【技术实现步骤摘要】
所属本专利技术涉及光刻机，特别涉及改进的一种提高光刻机分辨率的方法。
技术介绍
1、在芯片制造领域，光刻机(lithography也可称为掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等)是其中非常关键的装备，它采用光学投影成像技术，把光掩模版(photo-mask，也称为光罩)上的图案投影转移到晶圆上，这是实现芯片大批量生产的关键。
2、随着芯片行业的发展，同样的芯片面积上需要容纳越来越多的元件及布线，光刻机的分辨率需要不断提高。光学投影成像中，光的衍射极限是限制分辨率提高的重要因素，衍射极限是指一个理想物点经光学系统成像，因为衍射的限制，得不到理想像点，而是得到一个夫朗和费衍射像，即所谓的艾里斑(弥散斑)，这是影响光学投影成像系统分辨率的重要因素，光学成像中，2个物点成像后得到2个弥散斑，如果它们靠得太近就很难辨别，弥散斑越大，分辨率越低。同样的光学系统，光的波长越小，弥散斑越小，分辨率越高。所以减小光刻机光源的波长，就可以提高光刻机分辨率。
3、光刻机光源波长的进化路线：
4、
5、当波长减小到...
【技术保护点】
1.改进的一种提高光刻机分辨率的方法，包括激光器和光慢光或者光存储单元，其特征在于，光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于用特征“光刻机曝光的光线，在介质中的存储复原为光线后，在介质中的传播群速度比离开介质后的传播速度要慢，离开介质后光子之间的空间距离扩大到大于无干扰距离”代替特征“光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离”。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于用特征“光刻机曝光的光线在光存储单元的介质中的存储，调整光子之间的空间距离...
【技术特征摘要】
1.改进的一种提高光刻机分辨率的方法，包括激光器和光慢光或者光存储单元，其特征在于，光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于用特征“光刻机曝光的光线，在介质中的存储复原为光线后，在介质中的传播群速度比离开介质后的传播速度要慢，离开介质后光子之间的空间距离扩大到大于无干扰距离”代替特征“光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离”。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于用特征“光刻机曝光的光线在光存储单元的介质中的存储，调整光子之间的空间距离”代替特征“光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离”。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于用特征“光刻机曝光的频率对应于光慢光或者光存储单元的介质的吸收频率”代替特征“光刻机曝光的光线经过处理后，离开介质后光子之间的空间距离大于无干扰距离”。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：冼剑光，
申请(专利权)人：吉通科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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