本发明专利技术涉及缺陷检测技术领域，本发明专利技术公开了石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，包括：将被测托盘的测量尺寸和标准三维模型的设计尺寸进行比较，以获取被测托盘的第一质检结果；获取尺寸合格的被测托盘的M幅局部X射线图像，以及获取尺寸合格的被测托盘的M幅局部光学图像；分别对M幅局部X射线图像和M幅局部光学图像进行解析，以获取被测托盘的内部缺陷数据和外部缺陷数据，并依据内部缺陷数据和外部缺陷数据进行综合分析，以确定被测托盘的第二质检结果；本发明专利技术有利于对石英中心托盘进行质量量化和缺陷识别，进而有利于实现对石英中心托盘的质量控制。
1、随着半导体行业的迅速发展，半导体器件的制造过程变得越来越复杂，要求对制造设备和工艺进行更加精细的控制，以确保最终产品的质量和可靠性；在半导体制造过程中，石英中心托盘作为支持、传输和存储半导体晶圆的重要组件，在半导体制造行业中扮演着关键的角色，其能够确保半导体晶圆在整个制造过程中得到稳妥的处理，从而维护了半导体器件的质量和可靠性；然而，目前在制造石英托盘工艺中，由于制作工艺和过程的差异化，可能会导致石英托盘产生气泡、裂纹等缺陷问题；进而导致石英中心托盘无法为晶圆提供足够的稳定性，使得晶圆在制造过程中容易受到振动或损坏；为此，急需一种石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，能够对石英中心托盘存在的缺陷进行检测和评估，以确保石英中心托盘的生产质量。
2、目前，缺乏针对石英中心托盘制作工艺过程中的质量检测与控制方法，虽存在部分相近文献，例如授权公告号为cn105717137b的中国专利公开了石英玻璃微缺陷检测方法，虽然上述方法能够实现石英产品缺陷检测，但对上述方法以及现有技术进行研究和实际应用发现，上述方法以及现有技术至少存在以下部分缺陷：
/>技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，所述方法包括：
4、将被测托盘的测量尺寸和标准三维模型的设计尺寸进行比较，以获取所述被测托盘的第一质检结果；所述第一质检结果包括尺寸合格或尺寸不合格中的一种；包括：
5、根据相同的规则将被测托盘和标准三维模型划分为n个细分部位，n为大于零的整数；
6、测量被测托盘中每个细分部位的实际厚度和实际长度，以及获取标准三维模型中每个细分部位的设计厚度和设计长度；
7、基于被测托盘和标准三维模型中相同细分部位进行厚度比对，计算厚度系数，其计算公式为：；其中，表示厚度系数，表示第i个细分部位的实际厚度，表示第i个细分部位的设计厚度；
8、基于被测托盘和标准三维模型中相同细分部位进行长度比对，计算长度系数，其计算公式为：；其中，表示长度系数，表示第i个细分部位的实际长度，表示第i个细分部位的设计长度；
9、依据厚度系数和长度系数计算尺寸系数，基于尺寸系数确定获取第一质检结果，其计算公式为：；其中，表示尺寸系数，和表示大于零的修正因子，＞；
10、获取尺寸合格的被测托盘的m幅局部x射线图像，以及获取尺寸合格的被测托盘的m幅局部光学图像；
11、分别对m幅局部x射线图像和m幅局部光学图像进行解析，以获取被测托盘的内部缺陷数据和外部缺陷数据，并依据所述内部缺陷数据和外部缺陷数据进行综合分析，以确定被测托盘的第二质检结果，所述第二质检结果为质量符合标准或质量不符合标准中的一种；
12、根据第一质检结果或第二质检结果控制被测托盘进入下一加工环节，所述下一加工环节包括包装环节和返工环节。
13、进一步地，基于尺寸系数确定获取第一质检结果，包括：
14、获取尺寸系数阈值，将尺寸系数与尺寸系数阈值进行比对；
15、若尺寸系数大于等于尺寸系数阈值，则判定对应的被测托盘为尺寸合格；
16、若尺寸系数小于尺寸系数阈值，则判定对应的被测托盘为尺寸不合格。
17、进一步地，对m幅局部x射线图像进行解析，包括：
18、a1：获取第v幅局部x射线图像，对第v幅局部x射线图像进行像素点区分，将像素点聚类形成的区域分割为第一目标区域，得到k个第一目标区域；
19、a2：将k个第一目标区域以图像的形式分别输入到预配置的第一缺陷识别模型中进行识别，得到第一缺陷识别结果，根据第一缺陷识别结果判断所述k个第一目标区域是否存在内部缺陷区域，若不存在，则令v=v+1，并返回至步骤a1；若存在，则记录内部缺陷区域的数量、缺陷类型和像素面积，并令v=v+1，并返回至步骤a1；
20、a3：重复上述步骤a1～a2，直至v=m时，结束循环，得到第一内部缺陷数据，所述第一内部缺陷数据包括q个内部缺陷区域、q个内部缺陷区域的缺陷类型和q个内部缺陷区域的像素面积；
21、a4：基于m幅局部x射线图像的内部缺陷数据计算被测托盘的内部缺陷系数，将内部缺陷系数作为第二内部缺陷数据，其计算公式为：；式中：表示内部缺陷系数，表示第v幅局部x射线图像中第g个气泡缺陷类型的内部缺陷区域的像素面积；表示第v幅局部x射线图像中第h个裂纹缺陷类型的内部缺陷区域的像素面积，表示气泡缺陷类型的内部缺陷区域的数量，表示裂纹缺陷类型的内部缺陷区域的数量。
22、进一步地，预配置的第一缺陷识别模型的生成逻辑如下：
23、获取x射线图像形式的第一历史数据，所述第一历史数据包括z幅不同内部缺陷类型的x射线图像，z为大于零的整数；所述内部缺陷类型包括裂纹和气泡缺陷；
