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接合构造体制造技术

技术编号:40513864 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-01 13:30
本发明专利技术提供一种具备陶瓷部、和包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的元器件部件被电接合于电路基板的接合构造体,该接合构造体在高湿环境下也显示出稳定的电特性。上述接合构造体包括:元器件部件,是在第一基材上形成有陶瓷部、和包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的元器件部件,该陶瓷部被第一保护层包覆,该一对外部电极从该第一保护层露出,该一对内部电极位于该陶瓷部内,该陶瓷部的厚度为40μm以下;电路基板,在第二基材上形成有一对焊盘电极;以及接合部,在上述陶瓷部及上述第一保护层配置在上述第一基材与上述第二基材之间的状态下,将相互对置的上述一对外部电极与上述一对焊盘电极电接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及接合构造体,更详细而言,涉及元器件部件经由接合部电接合(或安装)于电路基板的接合构造体(也可以称为“安装构造体”)。


技术介绍

1、以往,公知有一种具备陶瓷部、和一对外部电极的芯片部件等电子构件通过焊接材料接合于电路基板的接合构造体(参照专利文献1、2)。

2、在该接合构造体中,离子迁移对策成为重要的课题。专利文献2公开了:为了防止在电子构件的一对外部电极之间可能发生的离子迁移,用涂覆树脂层包覆大致长方体形状的电子构件的四个侧面中的除了与电路基板的主面相对的侧面以外的三个侧面(技术方案1),或者大致长方体形状的电子构件的四个侧面(技术方案2、3)。

3、专利文献1:日本特开2014-157951号公报

4、专利文献2:国际公开第2017/110136号

5、专利文献3:日本特开2021-58894号公报

6、专利文献4:日本特开2013-149774号公报

7、以往,作为电接合于电路基板的电子构件,使用芯片部件等,但可以考虑使用在另一基板(基材)上形成有元器件构造的元器件部件,来代替芯片部件。

8、在涉及将芯片部件电接合于电路基板的接合构造体的专利文献2中,记载了离子迁移是指在具有电位差的电极间,一个电极的金属成分离子化,朝向另一个电极移动,由于析出的金属,电极间的绝缘性降低,或者电极间短路(short)的现象,并在高湿条件下容易发生的意思。

9、对此,根据本专利技术的专利技术者们的进一步的研究,判明了在将在基板(基材)上形成有具备陶瓷部和一对电极的元器件构造的元器件部件电接合于电路基板的接合构造体中,离子迁移(以下,也简称为“迁移”)除了在具有电位差的电极间,一个电极的金属成分离子化,朝向另一个电极移动,由于析出的金属,电极间的绝缘性(换言之电阻)降低,在显著的情况下,电极间短路的现象之外,还可能会发生一个电极的金属成分离子化,该一个电极溶解,导致电极间的电阻变高,在显著的情况下,该一个电极的溶解贯通(以下,称为“开路”)的现象。迁移取决于电场强度的大小而发生,换言之,与负载电压成比例,并且与电极间距离成反比地发生。根据本专利技术的专利技术者们的研究,判明了在上述元器件部件具备包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的情况下,存在由于迁移,电极的溶解先发生而高电阻化的问题。在以往一般的芯片部件的情况下,解决了由迁移引起的低电阻化的问题,但由于电极厚度较厚,因此由迁移引起的高电阻化实质上不成为问题。

10、在高湿环境下,由于离子迁移,接合构造体的电阻明显低于或高于初始值,无论在哪种情况下,接合构造体的电特性都会受到损害,因此是不优选的。


技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种具备陶瓷部、和包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的元器件部件电接合于电路基板的接合构造体,该接合构造体在高湿环境下也显示出稳定的电特性。

2、[1]一种接合构造体,包括:

3、元器件部件,是在第一基材上形成有陶瓷部、和包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的元器件部件,该陶瓷部被第一保护层包覆,该一对外部电极从该第一保护层露出,该一对内部电极位于该陶瓷部内,该陶瓷部的厚度为40μm以下;

