光学临近修正方法、全局多边形的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种光学临近修正方法、全局多边形的处理方法。其中全局多边形的处理方法，包括：步骤1，把版图分割成不同批次的分块，全局多边形的完整信息存储在主机中，分块对应的局部全局多边形信息与全局多边形的完整信息之间的映射信息存储在从机中；步骤2，多个从机依次对每一批次的分块进行光学临近修正操作；每一批次处理完以后及时更新主机中的全局多边形的信息；步骤3，重复步骤2进行光学临近修正至预设次数；步骤4，在相关的分块边缘对全局多边形进行缝合，若对应与全局多边形一条边的两条相关分块边在对应位置处不重合，则使用平均法使之重合。本发明专利技术可以有效解决分布式处理以后的分块缝合问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路的，尤其涉及一种适用于物理验证的、基于版图面积划分以提高物理验证效率的分布式并行计算处理方法。

技术介绍

1、为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

2、在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。

3、为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(opc：o本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，所述步骤1中采用着色法先将版图分割为具有先后优先级的多个批次的核心区，将每个核心区的四周边缘向外扩展一定距离的缓冲保护区，形成不同批次的所述分块。

3.如权利要求2所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，采用着色法将版图分割为具有先后优先级的四个批次的核心区。

4.如权利要求1所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，所述全局多边形的完整信息包括：全局多边形的编号，全局多边形各顶...

【技术特征摘要】

1.一种光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，所述步骤1中采用着色法先将版图分割为具有先后优先级的多个批次的核心区，将每个核心区的四周边缘向外扩展一定距离的缓冲保护区，形成不同批次的所述分块。

3.如权利要求2所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，采用着色法将版图分割为具有先后优先级的四个批次的核心区。

4.如权利要求1所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，所述全局多边形的完整信息包括：全局多边形的编号，全局多边形各顶点的坐标信息，全局多边形的边的编号。

5.如权利要求4所述的光学临近修正过程中全局多边形的处理方法，其特征在于，所述局部全局多边形信息包括：分块中的局部全局多边形的编号，局部全局多边形的顶点的坐标信息，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，陈红，
申请(专利权)人：深圳国微福芯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：