光刻工艺步骤之间存在很强的相关性，曝光被认为是获得高分辨率光刻胶图像的 最重要的步骤之一。用于曝光光刻胶的活化射线的反射常常会使光刻胶层上的成像的分辨率受到限 制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氰尿酸酯化合物，所述氰尿酸酯化合物的多个氰尿酸酯氮环原子被不同的羧基和／或羧基酯基取代。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A赞皮尼，V简恩，刘骢，S克雷，O昂格伊，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]