4、电路基板,在第二基材上形成有一对焊盘电极;以及

5、接合部,在上述陶瓷部及上述第一保护层配置在上述第一基材与上述第二基材之间的状态下,将相互对置的上述一对外部电极与上述一对焊盘电极电接合。

6、[2]根据上述[1]所记载的接合构造体,

7、上述第一保护层的相对于上述第一基材相反侧的表面比上述一对外部电极的相对于上述第一基材相反侧的表面向上述第二基材的方向突出。

8、[3]根据上述[1]或[2]所记载的接合构造体,

9、上述电路基板具有配置在上述第二基材上的第二保护层,上述一对焊盘电极从该第二保护层露出。

10、[4]根据上述[3]所记载的接合构造体,

11、上述第二保护层的相对于上述第二基材相反侧的表面比上述一对焊盘电极的相对于上述第二基材相反侧的表面向上述第一基材的方向突出。

12、[5]根据上述[1]~[4]中任一个所记载的接合构造体,

13、上述第一保护层包含第一树脂材料。

14、[6]根据上述[5]所记载的接合构造体,

15、上述第一树脂材料包含选自聚酰亚胺系树脂、聚酰胺酰亚胺系树脂、环氧系树脂、液晶聚合物、聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚醚酰亚胺系树脂以及(甲基)丙烯酸系树脂中的至少一个。

16、[7]根据上述[5]或[6]所记载的接合构造体,

17、上述第一保护层还包含第一金属层。

18、[8]根据上述[1]~[7]中任一个所记载的接合构造体,

19、上述第一基材包含第二树脂材料及第二金属层。

20、[9]根据上述[1]~[8」中任一个所记载的接合构造体,

21、上述第二基材是包含第三树脂材料的柔性基板。

22、[10]根据上述[1]~[9]中任一个所记载的接合构造体,

23、上述接合部包含焊接材料。

24、[11]根据上述[10]所记载的接合构造体,

25、上述一对焊盘电极的接合区域的面积为上述一对外部电极的接合区域的面积的3倍以下。

26、[12]根据上述[1]~[11]中任一个所记载的接合构造体,

27、上述接合部被作为第四树脂材料的固化树脂材料包覆。

28、[13]根据上述[1]~[11]中任一个所记载的接合构造体,

29、上述接合部被作为第五树脂材料的热塑性树脂材料包覆。

30、[14]根据上述[1]~[9]中任一个所记载的接合构造体,

31、上述接合部包含各向异性导电性材料。

32、[15]根据上述[1]~[14]中任一个所记载的接合构造体,

33、上述陶瓷部形成在上述一对外部电极之间。

34、[16]根据上述[1]~[14]中任一个所记载的接合构造体,

35、上述陶瓷部与上述一对外部电极邻接地形成。

36、[17]根据上述[1]~[16]中任一个所记载的接合构造体,

37、上述陶瓷部包含热敏电阻材料,上述接合构造体是温度传感器。

38、根据本公开,提供一种具备陶瓷部、和包含一对内部电极及一对外部电极的元器件电极的元器件部件电接合于电路基板的接合构造体,该接合构造体在高湿环境下也显示出稳定的电特性。

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【技术保护点】

1.一种接合构造体,其中,包括:

2.根据权利要求1所述的接合构造体,其中,

3.根据权利要求1或2所述的接合构造体,其中,

4.根据权利要求3所述的接合构造体,其中,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的接合构造体,其中,

6.根据权利要求5所述的接合构造体,其中,

7.根据权利要求5或6所述的接合构造体,其中,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的接合构造体,其中,

9.根据权利要求1~8中任一项所述的接合构造体,其中,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的接合构造体,其中,

11.根据权利要求10所述的接合构造体,其中,

12.根据权利要求1~11中任一项所述的接合构造体,其中,

13.根据权利要求1~11中任一项所述的接合构造体,其中,

14.根据权利要求1~9中任一项所述的接合构造体,其中,

15.根据权利要求1~14中任一项所述的接合构造体,其中,

16.根据权利要求1~14中任一项所述的接合构造体,其中,

17.根据权利要求1~16中任一项所述的接合构造体,其中,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合构造体,其中,包括:

2.根据权利要求1所述的接合构造体,其中,

3.根据权利要求1或2所述的接合构造体,其中,

4.根据权利要求3所述的接合构造体,其中,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的接合构造体,其中,

6.根据权利要求5所述的接合构造体,其中,

7.根据权利要求5或6所述的接合构造体,其中,

8.根据权利要求1~7中任一项所述的接合构造体,其中,

9.根据权利要求1~8中任一项所述的接合构造体,其中,

10...

【专利技术属性】
技术研发人员:舟桥修一福谷达矢田所智明
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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