【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种hit太阳能电池及电池组件。
技术介绍
1、hit(heterojunction with intrinsic thin-layer)中文名为异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”。目前行业内主流hit电池片结构为银电极-tco薄膜-a-si:h(p+)层-a-si:h(i)层-n型硅基底-a-si:h(i)层-a-si:h(n+)层-tco薄膜-银电极，具有开路电压高，组件端效率衰减低等优点。
2、但其同时也存在以下缺点：
3、1、tco薄膜与组件端胶膜粘接力差；
4、2、折射率渐变只有tco薄膜和非晶硅两层。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是：设计一种能够解决上述问题的hit太阳能电池及电池组件。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种hit太阳能电池，包括：硅基底，所述硅基底具有沿其厚度方向相对设置的两侧面，所述两侧面在所述厚度方向上均沿所述硅基底朝外依次设有a-si:h层、tco膜层及钝化层，各所述钝化层在所述厚度方向上背离所述硅基底的一侧还凸设有金属电极。
3、进一步地，所述钝化层为氧化层或氮化硅。
4、进一步地，所述钝化层上开设有连通至所述tco膜层的通槽，所述金属电极设于所述通槽上且通过所述通槽与所述tco膜层连接。
5、进一步地，包括多个所述金属电极，多个所述金属电极沿所述硅基底长度方向依次间隔设置，所述钝化层上沿所述长度方向间隔
6、进一步地，所述金属电极的外壁抵接于所述通槽的槽壁。
7、进一步地，所述金属电极为银电极或银铝电极。
8、进一步地，所述金属电极为电镀铜电极。
9、进一步地，将两所述a-si:h层分别定义为第一层及第二层，所述第一层包括在所述厚度方向上叠层设置的第一a-si:h(i)层及a-si:h(p+)层，所述第一a-si:h(i)层位于所述a-si:h(p+)层朝向所述硅基底的一侧；所述第二层包括在所述厚度方向上叠层设置的第二a-si:h(i)层及a-si:h(n+)层，且所述第二a-si:h(i)层位于所述a-si:h(n+)层朝向所述硅基底的一侧。
10、进一步地，所述a-si:h(p+)层在所述厚度方向上的尺寸为15mm～25mm。
11、本专利技术还提供了一种hit太阳能电池组件，包括上述的hit太阳能电池。
12、本专利技术实施例一种hit太阳能电池及电池组件与现有技术相比，其有益效果在于：
13、本专利技术实施例的hit太阳能电池及电池组件，其设置钝化层能改善电池结构与胶膜的粘接力；同时通过钝化层、tco膜层和a-si:h层，三层结合形成渐变折射层，有效的减少电池发电过程中的光学损失，采用了电镀金属电极工艺大大降低了产品成本。
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1.一种HIT太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有沿其厚度方向相对设置的两侧面，所述两侧面在所述厚度方向上均沿所述硅基底朝外依次设有a-Si:H层、TCO膜层及钝化层，各所述钝化层在所述厚度方向上背离所述硅基底的一侧还凸设有金属电极。
2.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于：所述钝化层为氧化层或氮化硅。
3.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于：所述钝化层上开设有连通至所述TCO膜层的通槽，所述金属电极设于所述通槽上且通过所述通槽与所述TCO膜层连接。
4.如权利要求3所述的HIT太阳能电池，其特征在于：包括多个所述金属电极，多个所述金属电极沿所述硅基底长度方向依次间隔设置，所述钝化层上沿所述长度方向间隔开设有多个所述通槽，各所述金属电极一一对应设于各所述通槽内。
5.如权利要求3所述的HIT太阳能电池，其特征在于：所述金属电极的外壁抵接于所述通槽的槽壁。
6.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于，所述金属电极为银电极或银铝电极。
7.如权利要求1所述的HIT太
8.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于：将两所述a-Si:H层分别定义为第一层及第二层，所述第一层包括在所述厚度方向上叠层设置的第一a-Si:H(i)层及a-Si:H(P+)层，所述第一a-Si:H(i)层位于所述a-Si:H(P+)层朝向所述硅基底的一侧；所述第二层包括在所述厚度方向上叠层设置的第二a-Si:H(i)层及a-Si:H(N+)层，且所述第二a-Si:H(i)层位于所述a-Si:H(N+)层朝向所述硅基底的一侧。
9.如权利要求8所述的HIT太阳能电池，其特征在于：所述a-Si:H(P+)层在所述厚度方向上的尺寸为15mm～25mm。
10.一种HIT太阳能电池组件，其特征在于：包括如权利要求1～9中任一项所述的HIT太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种hit太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有沿其厚度方向相对设置的两侧面，所述两侧面在所述厚度方向上均沿所述硅基底朝外依次设有a-si:h层、tco膜层及钝化层，各所述钝化层在所述厚度方向上背离所述硅基底的一侧还凸设有金属电极。
2.如权利要求1所述的hit太阳能电池，其特征在于：所述钝化层为氧化层或氮化硅。
3.如权利要求1所述的hit太阳能电池，其特征在于：所述钝化层上开设有连通至所述tco膜层的通槽，所述金属电极设于所述通槽上且通过所述通槽与所述tco膜层连接。
4.如权利要求3所述的hit太阳能电池，其特征在于：包括多个所述金属电极，多个所述金属电极沿所述硅基底长度方向依次间隔设置，所述钝化层上沿所述长度方向间隔开设有多个所述通槽，各所述金属电极一一对应设于各所述通槽内。
5.如权利要求3所述的hit太阳能电池，其特征在于：所述金属电极的外壁抵接于所述通槽的槽壁。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐果，廖志远，喻强，刘晓萌，梁成宝，
申请(专利权)人：江西沐邦高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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