【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及减振降噪的，尤其涉及用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构和设计方法。
技术介绍
1、随着科学技术迅速发展，对微纳米尺度下，各种结构和器件的减振降噪需求与日俱增。声子晶体独特的带隙特性为消除和抑制各种器件中的振动和噪声提供了新的设计思路。由此所衍生实现的各类减振降噪技术也比较多。
2、压电效应是一种传统的力-电耦合效应，压电材料可以实现力-电的相互转化，广泛用于各种减振降噪、控制和测量器件中。然而，当结构的尺度缩小到微纳米级别时，传统的压电材料/效应已经变得不适应了，由此本专利技术引入了挠曲电材料/效应。与压电效应不同的是，挠曲电效应不受晶体结构对称性的限制，存在于所有电介质材料中，材料的选择范围会极大地增加；其次压电材料在使用时，不能超过居里温度点，且绝大部分压电材料含有铅等重金属，由压电材料制备的结构和器件对人体和环境均会造成危害。因此，挠曲电效应为器件的设计提供了新的可能。
3、申请号为“cn201910182759.9”，名称为“一种纳米声子晶体梁结构的超高频振动主动控制装置”的专利技术专...
【技术保护点】
1.用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：由若干个高挠曲电系数材料制作的组件一(1)和组件二(2)以规律或非规律的方式首尾相接而成。
2.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：所述的组件一(1)由钛酸钡制作。
3.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：所述的组件二(2)由钛酸锶制作。
4.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：相邻组件之间硬性连接。
5.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体...
【技术特征摘要】
1.用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：由若干个高挠曲电系数材料制作的组件一(1)和组件二(2)以规律或非规律的方式首尾相接而成。
2.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：所述的组件一(1)由钛酸钡制作。
3.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：所述的组件二(2)由钛酸锶制作。
4.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：相邻组件之间硬性连接。
5.根据权利要求1所述的用于超高频减振降噪的挠曲电声子晶体梁结构，其特征是：相邻组件之间的连接方式为胶接或者螺栓连接。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈承，彭聪，孔燚帆，李铮，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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