【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化工生产工艺领域，尤其涉及一种二茂镁合成收集装置。
技术介绍
1、二茂镁又称双(环戊二烯基)镁，白色晶体，熔点176℃，在100℃时升华。二茂镁可以作为一种金属有机化合物，用于半导体材料的掺杂。通过将二茂镁引入半导体材料中，可以改变其电子结构，调节其导电性能。二茂镁还可以作为一种前体材料，用于金属有机化学气相沉积（mocvd）或金属有机化学气相外延（mocvd）等技术中的薄膜生长过程，通过控制二茂镁的供应量和反应条件，可以在半导体基片上生长出具有特定性质和结构的薄膜，用于制备半导体器件。
2、二茂镁的合成方法主要有格氏试剂法和直接合成法，其中格式试剂法是用镁和卤乙烷反应，生成乙基卤化镁格氏试剂，再与环戊二烯反应生成二茂镁，此方法分离提纯操作复杂，而直接合成法是利用镁屑和环戊二烯在高温条件下反应生成二茂镁，此方法工艺简单且产品纯度较高，故大都采用直接合成法合成二茂镁。但直接合成法生成的二茂镁是以絮状形式飘落在接收装置里，不仅容易堵塞出气口，而且所占空间较大，实际二茂镁产品重量很低，导致每批的合成产量较低，远远满足不了市场需求。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种二茂镁合成收集装置，以解决上述
技术介绍
中提出的传统二茂镁合成收集装置产率低、出气口易堵塞等问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管、合成反应柱和合成接收罐，其特征在于，所述环戊二烯进料管设置在合成反应柱的上端，所述
4、可选的，所述冷热一体机在收集二茂镁时可调节合成接收罐温度至-10~10℃，合成反应柱中合成的二茂镁落在合成接收罐内时受冷结块贴在合成接收罐内壁上。
5、可选的，所述冷热一体机在转移二茂镁时可调节合成接收罐温度至130~160℃，收集的二茂镁通过升华的方式经由升华出料口进入升华釜。
6、可选的，所述合成接收罐上端设置有出气口的一侧还安装有挡板，所述挡板位于出气口和合成反应柱在合成接收罐上的连接处之间，阻挡二茂镁飘向出气口，从而防止合成接收罐的出气口堵塞。
7、可选的，所述挡板为v型。
8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
9、1、本技术通过设置冷热一体机，在收集二茂镁产品时，降低合成接收罐的温度，保证二茂镁飘落到合成接收罐后聚集结块，最终紧密堆积在合成接收罐中，从而增加合成接收罐每批的接收量，提高产品收集效率。
10、2、本技术通过设置冷热一体机，在转移二茂镁产品时，升高合成接收罐的温度，使收集的二茂镁产品升华，并通过合成接收罐上设置的升华出料口进入升华釜，提高了产品转移效率。
11、3、本技术通过在出气口和合成反应柱在合成接收罐上的连接处之间设置挡板，阻挡二茂镁飘向出气口，从而防止合成接收罐的出气口堵塞，适用于工业化生产。
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1.一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管（1）、合成反应柱（2）和合成接收罐（3），其特征在于，所述环戊二烯进料管（1）设置在合成反应柱（2）的上端，所述合成接收罐（3）设置在合成反应柱（2）的下端，所述合成接收罐（3）上端一侧设置有出气口（6），所述合成接收罐（3）上端另一侧设置有升华出料口（7），所述合成接收罐（3）外部设置有冷热一体机（5）。
2.根据权利要求1所述的一种二茂镁合成收集装置，其特征在于，所述冷热一体机（5）在收集二茂镁时可调节合成接收罐（3）温度至-10~10℃。
3.根据权利要求1所述的一种二茂镁合成收集装置，其特征在于，所述冷热一体机（5）在转移二茂镁时可调节合成接收罐（3）温度至130~160℃，二茂镁通过升华的方式经由升华出料口（7）进入升华釜。
4.根据权利要求1所述的一种二茂镁合成收集装置，其特征在于，所述合成接收罐（3）上端设置有出气口（6）的一侧还安装有挡板（4），所述挡板（4）位于出气口（6）和合成反应柱（2）在合成接收罐（3）上的连接处之间。
5.根据权利要求4所述的一种二茂镁合成收集
...【技术特征摘要】
1.一种二茂镁合成收集装置，包括环戊二烯进料管（1）、合成反应柱（2）和合成接收罐（3），其特征在于，所述环戊二烯进料管（1）设置在合成反应柱（2）的上端，所述合成接收罐（3）设置在合成反应柱（2）的下端，所述合成接收罐（3）上端一侧设置有出气口（6），所述合成接收罐（3）上端另一侧设置有升华出料口（7），所述合成接收罐（3）外部设置有冷热一体机（5）。
2.根据权利要求1所述的一种二茂镁合成收集装置，其特征在于，所述冷热一体机（5）在收集二茂镁时可调节合成接收罐（3）温度至-10~10℃。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：姜永要，王伟，徐昕，
申请(专利权)人：安徽亚格盛电子新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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