一种太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，包括以下步骤：1)采用单色光源发射器，沿可运动的钙钛矿太阳电池薄膜的法线方向照射，单色光源发射器的对应侧分布有光敏传感器阵列，用于接收穿过钙钛矿太阳电池薄膜的光信号；2)将单色光源发射器接收到的光信号转变为像素图，对像素图的灰度和白色像素特征进行分析，通过形态差别判断出薄膜缺陷类型，再通过模型计算得到薄膜缺陷参数。本发明专利技术为快速高质量检测、制备高效率大面积钙钛矿太阳电池提供了良好条件，解决了目前缺乏对于大面积薄膜缺陷在线表征技术手段的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料科学技术和薄膜制备，涉及光敏阵列快速扫描检测及其在钙钛矿太阳电池中的应用，具体涉及一种太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法。

技术介绍

1、随着不可再生能源的逐渐枯竭，以及化石燃料消耗带来的环境影响，寻求新型可再生能源成为国内外研究和关注的焦点。太阳能光伏是利用最多的一种能源方式，主要包括单晶硅、多晶硅、非晶硅、有机光伏(opv)、薄膜太阳能电池(cigs)以及近些年逐渐兴起的钙钛矿电池。钙钛矿电池是以abx3结构的钙钛矿型材料作为光吸收层的新型太阳电池，自其首次报导以来，由于其简单的制备手段以及超低的生产成本受到广泛关注。小面积电池的效率已经突破26％，而大面积电池的效率由于制备工艺的影响仍然难以与小面积电池相媲美。

2、在大面积钙钛矿薄膜的制备过程中，薄膜受到液膜涂覆和结晶过程的影响，容易出现液膜气孔和固膜缺陷，其中固膜缺陷又包括针孔、局部薄区、大面积薄膜不均匀等问题，显著降低了薄膜质量，尤其是对于大面积钙钛矿电池生产过程中，对于在平米级薄膜上的纳米级缺陷的在线快速检测，成为制约钙钛矿太阳电池制备和表征技术发展的关键难题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，采用200～1000nm波长范围的单色光源发射器；钙钛矿太阳电池薄膜的移动速度为1cm/s～1000cm/s。

3.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，光敏传感器阵列能够采用快扫或慢扫模式，单个光敏传感器阵列像元尺寸≤5μm，光敏传感器阵列由多个光敏传感器构成。

4.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，钙钛矿太阳电池薄膜的状态包括钙...

【技术特征摘要】

1.一种太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，采用200～1000nm波长范围的单色光源发射器；钙钛矿太阳电池薄膜的移动速度为1cm/s～1000cm/s。

3.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，光敏传感器阵列能够采用快扫或慢扫模式，单个光敏传感器阵列像元尺寸≤5μm，光敏传感器阵列由多个光敏传感器构成。

4.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，钙钛矿太阳电池薄膜的状态包括钙钛矿太阳电池液膜或钙钛矿太阳电池固膜，其中，钙钛矿太阳电池液膜的厚度≤10μm，钙钛矿太阳电池固膜的厚度≤1μm。

5.根据权利要求1所述的太阳电池缺陷光敏阵列快速扫描检测的方法，其特征在于，步骤2)中，利用标准钙钛矿薄膜透过率与膜厚关系进行比例系数计算，将光信号转变为像素图。

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠军，张高，于长泽，刘梅军，李长久，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：