【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体地涉及光学元件抛光，具体涉及一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置及其应用。
技术介绍
1、随着现代光学系统的不断发展，光学系统内部的光学元件形状日趋复杂。为进一步提升装置性能，产生了诸如光学整流罩等在内的一大批高陡度光学元件，其表面抛光成为现阶段光学制造领域面临的重大难题。
2、磁流变作为现代光学加工工艺的代表，被广泛应用于各种类型光学材料表面的高精度加工过程中，且针对不同形状光学元件，可通过应用不同抛光头的方法，适应各类型光学元件的加工。但是针对高陡度光学元件表面，其加工效率和加工效果则稍显不足，这一定程度上限制了高陡度强光元件的应用。
3、针对原有电磁型磁流变抛光装置存在的问题，结合现阶段高陡度强光元件的应用需要，亟需研发新一代磁流变抛光装备，以提升高陡度光学元件的可加工性，保障现代光学系统的发展进程。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置及其应用，它适配于进行高陡度光学元件表面抛光的球形磁流变抛光轮，解决现阶段球形磁流变抛光轮在进行高陡度光学元件表面抛光时抛光难、抛光周期长、效率低等问题，实现光学元件表面的高精度、高效率抛光。
2、本专利技术的技术方案是，首先提供了一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，包括励磁体、导磁横片和固定块；所述励磁体为相同尺寸的两块磁体，所述磁体包括竖直段和设置在所述竖直段下端与竖直段呈一定角度一体成型的倾斜段；所述固定块设置在励磁体的两块磁体
3、进一步的，上述励磁体由钕铁硼材料切割成型。
4、进一步的，上述导磁横片由电工纯铁材料制作。
5、进一步的，上述固定块材料为不导磁材料制作，所述不导磁材料为铝合金和/或不锈钢。
6、进一步的，上述励磁体的磁体中：竖直段和倾斜段的高度和称为磁臂高度，其取值在35mm-40mm范围内；所述倾斜段与竖直段的夹角为110°-120°角度；所述倾斜段和竖直段的高度比为：(1:28)—(1:10)。
7、进一步的，上述导磁横片的厚度为2.5-5mm。
8、进一步的，上述固定块的尺寸按照长×宽×高表示为38mm×20mm×；其中宽是指在励磁体的磁体竖直段方向的尺寸；高是指连接励磁体的两块磁体之间距离的尺寸。
9、进一步的，上述励磁体、导磁横片、固定块的连接处设置有螺纹孔，以用于三者相互连接。
10、本专利技术还提供了上述基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置的应用，所述励磁装置安装于球面型磁流变抛光轮内，两块磁体的极化方向与球面型磁流变抛光轮的旋转方向垂直；所述的球面性抛光轮直径为60-70mm。
11、进一步的，上述励磁装置通过外部抓取件固定在所述球面型磁流变抛光轮内，在所述球面型磁流变抛光轮旋转时所述励磁装置保持固定，所述励磁装置外侧距离球形磁流变抛光轮内壁的最近距离为1cm。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果有：
13、1、本专利技术提出的一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置结构部件数量少，结构简单，易于制造，安装于球形抛光轮内部即可实现磁流变抛光轮的精准和高效抛光：部件的结构尺寸、位置关系等影响励磁体在抛光轮表面梯度磁场的磁场强度和形状，特别是励磁体竖直段和倾斜段的夹角，夹角过小，梯度磁场减小，夹角过大，梯度磁场虽然增大，但整个励磁体的尺寸会变大，会影响励磁装置在轮内的安装。选材：励磁体的材料和牌号主要影响梯度磁场的磁场长度，本专利技术期望获得自身磁场强度大的磁体，以获得更大的梯度磁场。)
14、2、本专利技术提出的一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置可在小尺寸的球形磁流变抛光轮表面形成抛光磁场和回收磁场，可实现高陡度元件表面的高精度抛光，解决现阶段高陡度元件制造困难等问题。
15、3、本专利技术提出的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置可在磁流变抛光轮表面形成回收磁场(回收磁场由励磁装置漏磁产生)和抛光磁场，保证整个磁流变抛光过程的顺利进行。与现有装置相比，本专利技术公开的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，相比于现有小口径电磁铁励磁装置，励磁体体积显著减小，可显著降低对抛光轮体积的需求，适应高陡度光学元件表面加工环境；与此同时，永磁体的应用，使得抛光轮表面能够形成稳定的磁场，可保证高陡度强光元件磁流变抛光过程的稳定。
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1.一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，包括励磁体(1)、导磁横片(2)和固定块(3)；
2.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述励磁体(1)由钕铁硼材料切割成型。
3.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述导磁横片(2)由电工纯铁材料制作。
4.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述固定块(3)材料为不导磁材料制作，所述不导磁材料为铝合金和/或不锈钢。
5.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述励磁体(1)的磁体中：
6.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述导磁横片(2)的厚度为2.5-5mm。
7.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述固定块(3)的尺寸按照长×宽×高表示为38mm×20mm×(9-13mm)；
8.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变
9.一种如权利要求1-8中任一权利要求所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置的应用，其特征在于，
10.如权利要求9所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置的应用，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，包括励磁体(1)、导磁横片(2)和固定块(3)；
2.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述励磁体(1)由钕铁硼材料切割成型。
3.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述导磁横片(2)由电工纯铁材料制作。
4.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述固定块(3)材料为不导磁材料制作，所述不导磁材料为铝合金和/或不锈钢。
5.如权利要求1所述的基于高陡度强光元件磁流变抛光的励磁装置，其特征在于，所述励磁体(1)的磁体中：
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：石峰，张万里，宋辞，铁贵鹏，田野，王博，乔冬阳，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：
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