纳米粒子膜图案化方法、发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件制造方法及图纸

在包含QD(31R)的QD膜(220R)的一部分上形成非分散化配体含有部(221R)，该非分散化配体含有部(221R)包含配位在上述QD上以使上述QD不能分散在溶剂中的单齿配体(32R)，用溶剂(39R)除去上述QD膜中的上述非分散化配体含有部以外的区域，从而形成QD层图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及纳米粒子膜图案化方法，以及使用了该方法的发光元件的制造方法、显示装置的制造方法、发光元件。

技术介绍

1、以往，在使用量子点等纳米粒子的发光元件等发光装置的制造中，进行包含纳米粒子的纳米粒子膜的图案化。作为纳米粒子膜的图案化方法，使用腐蚀法(蚀刻法)、剥离法等。

2、在腐蚀法中，在支承体上的纳米粒子膜上层叠抗蚀剂层，曝光后进行显影，形成抗蚀剂图案后，将该抗蚀剂图案作为掩模，用腐蚀剂对纳米粒子膜进行腐蚀化。然后，通过剥离抗蚀图案，形成纳米粒子层图案。

3、在剥离法中，在支承体上形成抗蚀剂层，曝光后进行显影，形成抗蚀剂图案后，使用抗蚀溶剂除去抗蚀剂图案，除去(剥离)抗蚀剂图案上的纳米粒子膜，由此在支承体上的未形成抗蚀剂图案的部分形成纳米粒子图案。

4、专利文献1中，作为上述纳米粒子层图案，例如形成发光层时，如果使用腐蚀法，则发光层被暴露于腐蚀中，发光特性等的性能降低，因此，为了抑制这样的性能降低，公开了使用剥离法。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本国专利特开2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，还包括回收工序，回收用所述第一有机溶剂除去的、所述纳米粒子膜中的所述分散化配体含有部以外的部分中含有的所述纳米粒子。

3.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

4.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

5.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

6.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

7.根据权利要求3至6中任一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，还包括回收工序，回收用所述第一有机溶剂除去的、所述纳米粒子膜中的所述分散化配体含有部以外的部分中含有的所述纳米粒子。

3.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

4.根据权利要求1或2所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

5.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

6.根据权利要求3或4所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，包括:

7.根据权利要求3至6中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

8.根据权利要求3至6中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述无极性有机溶剂是介电常数为1.8以上且6.1以下的溶剂。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，所述极性有机溶剂是介电常数大于6.1且50以下的溶剂。

11.根据权利要求3至10中任一项所述的纳米粒子膜图案化方法，其特征在于，还包括第二配体置换步骤，向所述非分散化配体含有部供给包含第二配体和第三有机溶剂的第二配体分散液，将所述非分散化配体更换为所述第二配体。

12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢口裕真，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：