激光器及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种激光器制作方法，包括如下步骤：S1，制备外延结构，S2，在所述外延结构上制作光栅，并将光栅表面凹槽填平，S3，于所述光栅表面生长含铝晶态材料层，S4，生长完毕后将具有含铝晶态材料层的外延结构暴露于含氧环境中进行氧化，使得所述含铝晶态材料层氧化成含铝非晶态材料层，S5，氧化完毕后对具有所述含铝晶态材料层的外延结构进行刻蚀形成对接生长区域，S6，接着在所述对接生长区域进行对接生长工艺后完成激光器的制作，制作过程中，所述含铝非晶态材料层作为对接生长的掩膜层。还提供了一种激光器。本发明专利技术采用含铝非晶态材料层掩膜进行对接生长时，没有屋檐形貌(undercut)的影响，对接界面缺陷少，激光器的性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通信，具体为一种激光器及其制作方法。

技术介绍

1、现有的对接生长技术，采用sio2/sinx做为掩膜层会形成屋檐形貌(undercut)，影响对接材料在界面上的堆积，容易形成对接界面材料缺陷，进而影响激光器性能。与此同时采用sio2/sinx为掩膜，掩膜层表面或者经过湿法腐蚀后表面容易产生针孔，mocvd对接生长后sio2/sinx掩膜层的针孔上面会有材料沉积阻碍后续sio2/sinx的去除，而残留的sio2/sinx硅氧化物会影响后续的材料外延生长，进而影响激光器的外观。

2、具体地，常用的sio2/sinx掩膜，采用pecvd(等离子体增强化学气相沉积法)制备，它的薄膜沉积机理是借助微波或射频等，使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，等离子体活性强，发生反应后在基片表面沉积出薄膜。采用pecvd沉积的薄膜，质量好，表面有少量针孔，沉积材料越薄，针孔越多。而mocvd是以有机化合物和氢化物等作为晶态生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种化合物以及他们的薄层单晶材料，材料生长薄且无针孔。

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【技术保护点】

1.一种激光器制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于：所述含铝晶态材料层包括晶态AlGaInAs层、晶态AlInAs层、晶态AlAs层或晶态AlGaAs层。

3.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于：刻蚀形成对接生长区域时，先采用光刻胶进行掩膜，沿竖直方向进行刻蚀，接着再采用光刻胶进行掩膜，沿倾斜方向进行刻蚀，得到倾斜的对接生长面。

4.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于，所述对接生长工艺包括：

5.如权利要求4所述的激光器制作方法，其特征在于：所述对接生长工艺还包括：...

【技术特征摘要】

1.一种激光器制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于：所述含铝晶态材料层包括晶态algainas层、晶态alinas层、晶态alas层或晶态algaas层。

3.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于：刻蚀形成对接生长区域时，先采用光刻胶进行掩膜，沿竖直方向进行刻蚀，接着再采用光刻胶进行掩膜，沿倾斜方向进行刻蚀，得到倾斜的对接生长面。

4.如权利要求1所述的激光器制作方法，其特征在于，所述对接生长工艺包括：

5.如权利要求4所述的激光器制作方法，其特征在于：所述对接生长工艺还包括：

6.如权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，郭娟，
申请(专利权)人：武汉云岭光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：