24、对z幅x射线图像进行内部缺陷类型标注，将内部缺陷类型标注后的z幅x射线图像作为第一训练数据，将第一训练数据划分为内部缺陷训练集和内部缺陷测试集；
25、构建分类网络，将内部缺陷训练集中的x射线图像作为分类网络的输入，将内部缺陷训练集中的内部缺陷类型标注作为分类网络的输出，对分类网络进行训练，得到初始缺陷识别网络；
26、利用内部缺陷测试集对初始缺陷识别网络进行模型验证，输出满足预设测试准确度的初始缺陷识别网络作为预配置的第一缺陷识别模型。
27、进一步地，对m幅局部光学图像进行解析，包括：
28、b1：获取第s幅局部光学图像，对第s幅局部光学图像进行像素点区分，将像素点聚类形成的区域分割为第二目标区域，得到k个第二目标区域；
29、b2：将k个第二目标区域以图像的形式分别输入到预配置的第二缺陷识别模型中进行识别，得到第二缺陷识别结果，根据第二缺陷识别结果判断所述k个第二目标区域是否存在外部缺陷区域，若不存在，则令s=s+1，并返回至步骤b1；若存在，则记录外部缺陷区域的数量、缺陷类型和像素面积，并令s=s+1，并返回至步骤b1；
30、b3：重复上述步骤b1～b2，直至s=m时，结束循环，得到第一外部缺陷数据，所述第一外部缺陷数据包括w个外部缺陷区域、w个外部缺陷区域的缺陷类型和w个外部缺陷区域的像素面积；
31、b4：基于m幅局部光学图像的外部缺陷数据计算被测托盘的外部缺陷系数，将外部缺陷系数本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，基于尺寸系数确定获取第一质检结果，包括：
3.根据权利要求2所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，对M幅局部X射线图像进行解析，包括：
4.根据权利要求3所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，预配置的第一缺陷识别模型的生成逻辑如下：
5.根据权利要求4所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，对M幅局部光学图像进行解析，包括：
6.根据权利要求5所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，依据所述内部缺陷数据和外部缺陷数据进行综合分析，包括：
7.根据权利要求6所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，控制被测托盘进入下一加工环节，包括：
8.根据权利要求7所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，控制被测托盘进入下一加工环节，还包括：
9.一种电子设备，包括电源、接口、键盘、存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8任一项所述石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法；所述接口包括网络接口与数据接口，网络接口包括有线或无线接口，数据接口包括输入或输出接口。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质，包括存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8任一项所述石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，存储介质存储有操作系统、数据与应用程序。
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【技术特征摘要】
1.石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，基于尺寸系数确定获取第一质检结果，包括：
3.根据权利要求2所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，对m幅局部x射线图像进行解析，包括：
4.根据权利要求3所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，预配置的第一缺陷识别模型的生成逻辑如下：
5.根据权利要求4所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，对m幅局部光学图像进行解析，包括：
6.根据权利要求5所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方法，其特征在于，依据所述内部缺陷数据和外部缺陷数据进行综合分析，包括：
7.根据权利要求6所述的石英中心托盘制作工艺的质量检测与控制方...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚禄辉，周韦军，周文华，
申请(专利权)人：上海强华实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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