【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅生产，尤其涉及一种电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统。
技术介绍
1、目前，电子级多晶硅主要采用改良西门子法，因还原炉配比、不同阶段电流和温度不同等因素，回收的气相氯硅烷中含大量的无定形硅粉，sihcl3与氢气在还原炉内经过化学气相沉积反应从而制备多晶硅，具体反应方程式为：3sihcl3+h2→2si+5hcl+sicl4，在化学气相沉积过程中产生气相氯硅烷、氢气和大量无定形硅粉，回收气相氯硅烷和氢气的过程中无定形硅粉易造成尾气回收冷凝设备的磨损，导致泄漏，设备堵塞以及压缩机系统的压缩机易损件更换周期短。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，主要目的是除去还原尾气中的无定形硅粉，降低尾气回收单元设备的故障率。
2、为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，该系统包括：塔体和分离部；
4、所述塔体的上端连接于排气管，所述塔体的下端连接于过滤器；
5、所述分离部包括喷淋机构和旋风分离机构，所述喷淋机构和所述旋风分离机构自上而下依次排列于所述塔体的内部，所述喷淋机构包括自上而下依次排列的喷淋结构和填料结构，所述旋风分离机构的切向进口管贯穿所述塔体的侧壁，所述旋风分离机构的上端出口设有罩体，用于避免喷淋液通过所述上端出口进入所述旋风分离机构。
6、本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技
7、可选的，所述罩体为球面罩体，所述球面罩体的边缘通过多个支撑杆固定连接于所述上端出口的边缘。
8、可选的，所述喷淋结构包括输液管和连接于所述输液管下侧管壁的多个喷淋管。
9、可选的，所述填料结构包括自下而上依次排列的支撑板、填料和压料板，所述支撑板的上表面均布有多个支撑管，所述支撑管的管壁均布有多个透气孔，所述压料板的上表面排列有多个溢流槽，多个所述溢流槽和多个所述喷淋管相互错开。
10、可选的，所述塔体的下端连接于所述过滤器的进口端，所述过滤器的出口端连接于精馏单元和所述输液管。
11、可选的，所述过滤器包括相互并联的第一过滤器和第二过滤器，所述第一过滤器的出口端和所述第二过滤器的出口端分别连接于反洗管，所述过滤器的排渣口连接于渣浆单元。
12、可选的，所述过滤器设有压差传感器。
13、借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点：
14、含无定型硅粉的还原炉尾气通过切向进口管进入旋风分离机构，重组分、粒径较大的硅粉在旋风分离机构的壳体内螺旋沉降，轻组分、粒径较小的硅粉随尾气自上端出口排出，并掠过罩体的边缘，向上升腾。
15、同时，喷淋结构喷出喷淋液，喷淋液和尾气在填料结构内逆流接触，粒径较小的硅粉被洗掉，被清洗干净的还原炉尾气通过排气管进入尾气回收单元。
16、同时，由于罩体遮盖旋风分离机构的上端出口，避免向下流动的喷淋液自上端出口进入旋风分离机构，旋风分离机构内的螺旋气流不会受到喷淋液的影响，从而保证粒径较大的硅粉能够在旋风分离机构内被顺利分离出来。
17、通过上述处理过程后，减少了硅粉磨损冷凝设备的概率，避免泄漏，同时也避免硅粉堵塞设备，延长压缩机易损件的更换周期，降低设备的故障率。
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1.一种电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子级多晶硅尾气中无定型硅粉处理系统，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅尾气中...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟江，袁成平，罗佳林，陈文吉，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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