System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 波导元件、光扫描元件以及光调制元件制造技术_技高网

波导元件、光扫描元件以及光调制元件制造技术

技术编号:40487291 阅读:7 留言:0更新日期:2024-02-26 19:19
本发明专利技术提供扫描角度大、响应快、能够小型化、且能够降低驱动电压的波导元件、光扫描元件以及光调制元件。本发明专利技术的实施方式的波导元件具备:光子晶体层,其是在电光晶体基板周期性地形成空穴而成的;线缺陷的光波导,其形成在所述光子晶体层中;第一电极,其设置于电光晶体基板的上部,相对于光而透明;以及第二电极,其设置于电光晶体基板的下部。本发明专利技术的实施方式的光扫描元件及光调制元件分别包括上述波导元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及波导元件、光扫描元件以及光调制元件


技术介绍

1、作为电光元件之一,正在开发包括光波导的波导元件。作为这样的波导元件,例如已知有广角扫描激光的光扫描元件、使光的相位等发生变化的光调制元件等。

2、特别是,光扫描元件能够作为激光雷达、激光扫描仪、lidar(light detectionand ranging)使用,因此,探讨了在汽车的自动驾驶控制用、或者移动终端或机器人或无人机的位置控制用的障碍物监测系统、测距系统中的应用,正在积极地进行开发。

3、作为光扫描元件的一例,提出了在硅光子晶体波导设置放射机构得到的光偏转器(专利文献1~4)。但是,这样的光偏转器构成为:针对各波长来改变偏转角度、或者对元件进行加热来改变偏转角度,在如上所述的用途中使用的情况下,扫描角度不充分。另外,针对各波长而使偏转角发生变化的类型存在需要波长不同的多个光源的问题,进行加热的类型存在响应慢的问题。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:国际公开第2017/126386号

7、专利文献2:国际公开第2018/003852号

8、专利文献3:国际公开第2018/186471号

9、专利文献4:日本专利第4208754号公报


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于,提供扫描角度大、响应快、能够小型化、且能够降低驱动电压的波导元件、光扫描元件以及光调制元件。

2、本专利技术的实施方式的波导元件具备:光子晶体层,该光子晶体层是在电光晶体基板周期性地形成空穴而成的;线缺陷的光波导,该光波导形成在所述光子晶体层中;第一电极,该第一电极设置于所述电光晶体基板的上部,相对于光而透明;以及第二电极,该第二电极设置于所述电光晶体基板的下部。上述第一电极及上述第二电极分别在所述光子晶体层的厚度方向上与所述光波导重叠。

3、1个实施方式中,上述第二电极相对于光而透明,且与所述电光晶体基板接触,所述第一电极及所述第二电极各自的折射率小于所述电光晶体基板的折射率。

4、1个实施方式中,上述波导元件还具备:基板,该基板设置于所述第二电极的下部;以及低折射率部,该低折射率部位于所述第二电极与所述基板之间,具有比所述电光晶体基板的折射率小的折射率(低介电常数部,该低介电常数部具有比所述电光晶体基板的介电常数小的介电常数),所述低折射率部在所述光子晶体层的厚度方向上与所述光波导重叠。

5、1个实施方式中,上述波导元件还具备接合部,该接合部设置于所述第二电极与所述基板之间,用于将所述第二电极和所述基板接合,所述接合部具有作为所述低折射率部发挥作用的空腔。

6、1个实施方式中,上述波导元件还具备低折射率部,该低折射率部位于所述电光晶体基板与所述第二电极之间,具有比所述电光晶体基板的折射率小的折射率(低介电常数部,该低介电常数部具有比所述电光晶体基板的介电常数小的介电常数),所述低折射率部在所述光子晶体层的厚度方向上与所述光波导重叠。

7、1个实施方式中,上述波导元件还具备接合部,该接合部设置于所述电光晶体基板与所述第二电极之间,用于将所述电光晶体基板和所述第二电极接合,通过所述电光晶体基板的下表面、所述第二电极的上表面以及所述接合部而规定出作为所述低折射率部发挥作用的空腔。

8、1个实施方式中,上述电光晶体基板由选自由铌酸锂、钽酸锂、磷酸钛氧钾、铌酸钾锂、铌酸钾、钽铌酸钾、以及铌酸锂与钽酸锂的固溶体构成的组中的1种构成。

9、根据本专利技术的另一方面,光扫描元件包括上述波导元件,上述波导元件还具备衍射光栅,该衍射光栅设置于从所述光波导的上部、左侧面部以及右侧面部中选择的至少1个部分,上述光扫描元件构成为:从所述光波导的上表面射出的光的出射角发生变化。

10、根据本专利技术的再一方面,光调制元件包括上述波导元件,上述光波导为包括第一波导和第二波导的马赫曾德尔型光波导,所述第一电极配置成:在所述光子晶体层的厚度方向上与所述第一波导重叠。

11、1个实施方式中,上述光调制元件还具备第三电极,该第三电极设置于所述电光晶体基板的上部,相对于光而透明,所述第三电极配置成:在所述光子晶体层的厚度方向上与所述第二波导重叠。

12、专利技术效果

13、根据本专利技术的实施方式,可以实现扫描角度大、响应快、能够小型化、且能够降低驱动电压的波导元件、光扫描元件以及光调制元件。

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【技术保护点】

1.一种波导元件,其中,具备:

2.根据权利要求1所述的波导元件,其中,

3.根据权利要求2所述的波导元件,其中,还具备:

4.根据权利要求3所述的波导元件,其中,

5.根据权利要求1所述的波导元件,其中,

6.根据权利要求5所述的波导元件,其中,

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的波导元件,其中,

8.一种光扫描元件,其中,

9.一种光调制元件,其中,

10.根据权利要求9所述的光调制元件,其中,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种波导元件,其中,具备:

2.根据权利要求1所述的波导元件,其中,

3.根据权利要求2所述的波导元件,其中,还具备:

4.根据权利要求3所述的波导元件,其中,

5.根据权利要求1所述的波导元件,其中,

【专利技术属性】
技术研发人员:谷健太郎近藤顺悟浅井圭一郎东原周平藤田直辉
申请(专利权)人:日本碍子株式会社
类型:发明
国别省市:

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