闪存芯片控制方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种闪存芯片控制方法及系统，该方法应用于闪存芯片控制系统，该系统包括：中央控制器CPU、复杂可编程逻辑器件CPLD和闪存芯片；CPLD配置有逻辑开关和控制模块；CPU通过逻辑开关与闪存芯片相连接；CPU通过接口集合与控制模块相连接；CPU需进行数据操作时，确定目标逻辑值序列，控制接口集合输出目标逻辑值序列对应的逻辑信号，生成数据操作对应的操作指令，经由逻辑开关将操作指令发送至闪存芯片；控制模块若监测到接口集合输出的逻辑信号为合法信号，则闭合逻辑开关，反之则断开逻辑开关。应用本发明专利技术的方法，可基于CPLD控制CPU与闪存芯片的连接状态，避免异常的操作指令到达闪存芯片，提高数据安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储，特别是涉及一种闪存芯片控制方法及系统。

技术介绍

1、在嵌入式系统中，闪存(flash)芯片是常见的存储芯片之一。为保障flash芯片的数据安全性，通常会对flash芯片上的操作进行相应的控制，如进行写保护控制。

2、目前，一般是通过中央处理器(central processing unit，cpu)对flash芯片进行控制。具体的，将cpu的通用输入/输出(general purpose input output，gpio)接口与flash芯片的写保护引脚相连接，flash芯片的写保护引脚即为wp引脚，若wp引脚信号为低电平，则表征写保护有效。cpu可通过gpio接口向flash芯片的写保护引脚输出相应的控制信号，以对flash芯片进行写保护控制。

3、在实际的应用场景中，嵌入式系统的运行环境通常十分恶劣，容易受到强烈的外部电磁干扰。在现有的对于flash芯片的控制方式中，若cpu受到电磁干扰，可能会使cpu通过gpio接口输出的信号翻转，导致对于flash芯片的写保护控制失效，故对于flash芯片的安全控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存芯片控制方法，其特征在于，所述方法应用于闪存芯片控制系统，所述系统包括：中央控制器、复杂可编程逻辑器件和闪存芯片；所述复杂可编程逻辑器件中配置有逻辑开关和控制模块；所述中央控制器通过第一串行外设接口与所述逻辑开关相连接，所述逻辑开关通过第二串行外设接口与所述闪存芯片相连接；所述中央控制器通过接口集合与所述控制模块相连接；所述接口集合包括多个第一接口，每个所述第一接口为通用输入/输出接口；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述数据操作对应的目标逻辑值序列，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设逻辑值序列为0101...

【技术特征摘要】

1.一种闪存芯片控制方法，其特征在于，所述方法应用于闪存芯片控制系统，所述系统包括：中央控制器、复杂可编程逻辑器件和闪存芯片；所述复杂可编程逻辑器件中配置有逻辑开关和控制模块；所述中央控制器通过第一串行外设接口与所述逻辑开关相连接，所述逻辑开关通过第二串行外设接口与所述闪存芯片相连接；所述中央控制器通过接口集合与所述控制模块相连接；所述接口集合包括多个第一接口，每个所述第一接口为通用输入/输出接口；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述数据操作对应的目标逻辑值序列，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设逻辑值序列为0101；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实时监测所述接口集合输出的逻辑信号是否为合法信号，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁海滨，
申请(专利权)人：北京傲星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：